TH71510B - กระบวนการผลิตอุปกรณ์ตรวจจับก๊าซแบบฟิล์มบางบนตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย - Google Patents
กระบวนการผลิตอุปกรณ์ตรวจจับก๊าซแบบฟิล์มบางบนตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอยInfo
- Publication number
- TH71510B TH71510B TH601000559A TH0601000559A TH71510B TH 71510 B TH71510 B TH 71510B TH 601000559 A TH601000559 A TH 601000559A TH 0601000559 A TH0601000559 A TH 0601000559A TH 71510 B TH71510 B TH 71510B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- thin film
- floating membrane
- layer
- aforementioned
- heater
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract 18
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 238000001126 phototherapy Methods 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N AI2O3 Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000005188 flotation Methods 0.000 abstract 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Abstract
ก๊าชเซนเซอร์แบบฟิล์มบางบนตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย ซึ่งทำจากกระบวนการphysical vapor deposition เป็นหลัก โดยจะมีการสร้างเมมเบรนลอยของตัวทำความร้อนที่ทำด้วยวัสดุ NiChrom (Ni80%Cr20%) หรือ Titanium Nitride (TiN) ทางด้านบนของแผ่นฐาน บนเมมเบรนลอยจะมีชั้นฟิล์มบางของฉนวนไฟฟ้าที่เหมาะสม เช่น Aluminum Nitride (AIN) Alumina(A12Oj) Silicon Nitride (Si3N4) หรือ Silicon Dioxide (SiO2) ตามด้วยชั้นของฟิล์มบางของขั้วไฟฟ้าของเซนเชอร์ ซึ่งเป็นชั้นฟิล์มบางของโลหะที่เหมาะสม เช่น Au/Cr และจะมีชั้นฟิล์มบาง metaloxide เคลือบอยู่เหนือขั้วไฟฟ้าของเซนเชอร์ โดยกระบวนการ ion-assisted electron beamevaporation:
Claims (8)
1. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าชเซนเซอร์ประกอบด้วย - การจัดให้มีแผ่นฐาน (3) ที่ประกอบด้วยผิวหน้าที่หนึ่งและสอง - การจัดให้มีตัวทำความร้อนชนิดเมมเบรนลอย (1) ที่ถูกสร้างจากโลหะและมีส่วนหนึ่งลอยอยู่เหนือผิวหน้าที่หนึ่งของแผ่นฐาน (3) ดังกล่าว โดยมีช่องว่าง (8) อยู่ระหว่างนั้น โดยที่ตัวทำความร้อนดังกล่าวยังประกอบด้วยแถบยึด (2) อย่างน้อยสองจุดเพื่อการยึดตัวทำความร้อนชนิดเมมเบรนลอย (1) ตังกล่าวให้ติดกับแผ่นฐาน (3) ดังกล่าว - การจัดให้มีชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ที่ถูกสร้างอยู่บนตัวทำความร้อนชนิดเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าว เพื่อเป็นฉนวนไฟฟ้า - การจัดให้มีขั้วไฟฟ้าของฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (5) อย่างน้อยสองขั้ว ที่สร้างอยู่บนชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ตังกล่าว เพื่อทำหน้าที่เป็นขั้วเอาต์พุตของอุปกรณ์ก๊าซเซนเซอร์ดังกล่าว - การจัดให้มีชั้นฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (7) ที่สร้างจากวัสดุที่มีคุณสมบัติเปลี่ยนสภาพการนำไฟฟ้าตามการทำปฏิกิริยาเคมีกับก๊าซเฉพาะที่ต้องการจะวัดโดยชั้นฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (7) ตังกล่าวถูกจัดวางอยู่บนขั้วไฟฟ้าของฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (5) อย่างน้อยสองขั้วดังกล่าว และ - การจัดให้มีขั้วไฟฟ้าของตัวทำความร้อน (6) ที่ถูกสร้างขึ้นบนผิวหน้าของแถบยึด (2) ดังกล่าวของ ตัวทำความร้อนชนิดเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าว เพื่อจ่ายกระแสไฟฟ้าให้กับตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย(1) ดังกล่าว โดยที่กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าชเซนเซอร์ดังกล่าวมีลักษณะเฉพาะคือ ในขั้นตอนการจัดให้มีตัวทำความร้อนชนิดเมมเบรนลอย (1)ดังกล่าว ประกอบด้วยขั้นตอนของ - การสร้างชั้นของสารไวแสง (photoresist) (9) โดยกระบวนการถ่ายแบบด้วยแสง (photolithography) เป็นแท่งสีเหลี่ยมหรือรูปร่างอื่นๆที่ใกล้เคียงสำหรับการรองรับเมมเบรนลอย(1)ดังกล่าว - การสร้างเมมเบรนลอยของตัวทำความร้อน (1) พร้อมกับแถบยึด (2) ตังกล่าวให้มี ความหนาตามต้องการด้วยกระบวนการการระเหย (evaporation) หรือสปัตเตอริ่ง (sputtering) และ การกำจัดชั้นสารไวแสง (photoresist) (9) ดังกล่าวออกไป เพื่อทำให้เกิดช่องว่าง(8) ดังกล่าวระหว่างตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าวกับชั้นฐาน (3)ดังกล่าว
2. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าชเซนเซอร์ในข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ชํ่งชั้นฟิล์มโลหะบางของเมมเบรนลอยของตัวทำความร้อน (1) ดังกล่าวมีความหนาอยู่ระหว่าง 250 - 3000 นาโนเมตร
3. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าซเซนเชอร์ในข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 โดยที่ขั้นตอนของการสร้างชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการการระเหย (evaporation)
4. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าซเซนเซอร์ในข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 โดยที่ขั้นตอนการสร้างชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการสป็ตเตอรึง (sputtering)
5. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าซเซนเชอร์ในข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2โดยที่ขั้นตอนการสร้างขั้วไฟฟ้าของฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (5) อย่างน้อยสองขั้ว บนชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ดังกล่าวพร้อมกับขั้วไฟฟ้าของตัวทำความร้อน (6) อย่างน้อยสองขั้ว ด้วยโลหะกระทำด้วยกระบวนการการระเหย (evaporation)
6. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าชเชนเชอร์ในข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2โดยที่ขั้นตอนการสร้างขั้วไฟฟ้าของฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (5) อย่างน้อยสองขั้ว บนชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ดังกล่าวพร้อมกับขั้วไฟฟ้าของตัวทำความร้อน (6) อย่างน้อยสองขั้ว ด้วยโลหะกระทำดวยกระบวนการสป็ตเตอรึง (sputtering)
7. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าซเชนเชอร้ในข้อถือสิทธิที่ 1-6 ข้อใดข้อหนํ่ง โดยที่ขั้นตอนมีการสร้างชั้นฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (7) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการไอออนแอสซิสเทต อเลกตรอน บม อวาโพเรชัน (ion-assisted electron beam evaporation)
8. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าซเซนเชอร์ในข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ยังประกอบเพิ่มด้วยขั้นตอนของการกัดชั้นของสารไวแสง (photoresist) (9) ออกเพื่อให้เกิดช่องว่าง (8) ดังกล่าว
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH93201A TH93201A (th) | 2009-01-30 |
| TH93201B TH93201B (th) | 2009-01-30 |
| TH71510B true TH71510B (th) | 2019-09-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101019576B1 (ko) | 산화 알루미늄 다공층을 갖는 습도 센서 및 이의 제조 방법 | |
| JPH10501068A (ja) | 還元又は酸化ガス用のガスセンサ | |
| WO2005107318A1 (ja) | 圧力波発生装置及びその製造方法 | |
| US10697920B2 (en) | Gas sensor | |
| JP5609919B2 (ja) | マイクロヒータ素子 | |
| TH71510B (th) | กระบวนการผลิตอุปกรณ์ตรวจจับก๊าซแบบฟิล์มบางบนตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย | |
| TH93201A (th) | กระบวนการผลิตอุปกรณ์ตรวจจับก๊าซแบบฟิล์มบางบนตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย | |
| JP2019158358A (ja) | センサ素子及びこれを備えたガスセンサ | |
| JP6451395B2 (ja) | センサ素子 | |
| KR101573638B1 (ko) | 그래핀과 육방정계 질화붕소 이종 적층구조를 이용한 마이크로 히터 및 그 제조방법 | |
| CN1846118A (zh) | 流量传感器 | |
| JP6379873B2 (ja) | ガス検知装置 | |
| KR20020069323A (ko) | 금속 저항체 소자 및 그 제조 방법 | |
| Wang et al. | Wafer‐level fabrication of low power consumption integrated alcohol microsensor | |
| KR101992022B1 (ko) | 반도체식 가스센서 | |
| TWI823643B (zh) | 石墨烯加熱晶片溫度的校準方法 | |
| JPH0618465A (ja) | 複合センサ | |
| JP2016096290A (ja) | レーザトリム装置 | |
| TWI841016B (zh) | 石墨烯加熱晶片及其製備方法 | |
| Park et al. | Pt heating electrode for microheater based on electrochemically prepared anodic porous alumina | |
| KR20160147161A (ko) | 유량 및 압력 감지 기판 제조방법 | |
| TH72471B (th) | กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสแบบฟิล์มบางของเมมเบรนลอย | |
| TH82406A (th) | กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสแบบฟิล์มบางของเมมเบรนลอย | |
| RU2544864C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы датчика механических величин | |
| Wang et al. | The micro hydrogen sensor chip with low power consumption |