TH72471B - กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสแบบฟิล์มบางของเมมเบรนลอย - Google Patents
กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสแบบฟิล์มบางของเมมเบรนลอยInfo
- Publication number
- TH72471B TH72471B TH601001009A TH0601001009A TH72471B TH 72471 B TH72471 B TH 72471B TH 601001009 A TH601001009 A TH 601001009A TH 0601001009 A TH0601001009 A TH 0601001009A TH 72471 B TH72471 B TH 72471B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- piezoresistor
- thin film
- layer
- sensor device
- contact force
- Prior art date
Links
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 7
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims abstract 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 6
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N AI2O3 Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 238000005188 flotation Methods 0.000 abstract 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสที่สร้างขึ้นโดยใช้กระบวนการ physical vapor deposition เป็นหลัก ประกอบด้วยส่วนเมมเบรนลอยอยู่ตรงกลางที่ถูกยึดด้วยแขนยึดจำนวนสองแขนหรือสี่แขน ขึ้นกับการออกแบบ โดยจะมีการสร้างเมมเบรนลอยด้วยวัสดุโลหะราคาถูก เช่น นิเกิ้ล (Ni) อะลูมิเนียม (Al) หรือ ทองแดง (Cu) บนเมมเบรนลอยจะมีชั้นฟิล์มบางของฉนวนไฟฟ้าที่เหมาะสม เช่น Aluminum Nitride ( AIN) Alumina (Al2O3) Silicon Nitride (Si3N4) หรือ Silicon Dioxide (SiO2) ตามด้วยชั้นของฟิล์มบางของ piezoresistor ที่เคลือบอยู่บนแขนยึดแต่ละแขนและจะมีชั้น ฟิล์มบางของโลหะที่เหมาะสม เช่น Cu/Cr เคลือบบนปลายอยู่เพื่อเป็นขั้วไฟฟ้า piezoresistor ใน การประดิษฐ์นี้จะเป็นวัสดุที่เหมาะสมเช่น indium tin oxide (ITO) ที่สร้างด้วยกระบวนการเฉพาะ คือ ion-assisted electron beam evaporation ที่อุณหภูมิต่ำที่สามารถควบคุมพารามิเตอร์ของ กระบวนการเติมไอออนที่เหมาะ สม (ion-assisted deposition parameters) ซึ่งจะทำให้ได้ฟิล์มของ ITO ที่มีคุณสมบัติ piezoresistivity ที่ดีเหมาะสมกับเซนเซอร์วัดแรงที่มีความไวสูง เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสที่สร้างขึ้นโดยใช้กระบวนการ physical vapor deposition เป็นหลัก ประกอบด้วยส่วนเมมเบรนลอยอยู่ตรงกลางที่ถูกยึดด้วยแขนยึดจำนวนสองแขนหรือสี่แขน ขึ้นกับการออกแบบ โดยจะมีการสร้างเมมเบรนลอยด้วยวัสดุโลหะราคาถูก เช่น นิเกิ้ล (Ni) อะลูมิเนียม (Al) หรือ ทองแดง (Cu) บนเมมเบรนลอยจะมีชั้นฟิล์มบางของฉนวนไฟฟ้าที่เหมาะสม เช่น Aluminum Nitride ( AIN) Alumina (Al2O3) Silicon Nitride (Si3N4) หรือ Silicon Dioxide (SiO2) ตามด้วยชั้นของฟิล์มบางของ piezoresistor ที่เคลือบอยู่บนแขนยึดแต่ละแขนละแขนและจะมีชั้น ฟิล์มบางของโลหะที่เหมาะสม เช่น Cu/Cr เคลือบบนปลายอยู่เพื่อเป็นขั้วไฟฟ้า piezoresistor ใน การประดิษฐ์นี้จะเป็นวัสดุที่เหมาะสมเช่น indium tin oxide (ITO) ที่สร้างด้วยกระบวนการเฉพาะ คือ ion-assisted electron beam evaporation ที่อุณหภูมิต่ำที่สามารถควบคุมพารามิเตอร์ของ กระบวนการเติมไอออนที่เหมาะ สม (ion-assisted deposition parameters) ซึ่งจะทำให้ได้ฟิล์มของ ITO ที่มีคุณสมบัติ piezoresistivity ที่ดีเหมาะสมกับเซนเซอร์วัดแรงที่มีความไวสูง
Claims (9)
1. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสแบบอาร์เรย์ที่สร้างขึ้นโดยกระบวนการ Electro- Fabrication โดยที่มีโครงสร้างเป็น piezoresistor ที่มีอยู่บนแขนวัดแรงของเมมเบรนลอย ที่ประกอบด้วย ขั้นตอนของ - การจัดให้มีแผ่นฐาน (3) ที่ประกอบด้วยผิวหน้าที่หนึ่งและสอง - การสร้างชั้น sacrificial layer (9) บนแผ่นฐานดังกล่าว - การสร้างเมมเบรนลอย (1) ด้วยโลหะทับลงบนแผ่นฐาน (3) และชั้น sacrificial layem (9) ดังกล่าว โดยที่เมมเบรนลอยดังกล่าวยังประกอบด้วยแขนยึด (2) อย่างน้อยสองแขนซึ่งถูกยึดติด กับแผ่นฐาน (3) ดังกล่าว และมีส่วนหนึ่งของเมมเบรนลอยอยู่เหนือผิวหน้าที่หนึ่งของแผ่นฐาน (3) ดังกล่าว และเมมเบรนดังกล่าวมีผิวหน้าเป็นหยักลอน - การปลูกชั้นฉนวนฟิล์มบาง (4) บนเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าว เพื่อเป็นฉนวนไฟฟ้า - การปลูกชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (5) ที่ถูกสร้างบนแขนยึด (2) ดังกล่าวทุกแขน - การสร้างขั้วไฟฟ้า (6) อย่างน้อยสองขั้วสำหรับ piezoresistor (5) แต่ละตัว โดยขั้วไฟฟ้า (6) ดังกล่าวจะถูกสร้างอยู่บนชั้น piezoresistor (5) ดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่เป็นขั้วเอาต์พุตของอุปกรณ์ เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสดังกล่าว - การกัดละลายชั้น sacrificial layer (9) ออก เพื่อทำให้เกิดช่องว่าง (7) ภายใต้ชั้นเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าว และ - การสร้างแผ่นรับแรงและการสัมผัส (8) ที่วางอยู่บนเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าว โดยที่ในกระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสดังกล่าว มีลักษณะเฉพาะคือ ชั้นของ photoresist (9) ถูกสร้างโดยกระบวนการถ่ายแบบด้วยแสง (photolithography) สำหรับรองรับเมม เบรนลอย (1) ดังกล่าว และโดยที่ขั้นตอนการสร้างเมมเบรนลอย (1) พร้อมกับแถบยึด (2) ดังกล่าว ให้มี ความหนาตามต้องการโดยใช้กระบวนการ evaporation หรือ sputtering และการกำจัด photoresist (9) ดังกล่าวออกไป เพื่อทำให้เกิดช่องว่าง (7) ดังกล่าวระหว่างเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าวกับฐาน (3) ดังกล่าว
2. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งขั้นตอนการปลูกชั้นฟิล์มบาง ของ piezorcsistor (5) ดังกล่าวเป็นกระบวนการ ion-assisted electron beam evaporation
3. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งชั้นฟิล์มโลหะบางของ เมมเบรนลอย (1) ดังกล่าว มีความหนาอยู่ระหว่าง 250 - 3000 นาโนเมตร
4. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชั้นฟิล์ม โลหะบางของเมมเบรนลอย (1) มีการสร้างโครงสร้างตรงกลางให้มีลักษณะหยักลอน โดยมีความหนา อยู่ระหว่าง 250 - 3000 นาโนเมตร
5. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ขั้นตอน ของการสร้างชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการ evaporation
6. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ขั้นตอน ของการสร้างชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการ sputtering
7. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 6 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ขั้นตอน การสร้างชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (5) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการ ion-assisted electron beam evaporation
8. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 โดยที่ขั้นตอนการสร้าง ขั้วไฟฟ้าของฟิล์มบางของ piezoresistor (6) อย่างน้อยสองขั้ว บนชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (5) ดังกล่าว ด้วยโลหะกระทำด้วยกระบวนการ evaporation
9. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 โดยที่ขั้นตอนการสร้าง ขั้วไฟฟ้าของฟิล์มบางของ piezoresistor (6) อย่างน้อยสองขั้ว บนชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (5) ดังกล่าว ด้วยโลหะกระทำด้วยกระบวนการ sputtering 1
0. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ยังประกอบเพิ่มด้วย ขั้นตอนของ การกัดชั้นของ photoresist (9) ออกเพื่อให้เกิดช่องว่าง (7) ดังกล่าว 1
1. อุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัส ที่ได้จากกระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ถึง 10 ข้อใดข้อหนึ่ง -------------------------
1. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสแบบอาร์เรย์ที่สร้างขึ้นโดยกระบวนการ Electro-Fabrication โดยที่มีโครงสร้างเป็น piezoresistor ที่มีอยู่บนแขนวัดแรงของเมม เบรนลอย ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ - การจัดให้มีแผ่นฐาน (3) ที่ประกอบด้วยผิวหน้าที่หนึ่งและสอง - การสร้างชั้น sacrificial layer (9) บนแผ่นฐานดังกล่าว - การสร้างเมมเบรนลอย (1) ด้วยโลหะทับลงบนแผ่นฐาน (3) และชั้น sacrificial layer (9) ดังกล่าว โดยที่เมมเบรนลอยดังกล่าวยังประกอบด้วยแขนยึด (2) อย่าง น้อยสองแขนซึ่งจะถูกยึดติดกับแผ่นฐาน (3) ดังกล่าว และมีส่วนหนี่งของเมม เบรนลอยอยู่เหนือผิวหน้าที่หนึ่งของแผ่นฐาน (3) ดังกล่าว และเมมเบรนดังกล่าวมี ผิวหน้าเป็นหยักลอน - การปลูกชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) บนเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าว เพื่อเป็น ฉนวนไฟฟ้า - การปลูกชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (5) ที่ถูกสร้างบนแขนยึด (2) ดังกล่าวทุก แขน - การสร้างขั้วไฟฟ้า (6) อย่างน้อยสองขั้วสำหรับ piezoresistor (5) แต่ละตัว โดย ขั้วไฟฟ้า (6) ดังกล่าวจะถูกสร้างอยู่บนชั้น piezoresistor (5) ดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ เป็นขั้วเอาต์พุตของอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสดังกล่าวดังกล่าว - การกัดละลายชั้น sacrificial layer (9) ออก เพื่อทำให้เกิดช่องว่าง (7) ภายใต้ชั้นเมม เบรนลอย (1) ดังกล่าว และ - การสร้างแผ่นรับแรงและการสัมผัส(8) ที่วางอยู่บนเมมเบรนลอย(1) ดังกล่าว โดยที่กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสดังกล่าวมีลักษณะเฉพาะคือ ชั้นของ photoresist (9) ถูกสร้างโดยกระบวนการถ่ายแบบด้วยแสง (photolithography)สำหรับการ รองรับเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าว และโดยที่ขั้นตอนการสร้างเมมเบรนลอย (1) พร้อมกับแถบยึด (2) ดังกล่าวให้มีความหนาตามต้องการใช้กระบวนการ evaporation หรือ sputtering และ การ กำจัดชั้น photoresist (9) ดังกล่าวออกไป เพื่อทำให้เกิดช่องว่าง (8) ดังกล่าวระหว่างเมม เบรนลอย (1) ดังกล่าวกับชั้นฐาน (3) ดังกล่าว
2. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งขั้นตอนการปลูกชั้น ฟิล์มบางของ piezoresistor (5) ดังกล่าวเป็นกระบวนการ ion-assisted electron beam evaporation
3. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งชั้นฟิล์มโลหะบาง ของเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าวมีความหนาอยู่ระหว่าง 250 - 3000 นาโนเมตร
4. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งชั้นฟิล์มโลหะบาง ของเมมเบรนลอย (1) มีการสร้างโครงสร้างตรงกลางให้มีลักษณะหยักลอนโดยมีความหนา อยู่ระหว่าง 250 - 3000 นาโนเมตร
5. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิข้อที่ 1-3 ที่ซึ่งชั้นตอนของการ สร้างชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการ evaporation
6. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิข้อที่ 1-3 โดยที่ขั้นตอนการสร้าง ชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการ sputtering
7. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิข้อที่ 1-5 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ ขั้นตอนมีการสร้างชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (5) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการ ion- assisted electron beam evaporation
8. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 โดยที่ขั้นตอนการ สร้างขั้วไฟฟ้าของฟิล์มบางของ piezoresistor (6) อย่างน้อยสองขั้ว บนชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (5) ดังกล่าวด้วยโลหะกระทำด้วยกระบวนการ evaporation
9. กระบวนการผลิตอุปกรณ์แซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 โดยที่ขั้นตอนการ สร้างขั้วไฟฟ้าของฟิล์มบางของ piezoresistor (6) อย่างน้อยสองขั้ว บนชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (5) ดังกล่าวด้วยโลหะกระทำด้วยกระบวนการ sputtering 1
0. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ยังประกอบเพิ่มด้วย ขั้นตอนของการกัดชั้นของ photoresist (9) ออกเพื่อให้เกิดช่องว่าง (7) ดังกล่าว
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH82406A TH82406A (th) | 2007-01-11 |
| TH82406B TH82406B (th) | 2019-07-29 |
| TH72471B true TH72471B (th) | 2019-11-08 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02290524A (ja) | 半導体ウエーハ及びその形成法とトランスジューサ及びその製法 | |
| JPH04506253A (ja) | 半導体トランスジューサまたは波形状支持部を用いるアクチュエータ | |
| WO2010090839A4 (en) | Fabrication of mems based cantilever switches by employing a split layer cantilever deposition scheme | |
| JP2013057616A (ja) | 環境センサ | |
| JP3315730B2 (ja) | ピエゾ抵抗半導体センサ・ゲージ及びこれを作る方法 | |
| JP3604243B2 (ja) | 静電容量型トランスデューサ | |
| KR20090081195A (ko) | 금속 압력다이어프램이 구비된 압력측정센서 및 상기압력측정센서의 제조방법 | |
| KR100432465B1 (ko) | 박막 피에조 저항 센서 및 그 제조 방법 | |
| CN113075726A (zh) | 水听器及其制造方法 | |
| TH72471B (th) | กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสแบบฟิล์มบางของเมมเบรนลอย | |
| TH82406A (th) | กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสแบบฟิล์มบางของเมมเบรนลอย | |
| CN112479151A (zh) | 多传感器层的制作方法、多传感器芯片及其制作方法 | |
| CN1846118A (zh) | 流量传感器 | |
| TWI260938B (en) | Dynamic pressure sensing structure | |
| KR101519033B1 (ko) | 다수의 구멍을 가진 마이크로히터를 이용한 ｍｅｍｓ형 반도체식 가스 센서 및 그 제조 방법 | |
| CN112710405B (zh) | 一种温度传感器 | |
| US20170365770A1 (en) | Electromechanical actuator | |
| KR101992022B1 (ko) | 반도체식 가스센서 | |
| KR100619478B1 (ko) | 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자 및 그 제조 방법 | |
| JP2006284343A (ja) | 高分子膜の体積膨張に伴うストレス変化を利用した湿度センサー | |
| JP2010247266A (ja) | 薄膜構造体及びこれを用いたデバイス | |
| TWI373615B (th) | ||
| TH71510B (th) | กระบวนการผลิตอุปกรณ์ตรวจจับก๊าซแบบฟิล์มบางบนตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย | |
| TH93201A (th) | กระบวนการผลิตอุปกรณ์ตรวจจับก๊าซแบบฟิล์มบางบนตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย | |
| US20100233029A1 (en) | Compensated membrane capacitive bio-chemical sensor |