TH71510B - Manufacturing process of thin film gas detectors on floating membrane heaters - Google Patents

Manufacturing process of thin film gas detectors on floating membrane heaters

Info

Publication number
TH71510B
TH71510B TH601000559A TH0601000559A TH71510B TH 71510 B TH71510 B TH 71510B TH 601000559 A TH601000559 A TH 601000559A TH 0601000559 A TH0601000559 A TH 0601000559A TH 71510 B TH71510 B TH 71510B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
thin film
floating membrane
layer
aforementioned
heater
Prior art date
Application number
TH601000559A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH93201B (en
TH93201A (en
Inventor
วิศิษฎ์สรอรรถ นายอนุรัตน์
Original Assignee
นางรัชดา เรืองสิน
นางรัชดา เรืองสิน นางสาวสมรลักษณ์ แจ่มแจ้ง นางสาวรัตนากร แสนศักดิ์ นายอานนท์ จินดาดวง นางสาววราภรณ์ นวลแปง นายสุธางค์ สวัสดี
นางสาวรัตนากร แสนศักดิ์
นางสาววราภรณ์ นวลแปง
นางสาวสมรลักษณ์ แจ่มแจ้ง
นายสุธางค์ สวัสดี
นายอานนท์ จินดาดวง
Filing date
Publication date
Application filed by นางรัชดา เรืองสิน, นางรัชดา เรืองสิน นางสาวสมรลักษณ์ แจ่มแจ้ง นางสาวรัตนากร แสนศักดิ์ นายอานนท์ จินดาดวง นางสาววราภรณ์ นวลแปง นายสุธางค์ สวัสดี, นางสาวรัตนากร แสนศักดิ์, นางสาววราภรณ์ นวลแปง, นางสาวสมรลักษณ์ แจ่มแจ้ง, นายสุธางค์ สวัสดี, นายอานนท์ จินดาดวง filed Critical นางรัชดา เรืองสิน
Publication of TH93201B publication Critical patent/TH93201B/en
Publication of TH93201A publication Critical patent/TH93201A/en
Publication of TH71510B publication Critical patent/TH71510B/en

Links

Abstract

ก๊าชเซนเซอร์แบบฟิล์มบางบนตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย ซึ่งทำจากกระบวนการphysical vapor deposition เป็นหลัก โดยจะมีการสร้างเมมเบรนลอยของตัวทำความร้อนที่ทำด้วยวัสดุ NiChrom (Ni80%Cr20%) หรือ Titanium Nitride (TiN) ทางด้านบนของแผ่นฐาน บนเมมเบรนลอยจะมีชั้นฟิล์มบางของฉนวนไฟฟ้าที่เหมาะสม เช่น Aluminum Nitride (AIN) Alumina(A12Oj) Silicon Nitride (Si3N4) หรือ Silicon Dioxide (SiO2) ตามด้วยชั้นของฟิล์มบางของขั้วไฟฟ้าของเซนเชอร์ ซึ่งเป็นชั้นฟิล์มบางของโลหะที่เหมาะสม เช่น Au/Cr และจะมีชั้นฟิล์มบาง metaloxide เคลือบอยู่เหนือขั้วไฟฟ้าของเซนเชอร์ โดยกระบวนการ ion-assisted electron beamevaporation: Thin-film sensor gas on a floating membrane heater This is mainly made by physical vapor deposition process. The heating membrane is formed by NiChrom (Ni80% Cr20%) or Titanium Nitride (TiN) on top of the base plate. On the flotation membrane, there is a thin film layer of suitable electrical insulation, such as Aluminum Nitride (AIN), Alumina (A12Oj), Silicon Nitride (Si3N4) or Silicon Dioxide (SiO2), followed by a thin film layer of the senser electrode. This is a suitable metal thin film layer such as Au / Cr and a thin metaloxide layer is coated over the Sencher electrode by an ion-assisted electron beamevaporation process:

Claims (8)

1. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าชเซนเซอร์ประกอบด้วย - การจัดให้มีแผ่นฐาน (3) ที่ประกอบด้วยผิวหน้าที่หนึ่งและสอง - การจัดให้มีตัวทำความร้อนชนิดเมมเบรนลอย (1) ที่ถูกสร้างจากโลหะและมีส่วนหนึ่งลอยอยู่เหนือผิวหน้าที่หนึ่งของแผ่นฐาน (3) ดังกล่าว โดยมีช่องว่าง (8) อยู่ระหว่างนั้น โดยที่ตัวทำความร้อนดังกล่าวยังประกอบด้วยแถบยึด (2) อย่างน้อยสองจุดเพื่อการยึดตัวทำความร้อนชนิดเมมเบรนลอย (1) ตังกล่าวให้ติดกับแผ่นฐาน (3) ดังกล่าว - การจัดให้มีชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ที่ถูกสร้างอยู่บนตัวทำความร้อนชนิดเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าว เพื่อเป็นฉนวนไฟฟ้า - การจัดให้มีขั้วไฟฟ้าของฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (5) อย่างน้อยสองขั้ว ที่สร้างอยู่บนชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ตังกล่าว เพื่อทำหน้าที่เป็นขั้วเอาต์พุตของอุปกรณ์ก๊าซเซนเซอร์ดังกล่าว - การจัดให้มีชั้นฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (7) ที่สร้างจากวัสดุที่มีคุณสมบัติเปลี่ยนสภาพการนำไฟฟ้าตามการทำปฏิกิริยาเคมีกับก๊าซเฉพาะที่ต้องการจะวัดโดยชั้นฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (7) ตังกล่าวถูกจัดวางอยู่บนขั้วไฟฟ้าของฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (5) อย่างน้อยสองขั้วดังกล่าว และ - การจัดให้มีขั้วไฟฟ้าของตัวทำความร้อน (6) ที่ถูกสร้างขึ้นบนผิวหน้าของแถบยึด (2) ดังกล่าวของ ตัวทำความร้อนชนิดเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าว เพื่อจ่ายกระแสไฟฟ้าให้กับตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย(1) ดังกล่าว โดยที่กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าชเซนเซอร์ดังกล่าวมีลักษณะเฉพาะคือ ในขั้นตอนการจัดให้มีตัวทำความร้อนชนิดเมมเบรนลอย (1)ดังกล่าว ประกอบด้วยขั้นตอนของ - การสร้างชั้นของสารไวแสง (photoresist) (9) โดยกระบวนการถ่ายแบบด้วยแสง (photolithography) เป็นแท่งสีเหลี่ยมหรือรูปร่างอื่นๆที่ใกล้เคียงสำหรับการรองรับเมมเบรนลอย(1)ดังกล่าว - การสร้างเมมเบรนลอยของตัวทำความร้อน (1) พร้อมกับแถบยึด (2) ตังกล่าวให้มี ความหนาตามต้องการด้วยกระบวนการการระเหย (evaporation) หรือสปัตเตอริ่ง (sputtering) และ การกำจัดชั้นสารไวแสง (photoresist) (9) ดังกล่าวออกไป เพื่อทำให้เกิดช่องว่าง(8) ดังกล่าวระหว่างตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย (1) ดังกล่าวกับชั้นฐาน (3)ดังกล่าว1. The manufacturing process of the sensor gas device consists of - arrangement of a base plate (3) consisting of one and two faces - arrangement of a floating membrane heater (1) that is made of metal and has an integral part. One floats above one surface of the base plate (3), with a gap (8) in between. The heater also contains at least two mounting tabs (2) for fixing the floating membrane heaters (1) to the aforementioned base plate (3). Thin-film insulating layer (4) built on such floating membrane heaters (1) to provide electrical insulation - at least metal oxide thin film electrodes (5). Bipolar These sensors are built on a thin-film insulating layer (4) to serve as the output terminals of such gas sensor devices - providing a thin film layer of metal oxide (7) formed from a material with a transition property. The conductivity according to the chemical reaction with the desired specific gas is measured by a thin film layer of metal oxide (7), which is placed on at least two of the two metal oxide thin film electrodes (5). And - the arrangement of the heater electrodes (6) built on the surface of the aforementioned mounting tabs (2) of the aforementioned floating membrane heaters (1) to supply electric current. With the aforementioned floating membrane heaters (1), where the gas sensor equipment manufacturing process is characterized by In the process of providing a floating membrane heater (1), it consists of the process of - creating a layer of photosensitive. (photoresist) (9) by the process of phototherapy. (Photolithography) is a rectangular rod or similar shape for the support of a floating membrane (1) such - construction of a heater's floating membrane (1) with mounting tabs (2). Say to have Required thickness with evaporation process (evaporation) or sputtering (sputtering) and removal of the photosensitive layer. (photoresist) (9) such away To create such a gap (8) between the aforementioned floating membrane heaters (1) and the aforementioned base layer (3). 2. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าชเซนเซอร์ในข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ชํ่งชั้นฟิล์มโลหะบางของเมมเบรนลอยของตัวทำความร้อน (1) ดังกล่าวมีความหนาอยู่ระหว่าง 250 - 3000 นาโนเมตร2. The production process of the sensor gas device in claim 1 is that the thin metal film layer of the aforementioned heating membrane (1) has a thickness of 250 - 3000 nm. 3. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าซเซนเชอร์ในข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 โดยที่ขั้นตอนของการสร้างชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการการระเหย (evaporation)3. The gas sensor manufacturing process in claim 1 or 2, where the process of creating such thin film insulating layer (4) is performed by evaporation process. (evaporation) 4. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าซเซนเซอร์ในข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 โดยที่ขั้นตอนการสร้างชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการสป็ตเตอรึง (sputtering)4. The gas sensor equipment manufacturing process in claim 1 or 2, wherein the aforementioned thin film insulating layer (4) is made by sputtering. 5. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าซเซนเชอร์ในข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2โดยที่ขั้นตอนการสร้างขั้วไฟฟ้าของฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (5) อย่างน้อยสองขั้ว บนชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ดังกล่าวพร้อมกับขั้วไฟฟ้าของตัวทำความร้อน (6) อย่างน้อยสองขั้ว ด้วยโลหะกระทำด้วยกระบวนการการระเหย (evaporation)5. Gas sensor manufacturing process in claim 1 or 2, where at least two (5) metal oxide thin film electrodes (5) electrode construction process. On such thin-film insulating layer (4) with at least two heater electrodes (6). With metals, by means of evaporation (evaporation) 6. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าชเชนเชอร์ในข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2โดยที่ขั้นตอนการสร้างขั้วไฟฟ้าของฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (5) อย่างน้อยสองขั้ว บนชั้นฉนวนชนิดฟิล์มบาง (4) ดังกล่าวพร้อมกับขั้วไฟฟ้าของตัวทำความร้อน (6) อย่างน้อยสองขั้ว ด้วยโลหะกระทำดวยกระบวนการสป็ตเตอรึง (sputtering)6.Process of manufacture of the gas changer device in claim 1 or 2, where at least two (5) metal oxide thin film electrodes are constructed. On such thin-film insulating layer (4) with at least two heater electrodes (6). With metal, done by a sputtering process 7. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าซเชนเชอร้ในข้อถือสิทธิที่ 1-6 ข้อใดข้อหนํ่ง โดยที่ขั้นตอนมีการสร้างชั้นฟิล์มบางของออกไซด์ของโลหะ (7) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการไอออนแอสซิสเทต อเลกตรอน บม อวาโพเรชัน (ion-assisted electron beam evaporation)7. Process of production of such gas equipment in any Clause 1-6 Clause. The thin film of metal oxides (7) is formed by ion-assisted electron beam evaporation process. 8. กระบวนการผลิตอุปกรณ์ก๊าซเซนเชอร์ในข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ยังประกอบเพิ่มด้วยขั้นตอนของการกัดชั้นของสารไวแสง (photoresist) (9) ออกเพื่อให้เกิดช่องว่าง (8) ดังกล่าว8. The process of manufacturing the gas sensor device in claim 1 also adds to the process of etching the photosensitive layer. (photoresist) (9) exit to make such a gap (8).
TH601000559A 2006-02-09 Manufacturing process of thin film gas detectors on floating membrane heaters TH71510B (en)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH93201B TH93201B (en) 2009-01-30
TH93201A TH93201A (en) 2009-01-30
TH71510B true TH71510B (en) 2019-09-13

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106841314B (en) One kind being based on nano-TiO2Low-power consumption micro-nano gas sensor and preparation method
KR101019576B1 (en) Humidity sensor having anodic aluminum oxide layer and fabricating method thereof
JPH10501068A (en) Gas sensor for reducing or oxidizing gas
US10697920B2 (en) Gas sensor
CN102070118A (en) Micro-heating plate for metal oxide semiconductor nano-film gas sensor
JP5609919B2 (en) Micro heater element
JP2019158358A (en) Sensor element and gas sensor including the same
TH71510B (en) Manufacturing process of thin film gas detectors on floating membrane heaters
TH93201A (en) Manufacturing process of thin film gas detectors on floating membrane heaters
JP6451395B2 (en) Sensor element
KR101573638B1 (en) Microheater using stacked layer structure of graphene and hexagonal boron nitride and method for manufacturing the same
CN1846118A (en) Flow sensor
KR20020069323A (en) Metal resistor device and method for manufacturing the same
JPH0213739B2 (en)
TWI823643B (en) Calibration method of temperature of graphene heating wafer
JPH0618465A (en) Complex sensor
CN115436436B (en) FET gas sensor and processing method thereof
KR20160147161A (en) Method of manufacturing for flux and pressure detection board
KR20190045629A (en) Semiconductor gas sensor
US20240328979A1 (en) Gas sensor and method of detecting gas
TH72471B (en) Manufacturing Process of Floating Membrane Thin Film Contact Sensors
TH82406A (en) Manufacturing Process of Floating Membrane Thin Film Contact Sensors
RU2544864C1 (en) Method of manufacturing of thin film nano- and microelectromechanical system of mechanical values transmitter
TH76200B (en) "Thin-film sensor gas on a floating membrane heater made of a process Electro-Fabrication (E-Fab) and the process of manufacturing the equipment.
JPH04218777A (en) Micro flow sensor and manufacture thereof