TH56882B - สารผสมแอลคาลินที่ถูกทำให้เสถียรแล้วสำหรับทำความสะอาดไมโครอิเล็คทริค ซับสเทรท - Google Patents
สารผสมแอลคาลินที่ถูกทำให้เสถียรแล้วสำหรับทำความสะอาดไมโครอิเล็คทริค ซับสเทรทInfo
- Publication number
- TH56882B TH56882B TH101004171A TH0101004171A TH56882B TH 56882 B TH56882 B TH 56882B TH 101004171 A TH101004171 A TH 101004171A TH 0101004171 A TH0101004171 A TH 0101004171A TH 56882 B TH56882 B TH 56882B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- approximately
- weight
- approx
- selectively
- bath
- Prior art date
Links
Abstract
การประดิษฐ์ให้สารผสมแอคเควียส แอลคาลินที่ใช้ประโยชน์ในอุตสาหกรรมไมโคร อิเล็คโทรนิคสำหรับสทริพพิง หรือทำความสะอาดเซมิคอนดัคเตอร์ เวเฟอร์ ซับสเทรทโดยกำจัด โฟโทรีซิสท์ตกค้าง และสารปนเปื้อนอื่นที่ไม่ต้องการ โดยทั่วไปสารผสมมี (a) เบสที่ปราศจาก ไอออนของโลหะหนึ่งชนิด หรือมากกว่าในปริมาณที่เพียงพอจะผลิตพีเอชจากประมาณ 10-13 และ สารทำให้เสถียรในอ่างหนึ่งชนิด หรือมากกว่าที่มี pKa อย่างน้อยหนึ่งค่าในช่วง 10-13 เพื่อรักษา พีเอชนี้ไว้ในระหว่างใช้; (b) ซิลิเคทที่ปราศจากไอออนของโลหะที่ละลายน้ำได้ประมาณ 0.01% ถึง ประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (คำนวณเป็น % ของ SiO2) อย่างเลือกได้; (c) สารก่อคีเลทหนึ่งชนิด หรือ มากกว่าประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 10% โดยน้ำหนักอย่างเลือกได้; (d) ตัวทำลายอินทรีย์ร่วมที่ ละลายน้ำได้หนึ่งชนิด หรือมากกว่าประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 80% โดยน้ำหนักอย่างเลือกได้ และ (e) สารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 1% โดยน้ำหนักอย่างเลือกได้
Claims (2)
1. สารผสมแอคเควียสอัลคาไลน์สำหรับสทริพพิง หรือทำความสะอาดซับสเทรทของวงจร รวมที่ประกอบรวมด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะหนึ่งชนิด หรือมากกว่าในปริมาณที่เพียงพอที่จะผลิต พีเอชของสารผสมจาก 11 หรือมากกว่า (b) ปริมาณที่มีประสิทธิภาพในการทำให้เสถียรในอ่างน้ำยาของสารทำให้เสถียรในอ่างน้ำยา (bath) ที่ ประกอบรวมด้วยสารประกอบที่เป็นกรดที่มี pKa อย่างน้อยหนึ่งค่าในช่วง 11 ถึง 13 (c) น้ำ และ (d) ซิลิเคทที่ปราศจากไอออนของโลหะที่ละลายน้ำได้จาก 0.01% ถึง 5% โดยน้ำหนักของสารผสม
2. สารผ:
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH56882B true TH56882B (th) | 2003-06-20 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| HK1062310A1 (en) | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates | |
| MY121446A (en) | Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates | |
| US6755989B2 (en) | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate | |
| JP4522408B2 (ja) | マイクロエレクトロニクス用のストリッピングおよび洗浄組成物 | |
| KR100323326B1 (ko) | 플라즈마 에칭 잔류물 제거용 비부식성 세정 조성물 | |
| EP3089200A1 (en) | Titanium nitride hard mask and etch residue removal | |
| WO2002004233A8 (en) | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
| US20040147421A1 (en) | Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials | |
| ATE420941T1 (de) | Chemische spülzusammensetzung | |
| CN1966636B (zh) | 清洗液组合物 | |
| US20070066508A1 (en) | Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing | |
| DE60238244D1 (de) | Wässriges reinigungsmittel mit kupferspezifischem korrosionsschutzmittel zur abreinigung anorganischer reste von halbleitersubstraten | |
| TH56882B (th) | สารผสมแอลคาลินที่ถูกทำให้เสถียรแล้วสำหรับทำความสะอาดไมโครอิเล็คทริค ซับสเทรท | |
| JP2003142461A (ja) | 半導体製造プロセス用ドライエッチング残渣除去液 | |
| TW491014B (en) | Low species buffered rinsing fluids and methods | |
| JP2007311729A (ja) | 基板洗浄液 | |
| JP2002510752A (ja) | フォトレジストとプラズマエッチ残滓の除去方法 | |
| MY124511A (en) | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates. | |
| EP1139401A1 (en) | Composition for removing sidewall and method of removing sidewall | |
| KR20070023954A (ko) | 기판의 세정 방법 | |
| JP2003297790A (ja) | 半導体基板の処理液および処理方法 |