TH56882B - Stabilized alkaline mixtures for cleaning micro-electric substrates - Google Patents
Stabilized alkaline mixtures for cleaning micro-electric substratesInfo
- Publication number
- TH56882B TH56882B TH101004171A TH0101004171A TH56882B TH 56882 B TH56882 B TH 56882B TH 101004171 A TH101004171 A TH 101004171A TH 0101004171 A TH0101004171 A TH 0101004171A TH 56882 B TH56882 B TH 56882B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- approximately
- weight
- approx
- selectively
- bath
- Prior art date
Links
Abstract
การประดิษฐ์ให้สารผสมแอคเควียส แอลคาลินที่ใช้ประโยชน์ในอุตสาหกรรมไมโคร อิเล็คโทรนิคสำหรับสทริพพิง หรือทำความสะอาดเซมิคอนดัคเตอร์ เวเฟอร์ ซับสเทรทโดยกำจัด โฟโทรีซิสท์ตกค้าง และสารปนเปื้อนอื่นที่ไม่ต้องการ โดยทั่วไปสารผสมมี (a) เบสที่ปราศจาก ไอออนของโลหะหนึ่งชนิด หรือมากกว่าในปริมาณที่เพียงพอจะผลิตพีเอชจากประมาณ 10-13 และ สารทำให้เสถียรในอ่างหนึ่งชนิด หรือมากกว่าที่มี pKa อย่างน้อยหนึ่งค่าในช่วง 10-13 เพื่อรักษา พีเอชนี้ไว้ในระหว่างใช้; (b) ซิลิเคทที่ปราศจากไอออนของโลหะที่ละลายน้ำได้ประมาณ 0.01% ถึง ประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (คำนวณเป็น % ของ SiO2) อย่างเลือกได้; (c) สารก่อคีเลทหนึ่งชนิด หรือ มากกว่าประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 10% โดยน้ำหนักอย่างเลือกได้; (d) ตัวทำลายอินทรีย์ร่วมที่ ละลายน้ำได้หนึ่งชนิด หรือมากกว่าประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 80% โดยน้ำหนักอย่างเลือกได้ และ (e) สารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 1% โดยน้ำหนักอย่างเลือกได้ The invention of the compound act Alkalins for use in the micro industry Electronic for Striping Or clean the semiconductor wafer substrate by removing Residual photoresist And other unwanted contaminants Mixtures generally contain (a) free bases. A metal ion A sufficient amount of pH is produced from approximately 10-13 and a stabilizer in one bath. Or more containing at least one pKa in the range 10-13 to maintain this pH during use; (b) Selective silicate of dissolved metal ions of approximately 0.01% to approximately 5% by weight (calculated as% of SiO2) selectively; (c) One or more chelating agents approximately 0.01% to approximately 10% by weight selectively; (d) Co-organic solvent Soluble in one kind Or greater, approx. 0.01% to approx. 80% by selectable weight, and (e) 0.01% to approx. 1% water-soluble surfactant by selectable weight.
Claims (2)
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH56882B true TH56882B (en) | 2003-06-20 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
IL155429A0 (en) | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates | |
MY121446A (en) | Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates | |
US6755989B2 (en) | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate | |
JP4522408B2 (en) | Stripping and cleaning compositions for microelectronics | |
KR100323326B1 (en) | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues | |
EP3089200A1 (en) | Titanium nitride hard mask and etch residue removal | |
WO2002004233A8 (en) | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
US20040147421A1 (en) | Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials | |
CN1966636B (en) | Cleaning liquid composition | |
US6245155B1 (en) | Method for removing photoresist and plasma etch residues | |
KR100874173B1 (en) | An aqueous cleaning composition containing a copper specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates. | |
TH56882B (en) | Stabilized alkaline mixtures for cleaning micro-electric substrates | |
JP2003142461A (en) | Dry etching residue removing liquid for semiconductor manufacturing process | |
JP4122171B2 (en) | Resist residue remover or cleaning agent for semiconductor device or liquid crystal device manufacturing process | |
JP2007311729A (en) | Substrate cleaning solution | |
EP1139401B1 (en) | Composition for removing sidewall and method of removing sidewall | |
MY124511A (en) | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates. | |
JP2002510752A (en) | Method for removing photoresist and plasma etch residue | |
KR20070023954A (en) | Method for cleaning a substrate | |
JP2003297790A (en) | Treatment liquid and treatment method of semiconductor substrate |