TH56882B - Stabilized alkaline mixtures for cleaning micro-electric substrates - Google Patents

Stabilized alkaline mixtures for cleaning micro-electric substrates

Info

Publication number
TH56882B
TH56882B TH101004171A TH0101004171A TH56882B TH 56882 B TH56882 B TH 56882B TH 101004171 A TH101004171 A TH 101004171A TH 0101004171 A TH0101004171 A TH 0101004171A TH 56882 B TH56882 B TH 56882B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
approximately
weight
approx
selectively
bath
Prior art date
Application number
TH101004171A
Other languages
Thai (th)
Inventor
ซี. สกี นายเดวิด
Original Assignee
อแวนเทอร์ เพอร์ฟอร์แมนซ์ แมทีเรียลส์ อิงค์
Filing date
Publication date
Application filed by อแวนเทอร์ เพอร์ฟอร์แมนซ์ แมทีเรียลส์ อิงค์ filed Critical อแวนเทอร์ เพอร์ฟอร์แมนซ์ แมทีเรียลส์ อิงค์
Publication of TH56882B publication Critical patent/TH56882B/en

Links

Abstract

การประดิษฐ์ให้สารผสมแอคเควียส แอลคาลินที่ใช้ประโยชน์ในอุตสาหกรรมไมโคร อิเล็คโทรนิคสำหรับสทริพพิง หรือทำความสะอาดเซมิคอนดัคเตอร์ เวเฟอร์ ซับสเทรทโดยกำจัด โฟโทรีซิสท์ตกค้าง และสารปนเปื้อนอื่นที่ไม่ต้องการ โดยทั่วไปสารผสมมี (a) เบสที่ปราศจาก ไอออนของโลหะหนึ่งชนิด หรือมากกว่าในปริมาณที่เพียงพอจะผลิตพีเอชจากประมาณ 10-13 และ สารทำให้เสถียรในอ่างหนึ่งชนิด หรือมากกว่าที่มี pKa อย่างน้อยหนึ่งค่าในช่วง 10-13 เพื่อรักษา พีเอชนี้ไว้ในระหว่างใช้; (b) ซิลิเคทที่ปราศจากไอออนของโลหะที่ละลายน้ำได้ประมาณ 0.01% ถึง ประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (คำนวณเป็น % ของ SiO2) อย่างเลือกได้; (c) สารก่อคีเลทหนึ่งชนิด หรือ มากกว่าประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 10% โดยน้ำหนักอย่างเลือกได้; (d) ตัวทำลายอินทรีย์ร่วมที่ ละลายน้ำได้หนึ่งชนิด หรือมากกว่าประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 80% โดยน้ำหนักอย่างเลือกได้ และ (e) สารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 1% โดยน้ำหนักอย่างเลือกได้ The invention of the compound act Alkalins for use in the micro industry Electronic for Striping Or clean the semiconductor wafer substrate by removing Residual photoresist And other unwanted contaminants Mixtures generally contain (a) free bases. A metal ion A sufficient amount of pH is produced from approximately 10-13 and a stabilizer in one bath. Or more containing at least one pKa in the range 10-13 to maintain this pH during use; (b) Selective silicate of dissolved metal ions of approximately 0.01% to approximately 5% by weight (calculated as% of SiO2) selectively; (c) One or more chelating agents approximately 0.01% to approximately 10% by weight selectively; (d) Co-organic solvent Soluble in one kind Or greater, approx. 0.01% to approx. 80% by selectable weight, and (e) 0.01% to approx. 1% water-soluble surfactant by selectable weight.

Claims (2)

1. สารผสมแอคเควียสอัลคาไลน์สำหรับสทริพพิง หรือทำความสะอาดซับสเทรทของวงจร รวมที่ประกอบรวมด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะหนึ่งชนิด หรือมากกว่าในปริมาณที่เพียงพอที่จะผลิต พีเอชของสารผสมจาก 11 หรือมากกว่า (b) ปริมาณที่มีประสิทธิภาพในการทำให้เสถียรในอ่างน้ำยาของสารทำให้เสถียรในอ่างน้ำยา (bath) ที่ ประกอบรวมด้วยสารประกอบที่เป็นกรดที่มี pKa อย่างน้อยหนึ่งค่าในช่วง 11 ถึง 13 (c) น้ำ และ (d) ซิลิเคทที่ปราศจากไอออนของโลหะที่ละลายน้ำได้จาก 0.01% ถึง 5% โดยน้ำหนักของสารผสม1. Mixture Acquies Alkaline for Stripping Or cleaning the substrate of the circuit A sum containing (a) a non-ionic base of a metal. Or more in quantities sufficient to produce PH of mixtures from 11 or more (b) the amount of stabilization effective in a bath of stabilizers in a bath containing an acidic compound containing at least one pKa in Range 11 to 13 (c) water and (d) soluble metal ionic silicate from 0.01% to 5% by weight of the mixture. 2. สารผ:2. Compound ingredients:
TH101004171A 2001-10-12 Stabilized alkaline mixtures for cleaning micro-electric substrates TH56882B (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH56882B true TH56882B (en) 2003-06-20

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IL155429A0 (en) Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
MY121446A (en) Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
US6755989B2 (en) Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
JP4522408B2 (en) Stripping and cleaning compositions for microelectronics
KR100323326B1 (en) Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues
EP3089200A1 (en) Titanium nitride hard mask and etch residue removal
WO2002004233A8 (en) Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices
US20040147421A1 (en) Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials
CN1966636B (en) Cleaning liquid composition
US6245155B1 (en) Method for removing photoresist and plasma etch residues
KR100874173B1 (en) An aqueous cleaning composition containing a copper specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates.
TH56882B (en) Stabilized alkaline mixtures for cleaning micro-electric substrates
JP2003142461A (en) Dry etching residue removing liquid for semiconductor manufacturing process
JP4122171B2 (en) Resist residue remover or cleaning agent for semiconductor device or liquid crystal device manufacturing process
JP2007311729A (en) Substrate cleaning solution
EP1139401B1 (en) Composition for removing sidewall and method of removing sidewall
MY124511A (en) Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates.
JP2002510752A (en) Method for removing photoresist and plasma etch residue
KR20070023954A (en) Method for cleaning a substrate
JP2003297790A (en) Treatment liquid and treatment method of semiconductor substrate