TH55991A - การเชื่อมต่อระหว่างกันของฟลิพ ชิพด้วยฟลักซ์ไม่ตกค้าง - Google Patents

การเชื่อมต่อระหว่างกันของฟลิพ ชิพด้วยฟลักซ์ไม่ตกค้าง

Info

Publication number
TH55991A
TH55991A TH0201000735A TH0201000735A TH55991A TH 55991 A TH55991 A TH 55991A TH 0201000735 A TH0201000735 A TH 0201000735A TH 0201000735 A TH0201000735 A TH 0201000735A TH 55991 A TH55991 A TH 55991A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
temperature
solder
chip
substrate
range
Prior art date
Application number
TH0201000735A
Other languages
English (en)
Inventor
เมอิดะ มิชิฮิซะ
Original Assignee
อินเทล คอร์ปอเรชั่น
Filing date
Publication date
Application filed by อินเทล คอร์ปอเรชั่น filed Critical อินเทล คอร์ปอเรชั่น
Publication of TH55991A publication Critical patent/TH55991A/th

Links

Abstract

------20/02/2562------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้าบทสรุปการประดิษฐ์ วิธีการฟลิพ ชิพที่ใช้เชื่อมต่อชิพและซับสเตรทมีเปิดเผยไว้ตัวเชื่อมยึดด้วยความร้อน - การอัดจะถูกนำมาใช้ประโยชน์ในการจัดแนวชิพและซับสเตรท และใช้แรงสัมผัสเพื่อยึดปมตัวบัดกรีอยู่บนซับสเตรทชิดกับปุ่มโลหะบนตัวชิพ ชิพจะถูกทำให้ร้อนอย่างรวดเร็วจากทางด้านที่ไม่ได้ใช้งาน โดยตัวทำความร้อนด้วยพัลส์ในส่วนหัวของตัวเชื่อมยึด จนกระทั่งถึงอุณหภูมิของการหลอมเหลวซํ้าของปุ่มตัวบัดกรี เมื่อใกล้จะถึงอุณหภูมิของการหลอมเหลวซํ้าของปมตัวบัดกรีนั้น แรงสัมผัสจะถูกปลดปล่อย ตัวบัดกรีจะคงอุณหภูมิอยู่เหนืออุณหภูมิหลอมเหลวซ้ำเป็นเวลาหลายวินาที เพื่อทำให้เกิดการเปียกตัวแก่ปุ่มนูนโลหะของซับสเตรทและเชื่อมยึดกัน ฟลักซ์ที่ไม่ตกค้างซึ่งมีอุณหภูมิระเหยตัวต่ำกว่าจุดหลอมเหลวของปุ่มตัวบัดกรีจะถูกนำมาใช้ เพื่อที่จะลดหรือขจัดความจำเป็นที่จะต้องใช้การปฏิบัติการขจัดฟลักซ์หลังจากการเชื่อมต่อระหว่างกัน ------------ วิธีการฟลิพ ชิพที่ใช้เชื่อมต่อชิพและซับสเตรทมีเปิดเผยไว้ ตัวเชื่อมยึดด้วยความร้อน - การอัด จะถูกนำมาใช้จัดแนวชิพและ ซับสเตรท และให้แรงแนบตัวเพื่อยึดปุ่มตัวบัดกรีอยู่บน ซับสเตรทชิดกับ ปุ่มโลหะบนตัวชิพ ชิพจะถูกทำให้ร้อนอย่างรวด เร็วจากทางด้านที่ไม่ได้ใช้งาน โดยตัวทำความร้อน ด้วยพัลส์ ในส่วนหัวของตัวเชื่อมยึด จนกระทั่งถึงอุณหภูมิของการหลอม เหลวซ้ำของปุ่มตัวบัดกรี เมื่อใกล้จะถึงอุณหภูมิของการหลอม เหลวช้ำของปุ่มตัวบัดกรีนั้น จะหยุดให้แรงแนบตัว ตัวบัดกรี จะ คงอุณหภูมิอยู่เหนืออุณหภูมิหลอมเหลวซ้ำเป็นเวลาหลาย วินาที เพื่อทำให้เกิดการเปียกตัวแก่ปุ่มนูน โลหะของ ซับสเตรทและเชื่อมยึดกัน ฟลักซ์ที่ ไม่ตกค้างซึ่งมีอุณหภูมิระเหยตัวต่ำกว่าจุดหลอมเหลว ของปุ่ม ตัวบัดกรีจะถูกนำมาใช้ เพื่อที่จะลดหรือขจัดความจำเป็นที่ จะต้องใช้กระบวนการขจัดฟลักซ์ หลังจากการเชื่อมต่อระหว่าง กัน

Claims (31)

------20/02/2562------(OCR) 1หน้า 1 ของจำนวน 2 หน้าข้อถือสิทธิ 1. วิธีการที่ซึ่งประกอบรวมด้วย การนำเอาซับสเตรทไปอยู่ชิดกับตัวเชื่อมยึดที่หนึ่ง ซับสเตรทที่มีส่วนเคลือบบนนั้นเป็นปุ่มตัวบัดกรีจำนวนหนึ่งและฟลักซ์ โดยปุ่มตัวบัดกรีจะมีจุดหลอมเหลวอยู่ในอุณหภูมิที่หนึ่ง และฟลักซ์มีอุณหภูมิระเหยตัว ที่ซึ่ง ทั้งหมดของสารผสมของฟลักซ์อย่างเป็นสำคัญจะระเหยตัวออกไป โดยอุณหภูมิของการระเหยตัวจะน้อยกว่าหรือเท่ากับอุณหภูมิที่หนึ่ง ตัวเชื่อมยึดที่หนึ่ง ซึ่งจะคงคงอุณหภูมิที่สองต่ำกว่าอุณหภูมิที่หนึ่ง การติดตั้งชิพให้ชิดกับตัวเชื่อมยึดที่สอง ชิพที่มีส่วนนูนโลหะจำนวนหนึ่งประกบติดอยู่ในที่นั้น ตัวเชื่อมยึดที่สองประกบต่อกับตัวทำความร้อน โดยตัวทำความร้อนจะคงอุณหภูมิให้อยู่ในอุณหภูมิที่สาม ที่ซึ่ง อุณหภูมิที่สามจะน้อยกว่าอุณหภูมิที่หนึ่ง การนำเอาปุ่มตัวบัดกรีจำนวนหนึ่งเข้าไปสัมผัสกับส่วนนูนที่เป็นโลหะจำนวนหนึ่ง โดยการขยับตัวเชื่อมยึดที่หนึ่งและที่สอง ตัวใดตัวหนึ่งหรือทั้งสองเข้าหากันและกัน การเพิ่มอุณหภูมิอย่างรวดเร็วของตัวทำความร้อน จากอุณหภูมิที่สามไปเป็นอุณหภูมิที่สี่โดยอุณหภูมิที่สี่จะสูงกว่าอุณหภูมิที่หนึ่ง และ การคงให้เครื่องมือทำความร้อนด้วยสัญญาณพัลส์อยู่ที่อุณหภูมิที่สี่โดยประมาณหรือสูงกว่า จนกระทั่งปุ่มตัวบัดกรีจำนวนหนึ่งหลอมเหลว และทำให้ส่วนนูนโลหะจำนวนหนึ่งเปียก 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่ง ซับสเตรทมีส่วนที่มาเคลือบเกาะในที่นั้นเป็นปุ่มตัวบัดกรีจำนวนหนึ่ง และชิพมีส่วนที่มาประกบในที่นั้นเป็นส่วนนูนที่เป็นโลหะจำนวนหนึ่ง 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่ง อุณหภูมิที่สองโดยประมาณจะอยู่ภายในช่วงของ 100ถึง170 องศาเซลเซียส 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่ง อุณหภูมิที่สามโดยประมาณจะอยู่ระหว่าง 30 ถึง 100องศาเซลเซียส และอุณหภูมิที่สี่โดยประมาณจะอยู่ระหว่าง 250 ถึง 400 องศาเซลเซียส 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่ง การเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วของอุณหภูมิ ประกอบรวมด้วยการเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วของอุณหภูมิจากอุณหภูมิที่สามเป็นอุณหภูมิที่สี่ ที่อัตรา 50 องศาเซลเซียสต่อวินาที หรือเร็วกว่า 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่ง ประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย การนำแรงสัมผัสมาใช้หน้า 2 ของจำนวน 2 หน้า7. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่ง ประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย การขจัดแรงสัมผัสออก เมื่อปุ่มตัวบัดกรีจำนวนหนึ่งถึงอุณหภูมิที่หนึ่ง8. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่ง ตัวเชื่อมยึดที่หนึ่งและที่สอง และตัวทำความร้อนประกอบรวมด้วยตัวเชื่อมยึดด้วยความร้อน - การอัด9. วิธีการ ที่ซึ่งประกอบรวมด้วยการนำเอาปมนูนที่เป็นโลหะไปใช้งานกับปุ่มจำนวนหนึ่งบนผิวหน้าใช้งานของชิพ โดยชิพนี้ยังมีผิวหน้าที่สองอยู่ตรงกันข้ามกับผิวหน้าใช้งานด้วยการนำเอาปุ่มตัวบัดกรีไปใช้งานกับปุ่มจำนวนหนึ่งบนผิวหน้าด้านบนของซับสเตรท โดยซับสเตรทนี้ยังมีผิวหน้าด้านล่าง ปมตัวบัดกรีจะมีอุณหภูมิหลอมเหลวการเคลือบปุ่มตัวบัดกรีด้วยฟลักซ์ที่ไม่ตกค้าง โดยฟลักซ์ที่ไม่ตกค้างประกอบรวมด้วยสารผสมพื้นฐานที่มีอุณหภูมิระเหยตัวน้อยกว่าอุณหภูมิหลอมเหลวการนำเอาผิวหน้าด้านล่างของซับสเตรทไปไว้บนแผงของตัวเชื่อมยึดด้วยความร้อน - การอัด โดยแผงนี้จะคงอุณหภูมิที่หนึ่งไว้ ซึ่งน้อยกว่าอุณหภูมิของการระเหยตัวและหลอมเหลวการประกบผิวหน้าที่สองของชิพเข้ากับหัวของตัวเชื่อมยึดด้วยความร้อน - การอัด โดยหัวจะรวมถึงตัวทำความร้อนการจัดแนวทั่วไปให้แก่ปุ่มตัวบัดกรีด้วยส่วนนูนที่เป็นโลหะตรงกันการลดระดับส่วนหัวแม่พิมพ์ หรือการยกแผงเพื่อนำเอาปุ่มตัวบัดกรีเข้าไปสัมผัสกับปุ่มนูนที่เป็นโลหะการให้แรงสัมผัสเพื่อยึดปุ่มตัวบัดกรีและปุ่มนูนที่เป็นโลหะที่อยู่ตรงกันเข้าด้วยกันการเพิ่มอุณหภูมิของตัวทำความร้อนจนกระทั่งผิวหน้าที่สองของซับสเตรทมีอุณหภูมิที่สอง โดยอุณหภูมิในช่วงที่สองจะมากกว่าอุณหภูมิหลอมเหลว , และการคงให้ผิวหน้าที่สองอยู่ที่อุณหภูมิที่สองสำหรับคาบเวลาหนึ่ง จนกระทั่งปุ่มตัวบัดกรีหลอมเหลว10. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ซึ่ง ประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย การขจัดแรงสัมผัสออกเมื่อปุ่มตัวบัดกรีเริ่มหลอมเหลว11. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ซึ่ง การเพิ่มอุณหภูมิของตัวทำความร้อนจะรวมถึงอัตราการให้ความร้อนที่เกินกว่า 30 องศาเซลเซียสต่อหนึ่งวินาที12. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ซึ่ง ตัวทำความร้อนจะเป็นเครื่องมือทำความร้อนด้วยสัญญาณพัลส์ ------------
1. วิธีการ ที่ซึ่งประกอบด้วย การใช้ฟลักซ์กับผิวหน้าที่หนึ่งของซับสเตรท โดยผิวหน้าที่ หนึ่งของซับสเตรทจะมีปุ่มตัว บัดกรีประกบอยู่ในที่นั้น โดย ปุ่มตัวบัดกรีดังกล่าวจะมีอุณหภูมิหลอมเหลวและฟลักซ์ทั้ง หมด จะ ประกอบด้วยส่วนต่าง ๆ ที่เป็นสารผสมที่มีอุณหภูมิของ การระเหยตัวน้อยกว่าอุณหภูมิหลอมเหลว การจัดแนวทั่วไปให้แก่ปุ่มตัวบัดกรีกับปุ่มโลหะที่ใช้งาน ตรงกัน โดยปุ่มโลหะจะประกบ อยู่กับผิวหน้าที่หนึ่งของชิพ การนำเอาปุ่มตัวบัดกรีเข้าไปแนบกับปุ่มโลหะที่อยู่ตรงกัน และ การให้ความร้อนแก่ปุ่มตัวบัดกรีจนมีอุณหภูมิอยู่ในช่วงที่ หนึ่ง ที่ซึ่ง อุณหภูมิในช่วงที่หนึ่ง นี้จะเท่ากับหรือมาก กว่าอุณหภูมิหลอมเหลว
2. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ผิวหน้า ที่หนึ่งเป็นทองแดง
3. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง การนำ เอาปุ่มตัวบัดกรีเข้าไปแนบกับปุ่ม โลหะที่อยู่ตรงกันจะเป็น การรวมต่อไปถึงการให้แรงแนบตัว
4. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 3 ที่ซึ่ง แรงแนบ ตัวจะหยุดลง หลังจากที่ปุ่มตัวบัดกรี ถูกทำให้ร้อนจนมี อุณหภูมิหลอมเหลว เป็นอย่างน้อยที่สุด
5. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ปุ่ม ตัวบัดกรีจะประกอบด้วยตัวบัดกรี 96.5% ดีบุก 3.5% เงิน
6. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ฟลักซ์จะ รวมถึงกรดคาร์บอกซีลิก และมี อุณหภูมิระเหยตัวประมาณ 200 องศาเซลเซียส
7. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งประกอบ ต่อไปด้วย การเชื่อมต่อปุ่มตัวบัดกรีเข้ากับปุ่มโลหะ โดยการทำความ เย็นให้แก่ตัวบัดกรีจนมี อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิหลอมเหลว การให้ความร้อนผิวหน้าที่หนึ่งของชิพและซับสเตรท ให้อยู่ ภายในช่วงของอุณหภูมิ โดย ช่วงของอุณหภูมิดังกล่าวจะเท่ากับ หรือมากกว่าอุณหภูมิระเหยตัว แต่จะน้อยกว่าหรือเท่ากับ อุณหภูมิ หลอมเหลว,และ การดำรงผิวหน้าที่หนึ่งของชิพและซับสเตรท ให้อยู่ภายในช่วง ของอุณหภูมิตามช่วงเวลา ที่หนึ่ง
8. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ความ ร้อนเพื่อทำให้เกิดความร้อนดังกล่าวแก่ ปุ่มตัวบัดกรีจนถึง ช่วงของอุหภูมิที่หนึ่งจะถูกส่งมาผ่านหน้าที่สองของชิพ โดย ผิวหน้าที่สองของ ชีพจะอยู่ตรงกันข้ามกับผิวหน้าที่หนึ่งของ ชิพ
9. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 8 ที่ซึ่ง การให้ ความร้อนดังกล่าวแก่ปุ่มตัวบัดกรีจนมี อุณหภูมิอยู่ในช่วง ที่หนึ่ง จะรวมต่อไปถึงการเพิ่มอุณหภูมิอย่างรวดเร็วให้แก่ ผิวหน้าที่สอง จนถึง อุณหภูมิช่วงที่สอง โดยอุณหภูมิช่วงที่ สองจะมากกว่าอุณหภูมิช่วงที่หนึ่ง ที่ซึ่ง ส่วนต่าง ๆ ของ อุณหภูมิจะถูกกำหนดขึ้นผ่านตัวชิพจากผิวหน้าที่สองที่ อุณหภูมิช่วงที่สอง ไปยังผิวหน้าที่หนึ่งของ ชิพที่อุณหภูมิ ช่วงที่หนึ่ง
10. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 8 ที่ซึ่ง ความ ร้อนเพื่อทำให้เกิดความร้อนดังกล่าว จะมาจากตัวทำความร้อน ที่แนบอยู่กับผิวหน้าทีสอง
11. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่ง อุณหภูมิช่วงที่สามที่ผิวหน้าของซับสเตรทที่ สอง ตรงกันข้าม กับผิวหน้าของซับสเตรทที่หนึ่งจะต่ำกว่าอุณหภูมิช่วงที่ หนึ่ง เมื่อผิวหน้าที่หนึ่งของ ชิพอยู่ในอุณหภูมิช่วงที่ หนึ่ง
12. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งประกอบ ต่อไปด้วยการทำให้ผิวหน้าที่สองอยู่ ในอุณหภูมิช่วงที่สองใน ช่วงเวลาหนึ่ง
13. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 12 ที่ซึ่ง ช่วง เวลาดังกล่าวจะประมาณ 1 ถึง 5 วินาที
14. วิธีการ ที่ซึ่งประกอบด้วย การนำเอาซับสเตรทไปอยู่ชิดกับตัวยึดจับที่หนึ่ง ซับสเตรทที่มีส่วนเคลือบบนนั้นเป็นปุ่มตัวบัดกรีจำนวนหนึ่ง และฟลักซ์ โดยปุ่มตัวบัดกรี จะมีจุดหลอมเหลวอยู่ในช่วง อุณหภูมิที่หนึ่ง และฟลักซ์มีอุณหภูมิระเหยตัว ที่ซึ่ง ทั้งหมดหรือ สารผสมทั้งหมดของฟลักซ์จะระเหยตัวออกไป โดย อุณหภูมิของการระเหยตัวจะน้อยกว่าหรือเท่ากับ อุณหภูมิที่ หนึ่ง ตัวยึดจับที่หนึ่ง ซึ่งจะดำรงอุณหภูมิอยู่ในช่วงที่สองต่ำ กว่าอุณหภูมิช่วงที่หนึ่ง การติดตั้งชิพให้ชิดกับตัวยึดจับที่สอง ชิพที่มีส่วนนูนโลหะจำนวนหนึ่งประกบติดอยู่ในที่นั้น ตัวยึดจับที่สองประกบต่อกับตัวทำความร้อน โดยทำความร้อนจะ คงอุณหภูมิให้อยู่ใน ช่วงที่สาม ที่ซึ่ง อุณหภูมิช่วงที่สาม จะน้อยกว่าอุณหภูมิช่วงที่หนึ่ง การนำเอาปุ่มตัวบัดกรีจำนวนหนึ่งเข้าไปแนบชิดกับส่วนนูนที่ เป็นโลหะจำนวนหนึ่ง โดย การขยับตัวยึดจับที่หนึ่งและที่สอง ตัวใดตัวหนึ่งหรือทั้งสองเข้าหากันและกัน การเพิ่มอุณหภูมิอย่างรวดเร็วของตัวทำความร้อน จากอุณหภูมิ ช่วงที่สามไปเป็นอุณหภูมิ ช่วงที่สี่ โดยอุณหภูมิช่วงที่สี่ จะสูงกว่าอุณหภูมิช่วงที่หนึ่ง การทำให้เครื่องมือทำความร้อนด้วยสัญญาณพัลส์มีช่วงของ อุณหภูมิอยู่ที่ช่วงที่สี่หรือสูง กว่า จนกระทั่งปุ่มตัว บัดกรีจำนวนหนึ่งหลอมเหลว และทำให้ส่วนนูนโลหะจำนวนหนึ่ง เปียก
15. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่ง ซับสเตรทจะ มีส่วนที่มาเคลือบเกาะในที่นั้น เป็นปุ่มตัวบัดกรีจำนวน หนึ่ง และชิพจะมีส่วนที่มาประกบในที่นั้นเป็นส่วนนูนที่ เป็นโลหะจำนวน หนึ่ง
16. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่ง อุณหภูมิช่วงที่สองจะประมาณอยู่ภายในช่วง 100 ถึง 170 องศา เซลเซียส
17. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่ง อุณหภูมิช่วงที่สามจะประมาณระหว่าง 30 ถึง 100 องศา เซลเซียส และอุณหภูมิช่วงที่สี่จะประมาณระหว่าง 250 ถึง 400 องศาเซลเซียส
18. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่ง อุณหภูมิจะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วจากอุณหภูมิ ช่วงที่สามเป็น ช่วงที่สี่ ทีอัตรา 50 องศาเซลเซียสต่อวินาที หรือเร็วกว่า
19. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่ง การนำ เอาปุ่มตัวบัดกรีจำนวนหนึ่งและ ส่วนนูนที่เป็นโลหะและเป็น ปุ่มจำนวนหนึ่งเข้ามาแนบกันและกันนั้น จะรวมต่อไปถึงการให้ แรง แนบตัวด้วย
20. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่ง แรงแนบ ตัวจะหยุดลงเมื่อปุ่มตัวบัดกรี จำนวนหนึ่งมีอุณหภูมิอยู่ใน ช่วงที่หนึ่ง
21. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่ง ตัว ยึดจับที่หนึ่งและที่สอง และตัวทำความ ร้อนจะประกอบด้วยตัว ยึดจับด้วยความร้อน- การอัด
22. วิธีการเชื่อมต่อระหว่างกันของซิพและซับสเตรท ที่ซึ่ง ประกอบด้วย การนำเอาปุ่มนูนที่เป็นโลหะไปใช้งานกับปุ่มเชื่อมต่อกระ หว่างกันทางไฟฟ้าบนผิวหน้าใช้ งานของชิพ โดยชิพนี้ยังมีผิว หน้าที่สองอยู่ตรงกันข้ามกับผิวหน้าใช้งานด้วย การนำเอาปุ่มตัวบัดกรีไปใช้งานกับปุ่มเชื่อมต่อระหว่างกัน ทางไฟฟ้าบนผิวหน้าด้านบน ของซับสเตรท โดยซับสเตรทนี้ยังมี ผิวหน้าด้านล่าง โดยปุ่มตัวบัดกรีจะมีอุณหภูมิหลอมเหลว การเคลือบปุ่มตัวบัดกรีด้วยฟลักซ์ที่ไม่ตกค้าง โดยฟลักซ์ ที่ไม่ตกค้างประกอบด้วยสารผสม พื้นฐานที่มีอุณหูมิระเหยตัว น้อยกว่าอุณหภูมิหลอมเหลว การนำเอาผิวหน้าด้านล่างของซับสเตรทไปไว้บนแผงของตัวยึดจับด้วยความร้อน - การอัด โดยแผงนี้จะดำรงอุณหภูมิช่วงที่หนึ่งไว้ ซึ่งน้อยกว่าอุณหภูมิของ การระเหยตัวและหลอมเหลว การประกบผิวหน้าที่สองของชิพเข้ากับหัวของตัวยึดจับด้วย ความร้อน - การอัด โดยหัว จะรวมตัวทำความร้อนไปด้วย การจัดแนวทั่วไปให้แก่ปุ่มตัวบัดกรีด้วยส่วนนูนที่เป็นโลหะ ตรงกัน การลดระดับส่วนหัว หรือการยกแผงเพื่อนำเอาปุ่มตัวบัดกรี เข้าไปแนบกับปุ่มนูนที่เป็น โลหะ การให้แรงแนบตัวเพื่อยึดปุ่มตัวบัดกรีและปุ่มนูนที่เป็น โลหะที่อยู่ตรงกันเข้าด้วยกัน การเพิ่มอุณหภูมิของตัวทำความร้อนจนกระทั่งผิวหน้าที่สอง ของซับสเตรทมีอุณหภูมิอยู่ใน ช่วงที่สอง โดยอุณหภูมิในช่วง ที่สองจะมากกว่าอุณหภูมิหลอมเหลว,และ การทำให้ผิวหน้าที่สองอยู่ที่อุณหภูมิช่วงที่สองภายในระยะ เวลาหนึ่ง จนกระทั่งปุ่มตัว บัดกรีหลอมเหลว
23. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 22 ที่ซึ่ง แรง แนบตัวจะหยุดเมื่อปุ่มตัวบัดกรีเริ่ม หลอมเหลว
24. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 22 ที่ซึ่ง การเพิ่มอุณหภูมิของตัวทำ ความร้อนจะรวม ถึงอัตราการให้ความร้อนที่เกินกว่า 30 องศา เซลเซียสต่อหนึ่งวินาที
25. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 22 ที่ซึ่ง ตัวทำ ความร้อนจะเป็นเครื่องมือทำความ ร้อนด้วยสัญญาณพัลส์
26. วิธีการเชื่อมต่อระหว่างกันของชิพและซับสเตรท ที่ซึ่ง ประกอบด้วย การจัดให้มีชิพ โดยชิพจะมีผิวหน้าใช้งานซึ่งประกอบด้วยปุ่ม เชื่อมต่อระหว่างกันทางไฟฟ้า ของชิพจำนวนหนึ่ง การจัดให้มีซับสเตรท โดยซับสเตรทจะมีผิวหน้าด้านบนประกอบ ด้วยปุ่มเชื่อมต่อระหว่าง กันทางไฟฟ้าของซับสเตรทจำนวนหนึ่ง ที่อยู่ตรงกับปุ่มเชื่อมต่อระหว่างกันทางไฟฟ้าของชิพจำนวน หนึ่ง การนำเอาปุ่มตัวบัดกรีจำนวนหนึ่งชุดที่หนึ่ง หรือปุ่มโลหะ จำนวนหนึ่งชุดที่หนึ่ง ไปใช้งาน กับปุ่มเชื่อมต่อระหว่างกัน ทางไฟฟ้าของชิพจำนวนหนึ่ง โดยปุ่มตัวบัดกรีจำนวนหนึ่งชุด ที่หนึ่งจะมี อุณหภูมิหลอมเหลว การนำเอาปุ่มตัวบัดกรีจำนวนหนึ่งชุดที่สอง หรือปุ่มโลหะ จำนวนหนึ่งชุดที่สอง ไปใช้งาน กับปุ่มเชื่อมต่อระหว่างกัน ทางไฟฟ้าของซับสเตรทจำนวนหนึ่ง ที่ซึ่ง จำนวนหนึ่งที่ตรง กันของปุ่ม เชื่อมต่อระหว่างกันทางไฟฟ้าของซิพและซับสเตรทจะ ไม่มีปุ่มโลหะจำนวนหนึ่งประกบอยู่ด้วยในที่ นั้น และจำนวน หนึ่งชุดที่สองของปุ่มตัวบัดกรีจะมีอุณหภูมิหลอมเหลว การหุ้มปิดปุ่มตัวบัดกรีด้วยฟลักซ์ที่ไม่ตกค้าง โดยฟ ลักซ์ที่ไม่ตกค้างนี้จะประกอบด้วยสาร ผสมที่มีอุณหภูมิระเหย ตัวต่ำกว่าอุณหภูมิหลอมเหลว การจัดแนวทั่วไปปุ่มเชื่อมตัวระหว่างกันทางไฟฟ้าของชิพและ ซับสเตรท การนำเอาชุดที่หนึ่งของปุ่มตัวบัดกรีไปแนบกับชุดที่สองของ ปุ่มโลหะ และให้แรงแนบตัว, และ การให้ความร้อนแก่ชุดที่หนึ่งของปุ่มตัวบัดกรี จนมี อุณหภูมิอยู่ในช่วงที่หนึ่งเกินอุณหภูมิ หลอมเหลว
27. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 26 ที่ซึ่ง จำนวน หนึ่งชุดที่หนึ่งของปุ่มโลหะจะถูกนำ ไปใช้กับจำนวนหนึ่งของ ปุ่มเชื่อมต่อระหว่างกันทางไฟฟ้าของชิพ และจำนวนหนึ่งชุด ที่สองของปุ่ม ตัวบัดกรีจะถูกนำไปใช้กับจำนวนหนึ่งของปุ่ม เชื่อมต่อระหว่างกันทางไฟฟ้าของซับสเตรท
28. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 26 ที่ซึ่งจำนวน หนึ่งชุดที่หนึ่งของปุ่มตัวบัดกรีจะถูก นำไปใช้กับจำนวน หนึ่งของปุ่มเชื่อมต่อระหว่างกันทางไฟฟ้าของชิพ และจำนวน หนึ่งชุดที่สองของ ปุ่มตัวบัดกรีจะถูกนำไปใช้กับจำนวนหนึ่ง ของปุ่มเชื่อมต่อระหว่างกับทางไฟฟ้าของซับสเตรท
29. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 26 ที่ซึ่ง จำนวน หนึ่งชุดที่หนึ่งของปุ่มตัวบัดกรีจะถูก นำไปใช้กับจำนวน หนึ่งของปุ่มเชื่อมต่อระหว่างกันทางไฟฟ้าของชิพ และจำนวน หนึ่งชุดที่สองของ ปุ่มโลหะจะถูกนำไปใช้กับจำนวนหนึ่งของ ปุ่มเชื่อมต่อระหว่างกันทางไฟฟ้าของซับสเตรท
30. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 26 ที่ซึ่ง จำนวน หนึ่งชุดที่หนึ่งของปุ่มตัวบัดกรีจะถูก ทำให้ร้อนจนมี อุณหภูมิหลอมเหลวที่อัตราเกิน 50 องศาเซลเซียสต่อวินาที
31. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 26 ที่ซึ่ง จำนวน หนึ่งชุดที่สองของปุ่มตัวบัดกรีจะถูก ทำให้ร้อนจนมีอุณหภูมิ หลอมเหลวที่อัตราเกิน 50 องศาเซลเซียสต่อวินาที
TH0201000735A 2002-03-04 การเชื่อมต่อระหว่างกันของฟลิพ ชิพด้วยฟลักซ์ไม่ตกค้าง TH55991A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH55991A true TH55991A (th) 2003-03-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100555354B1 (ko) 단일화된 칩을 기판 패키지에 연결하는 방법, 플립 칩 방법, 및 칩 상에 접촉점을 형성하는 방법
US6713318B2 (en) Flip chip interconnection using no-clean flux
US3486223A (en) Solder bonding
KR101183824B1 (ko) 가열 결합 헤드를 사용하는 직접적인 다이 부착 방법
JPH06103703B2 (ja) 半田付け方法
JP2005509269A5 (th)
JP2005500672A5 (th)
KR940004770A (ko) 분리가능한 금속 결합 방법
JPH04502126A (ja) ハンダによる相互接続の形成方法
JPH07122594A (ja) 導電性バンプの形成方法
US6173887B1 (en) Method of making electrically conductive contacts on substrates
CN104520988A (zh) 覆晶堆叠的方法
US20090155958A1 (en) Robust die bonding process for led dies
US4238527A (en) Method of providing metal bumps on an apertured substrate
TW200903758A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH05109820A (ja) 半導体装置の実装方法
TH59277A (th) การเชื่อมต่อระหว่างกันของฟลิพชิพ ที่ปราศจากฟลักซ์
JP2697865B2 (ja) 電子部品の実装方法
JPS6414886A (en) Bond for terminal connection and connecting method
JPH01226162A (ja) 半導体チップの接続方法
JP3694108B2 (ja) 半田付け方法
JPS62287647A (ja) 半導体チツプの接続バンプ
JPS6297341A (ja) ボンディング装置及びボンディング方法
JPS63287026A (ja) 半導体集積回路素子実装方法
JPS63158845A (ja) 半導体装置の実装方法