TH59277A - การเชื่อมต่อระหว่างกันของฟลิพชิพ ที่ปราศจากฟลักซ์ - Google Patents

Abstract

DC60 (24/05/45) วิธีการฟลิพ ชิพที่ใช้เชื่อมยึดชิพและซับสเตรทมีเปิดเผยไว้ ตัวเชื่อมยึดด้วยความร้อน- การอัด จะถูกนำมาใช้จัดแนวชิพและซับสเตรท และให้แรงแนบตัวเพื่อยึดปุ่มบัดกรีบนซับสเตรท ชิดกับปุ่มโลหะบนชิพ ชิพจะถูกทำให้ร้อนอย่างรวดเร็วจากด้านที่ไมได้ใช้งานของมัน โดยตัวทำ ความร้อนด้วยพัลส์ในหัวของตัวเชื่อมยึด จนกระทั่งปุ่มบัดกรีมีอุณหภูมิของการหลอมเหลวซ้ำ เมื่อ ใกล้ถึงอุณหภูมิของการหลอมเหลวซ้ำที่ปุ่มบัดกรีจะหยุดแรงแนบตัว ตัวบัดกรีจะมีอุณหภูมิอยู่เหนือ อุณหภูมิหลอมเหลวซ้ำของมันเป็นเวลาหลายวินาที เพื่อช่วยให้มีการเปียกตัวของส่วนนูนโลหะของ ซับสเตรทและการเชื่อมยึดกัน ตัวปิดโลหะที่ประกอบด้วย โลหะชั้นสูง เช่น แพลเลเดียมจะถูกนำไป ใช้ที่ผิวหน้าของปุ่มโลหะ เพื่อป้องกันปุ่มโลหะ (ซึ่งโดยทั่วไปประกอบด้วย โลหะที่เป็นตัวนำสูง และ ทำปฏิกริยาสูงเช่น ทองแดง) ไม่ให้ออกซิไดซ์เมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น ก่อนที่และในระหว่างการทำให้ หลอมเหลวซ้ำ วิธีการฟลิพ ชิพที่ใช้เชื่อมยึดชิพและซับสเตรทมีเปิดเผยไว้ ตัวเชื่อมยึดด้วยความร้อน- การอัด จะถูกนำมาใช้จัดแนวชิพและซับสเตรท และให้แรงแนบตัวเพื่อปุ่มบัคกรีบนซับสเตรท ชิดกับปุ่มโลหะบนชิพ ชิพจะทำให้ร้อนอย่างรวดเร็วจากด้านที่ไมได้ใช้งานของมัน โดยตัวทำ ความร้อนด้วยพัลส์ในหัวของตัวเชื่อมยึด จนกระทั่งปุ่มบัคกรีมีอุณหภูมิของการหลอมเหลวซ้ำ เมื่อ ใกล้ถึงอุณหภูมิของการหลอมเหลวซ้ำที่ปุ่มบัดกรีจะหยุดแรงแบนตัว ตัวบัคกรีจะมีอุณหภูมิอยู่เหนือ อุณหภูมิหลอมเหลวซ้ำของมันเป็นเวลาหลายวินาที เพื่อช่วยให้มีการเปียกตัวของส่วนนูนโลหะของ ซับสเตรทและการเชื่อมยึดกัน ตัวปิดโลหะที่ประกอบด้วย โลหะชั้นสูง เช่น แพลเลเดียมจะถูกนำไป ใช้ที่ผิวหน้าของปุ่มโลหะ เพื่อป้องกันปุ่มโลหะ(ซึ่งโดยทั่วไปประกอบด้วย โลหะที่เป็นตัวนำสูง และ ทำปฏิกริยาสูงเช่น ทองแดง) ไม่ให้ออกซิไดซ์เมื่ออุณภูมิสูงขึ้น ก่อนที่และในระหว่างการทำให้ หลอมเหลวซ้ำ

Claims (23)

1. วิธีการ ที่ซึ่งประกอบด้วย การจัดแนวซับสเตรทด้วยชิพที่ตรงกัน, ซับสเตรทที่ผิวหน้าของซับสเตรทที่ หนึ่งและที่สองอยู่ตรงข้ามกัน โดยผิวหน้าของซับสเตรทที่หนึ่งจะมีปุ่มบัคกรีจำนวนหนึ่งประกบ อยู่, ปุ่มบัดกรีที่มีอุณหภูมิหลอมเหลว, ชิพที่มีผิวหน้าของชิพที่หนึ่งและที่สองตรง ข้ามกัน โดยผิวหน้าของชิพที่หนึ่งจะมีส่วนนูนโลหะประกบอยู่ ส่วนนูนโลหะ ที่ซึ่งบางส่วนเป็นอย่างน้อยที่สุดถูกผิดด้วยตัวปิดโลหะ โดย ส่วนนูนโลหะจะประกอบเบื้องต้นด้วย โลหะที่หนึ่งและตัวปิดโลหะ ซึ่ง ประกอบเบื้องต้นด้วย โลหะที่สอง การนำเอาปุ่มบัดกรีจำนวนหนึ่ง และส่วนนูนโลหะเป็นปุ่มจำนวนหนึ่ง มาแนบกันและกัน และ การให้ความร้อนแก่ปุ่มบัดกรีจำนวนหนึ่ง จนถึงอุณหภูมิที่หนึ่ง ซึ่งสูงกว่า อุณหภูมิหลอมเหลว เพื่อหลอมเหลวปุ่มบัดกรีจำนวนหนึ่ง
2. 2. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งการนำเอาปุ่มบัดกรีจำนวนหนึ่ง และส่วนนูนโลหะเป็นปุ่มดังกล่าว แบนกันและกันนั้น จะประกอบต่อไปด้วย การใช้แรงแนบตัว กัน
3. 3. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่ซึ่งแรงแนบตัวกันจะถูกปลดออกไป เมื่อปุ่มบัดกรีจำนวนหนึ่งเริ่มหลอมเหลวในระหว่างให้ความร้อนดังกล่าว แก่ปุ่มบัดกรีจำนวน หนึ่ง จนถึงอุณหภูมิที่หนึ่ง
4. 4. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งการให้ความร้อนดังกล่าว แก่ปุ่ม บัดกรีจำนวนหหนึ่งจนถึงอุณหภูมิที่หนึ่งประกอบด้วย การสร้างทางลาดของอุณหภูมิผ่านชิพ โดย การให้ ความร้อนอย่างรวดเร็วแก่ผิวหน้าของชิพที่สอง จนถึงอุณหภูมิที่สอง โดยอุณหภูมิที่ สองจะสูงกว่าอุณหภูมิที่หนึ่งอย่างยิ่ง
5. 5. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ซึ่งความร้อนเพื่อทำความร้อนอย่าง รวดเร็ว ดังกล่าว แก่ผิวหน้าของชิพที่สอง จะมาจากตัวทำความร้อนที่อยู่แนบกับผิวหน้าของชิพ ที่สอง
6. 6. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่อุณหภูมิที่สามที่ผิวหน้าของซับสเต รทที่สอง จะอยู่ต่ำกว่าอุณหภูมิที่หนึ่งเป็นอย่างยิ่ง เมื่อปุ่มบัดกรีจำนวนหนึ่งอยู่ที่อุณหภูมิที่หนึ่ง
7. 7. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งประกอบต่อไปด้วย การทำให้ปุ่ม บัดกรีจำนวนหนึ่งดำรงอุณหภูมิอยู่ที่หรือเหนืออุณหภูมิที่หนึ่งในช่วงเวลาหนึ่ง
8. 8. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งโลหะที่สองจะเป็นโลหะหรืออัล ลอยของโลหะ ซึ่งมีความต้านทานออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูงขึ้น
9. 9. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งปุ่มบัดกรีจำนวนหนึ่ง จะประกอบ ด้วย ตัวบัดกรีที่ปราศตะกั่ว
10. 10. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ซึ่งการให้ความร้อนอย่างรวดเร็วดัง กล่าว แก่ผิวหน้าของชิพที่สอง จนถึงอุณหภูมิที่สอง จะกระทำได้ด้วยอัตราการให้ความร้อนเกิน 50 องศาเซลเซียสในหนึ่งวินาที
11. 11. วิธีการ ที่ซึ่งประกอบด้วย การติดตั้งซับสเตรทหรือชิพในตัวยึดจับที่หนึ่ง, ซับสเตรทหรือชิพที่มีการเคลือบบนนั้นด้วยปุ่มบัดกรีจำนวนหนึ่ง, ปุ่มบัดกรีที่มีจุดหลอมเหลวอยู่ที่อุณหภูมิที่หนึ่ง, ตัวยึดจับที่หนึ่ง ซึ่งจะดำรงอุณหภูมิที่สองไว้ต่ำกว่าอุณหภูมิที่หนึ่ง, การติดตั้งชิพหรือซับสเตรทอีกตัวหนึ่งในตัวยึดจับที่สอง, ชิพหรือซับสเตรทอีกตัวหนึ่ง ซึ่งมีประกบอยู่ในที่นั้นด้วยส่วนนูนโลหะ จำนวนหนึ่ง ซึ่งประกอบเบื้องต้นด้วย โลหะที่หนึ่ง โดยแต่ละส่วนนูนที่เป็นโลหะจำนวนหนึ่งจะมี บางส่วนเป็นอย่างน้อยที่สุด ถูกเคลือบด้วยตัวปิดโลหะ โดยตัวปิดโลหะจะประกอบเบื้องต้นด้วย โลหะที่สอง, การนำเอาปุ่มโลหะจำนวนหนึ่งเข้าไปแนบกันส่วนนูนโลหะจำนวนหนึ่ง โดย การเคลื่อนตัวยึดจับที่หนึ่งและที่สองตัวใดตัวหนึ่งหรือทั้งสองเข้าหากันและกัน, การให้ความร้อนอย่างรวดเร็วแก่ตัวทำความร้อนที่ประกบกับตัวยึดจับที่หนึ่ง และที่สอง จากอุณหภูมิที่สามจนถึงอุณหภูมิที่สี่, อุณหภูมิที่สามต่ำกว่าอุณหภูมิที่หนึ่ง และ อุณหภูมิที่สี่สูงกว่าอุณหภูมิที่หนึ่ง การทำให้ตัวทำความร้อนดำรงอุณหภูมิอยู่ที่หรือสูงกว่าอุณหภูมิที่สี่ จนกระทั่ง ปุ่มบัดกรีจำนวนหนึ่งหลอมละลาย และทำให้ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของตัวปิดโลหะของ ส่วนนูนโลหะแต่ละส่วนเปียก
12. 12. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งตัวทำความร้อนและตัวยึดจับที่ หนึ่งและ ที่สองประกอบด้วย ตัวยึดจับที่ใช้ความร้อน-การอัด
13. 13. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งซับสเตรทจะมีส่วนเคลือบอยู่ด้วย บนนั้นเป็นปุ่มบัดกรีจำนวนหนึ่ง และชิพจะมีส่วนยึดเกาะในที่นั้นเป็นส่วนนูน โลหะจำนวนหนึ่ง
14. 14. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งเครื่องมือทำความร้อนด้วยพัลส์ จะดำรงอุณหภูมิที่สี่ไว้ในช่วงระยะเวลาประมาณ 1 ถึง 5 วินาที
15. 15. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งการนำเอาปุ่มบัดกรีจำนวนหนึ่ง ดังกล่าว เข้าไปแนบกับส่วนนูนโลหะจำนวนหนึ่ง ประกอบต่อไปด้วย การใช้แรงแนบตัวเพื่อยึด ปุ่มบัดกรีจำนวนหนึ่ง และส่วนนูนโลหะ ให้ชิดกันและกัน
16. 16. วิธีกาารฟลิพ ชิพ เพื่อเชื่อมยึดชิพและซับสเตรท ที่ซึ่งประกอบด้วย การใช้ส่วนนูนโลหะกับปุ่มเชื่อมต่อระหว่างกันทางไฟฟ้าบนผิวหน้าใช้งานของ ชิพ โดยชิพจะมีผิวหน้าที่สองอยู่ตรงข้ามกับผิวหน้าใช้งาน และส่วนนูนโลหะประกอบด้วย โลหะ ที่หนึ่ง และจะมีผิวหน้าที่ซึ่งตัวปิดโลหะที่ประกอบด้วย โลหะหรืออัลลอยของโลหะที่ต้านทาน ออกซิเดขัน จะมาหุ้มปิดบางส่วนเป็นอย่างน้อยที่สุดของผิวหน้า การใช้ปุ่มบัดกรีที่ปราศจากตะกั่วกับปุ่มเชื่อมต่อระหว่างกันทางไฟฟ้า บนผิว หน้าด้านบนของซับสเตรท โดยซับสเตรทจะมีผิวหน้าด้านล่างตรงข้ามกับผิวหน้าด้านบน โดย ปุ่มบัดกรีจะมีอุณหภูมิหลอมเหลว ที่ซึ่งอุณหภูมิหลอมเหลวจะอยู่ใช่วง 200-240 องศาเซลเซียส การนำเอาผิวหน้าด้านล่างของซับสเตรทไปไว้บนแท่นของยึดตัวจับด้วยความ ร้อน-การอัด โดยแท่นจะดำรงอุณหภูมิที่หนึ่งไว้ ซึ่งน้อยกว่าอุณหภูมิหลอมเหลว โดยอุณหภูมิที่ หนึ่งจะอยู่ในช่วง 70 -190 องศาเซลเซียส การประกบผิวหน้าที่สองของชิพเข้ากับหัวของตัวเชื่อมยึดความร้อน-การอัด โดยหัวจะมีตัวทำความร้อน และหัวจะดำรงอุณหภูมิที่สองไว้ ที่ซึ่งอุณหภูมิที่สองจะน้อยกว่า 120 องศาเซลเซียส การจัดแนวทั่วไปของปุ่มบัดกรีด้วยส่วนนูนโลหะที่ตรงกัน การลดส่วนหัวหรือยกแท่นขึ้น เพื่อนำเอาปุ่มบัดกรีเข้าไปแนบกับส่วนนูนโลหะ การส่งแรงแนบตัวเพื่อยึดปุ่มบัดกรีและส่วนนูนโลหะที่อยู่ตรงกันเข้าด้วยกัน การเพิ่มอุณหภูมิอย่างรวดเร็วของตัวทำความร้อนจนมีอุณหภูมิที่สาม จนกระทั่ง ผิวหน้าด้านบนของซับสเตรทมาถึงอุณหภูมิที่สี่ โดยอุณหภูมิที่สามจะอยู่ในช่วง 250-400 องศา เซลเซียส และอุณหภูมิที่สี่จะสูงกว่าอุณหภูมิหลอมเหลว และ การทำให้ผิวหน้าด้านบนมีอุณหภูมิที่สี่ในช่วงเวลาหนึ่ง
17. 17. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 16 ที่ซึ่งประกอบต่อไปด้วย การหยุดแรง แนบตัวหลังจากที่ปุ่มบัคกรีเริ่มละลาย แต่จะกระทำก่อนที่จะหมดเวลา
18. 18. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 16 ที่ซึ่งประกอบต่อไปด้วย การแยกชิพและชุดบรรจุซับสเตรทที่เชื่อมต่อระหว่างกันออกจากตัวเชื่อมยึดด้วย ความร้อน-การอัด เมื่อหมดช่วงเวลาไปแล้ว และปุ่มบัดกรีแข็งตัว
19. 19. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 16 ที่ซึ่งปุ่มบัดกรีประกอบด้วย ตัวบัคกรีที่ ใช้ดีบุกเป็นฐาน
20. 20. วิธีการที่ซึ่งประกอบด้วย การใช้ส่วนนูนโลหะจำนวนหนึ่งเข้ากับผิวหน้าชิพของตัวชิพ โดยส่วนนูนโลหะ จำนวนหนึ่งจะประกอบด้วย โลหะที่หนึ่ง และการเคลือบส่วนนูนโลหะจำนวนหนึ่งบางส่วนเป็น อย่างน้อย ที่สุดด้วยตัวปิดโลหะ โดยตัวปิด โลหะประกอบด้วย โลหะที่สอง
21. 21. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่งส่วนนูนโลหะจะถูกนำไปใช้กับ ปุ่ม เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ซึ่งอยู่บนผิวหน้าของชิพ
22. 22. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อสิทธิข้อ 20 ที่โลหะที่สองจะต้านทาน ออกซิเดนชัน ที่อุณหภูมิสูงขึ้นระหว่าง 175 และ 250 องศาเซลเซียส
23. 23. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่งโลหะที่หนึ่งเป็นทองแดง