TH54055A - ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่มีขั้วต่อนำ - Google Patents

ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่มีขั้วต่อนำ

Info

Publication number
TH54055A
TH54055A TH101000361A TH0101000361A TH54055A TH 54055 A TH54055 A TH 54055A TH 101000361 A TH101000361 A TH 101000361A TH 0101000361 A TH0101000361 A TH 0101000361A TH 54055 A TH54055 A TH 54055A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
electrode
ceramic
class
electronic components
component
Prior art date
Application number
TH101000361A
Other languages
English (en)
Other versions
TH25959B (th
Inventor
ทานิดา นายโตชิเอกิ
นากาชิมา นายมิตซูรุ
ยามาโอกา นายโอซามุ
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์, นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Publication of TH54055A publication Critical patent/TH54055A/th
Publication of TH25959B publication Critical patent/TH25959B/th

Links

Abstract

DC60 (08/03/44) ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกจะรวมเข้าไว้ด้วยบรรดาอิเล็กโทรดซึ่งแต่ละอันจะมี โครงสร้างที่มีสี่ ระดับชั้นซึ่งรวมถึงระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่หนึ่งที่ทำ จากโลหะผสม Ni-Ti และถูกสร้าง ขึ้นเพื่อให้ติดอย่างแนบชิด กับพื้นผิวของวัสดุที่เป็นเซรามิกซึ่งทำให้เกิดชิ้นส่วน ประกอบที่เป็นเซรามิก, ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สองที่ทำ จากโลหะอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วย Cu, Ag และ Au ที่ถูกจัดให้อยู่บนระดับชั้นของอิเล็ก โทรดที่หนึ่ง, ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สามที่ทำจาก โลหะผสม Ni-Ti ซึ่งถูกจัดให้อยู่บนระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สองและ ระดับชั้นของอิเล็ก โทรดที่สี่ที่ ทำจากโลหะอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย Cu, Ag และ Au ที่ถูกจัดให้อยู่บน ระดับ ชั้นของอิเล็กโทรดที่สาม. บรรดาขั้วต่อนำได้รับการเชื่อม ติดเข้ากับอิเล็กโทรดต่าง ๆ ที่มี โครงสร้างที่มีสี่ระดับ ชั้นโดยอาศัยชิ้นส่วนบัดกรีตามลำดับ. ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกจะรวมเข้าไว้ด้วยบรรดาอิเล็กโทรดซึ่งแต่ละอันจะมี โครงสร้างที่มีสี่ ระดับชั้นซึ่งรวมถึงระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่หนึ่ง ที่ทำ จากโลหะผสม Ni-Ti และถูกสร้าง ขึ้นเพื่อให้ติดอย่างแนบชิด กับพื้นผิวของวัสดุที่เป็นเซรามิกซึ่งทำให้เกิดชิ้นส่วน ประกอบที่เป็นเซรามิก, ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สองที่ทำ จากโลหะอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วย Cu, Ag และ Au ที่ถูกจัดให้อยู่บนระดับชั้นของอิเล็ก โทรดที่หนึ่ง, ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สามที่ทำจาก โลหะผสม Ni-Ti และถูกจัดให้อยู่บนระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สองและ ระดับชั้นของอิเล็ก โทรดที่สี่ ทำจากโลหะอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย Cu, Ag และ Au ที่ถูกจัดให้อยู่บน ระดับ ชั้นของอิเล็กโทรดที่สาม. บรรดาขั้วต่อนำได้รับการเชื่อม ติดเข้ากับอิเล็กโทรดต่าง ๆ ที่มี โครงสร้างที่มีสี่ระดับ ชั้นโดยอาศัยชิ้นส่วนบัดกรีตามลำดับ.

Claims (8)

1. ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกซึ่งประกอบด้วย : - ชิ้นส่วนประกอบที่เป็นเซรามิก (10) ที่ทำจากวัสดุที่เป็นเซรา มิก ; - อิเล็กโทรดจำนวนมากกว่าหนึ่ง (5a, 5b) อันที่ถูกจัดใส่ไว้บนพื้นผิว ของชิ้น ส่วนประกอบของเซรามิก (10) ; และ - ขั้วต่อนำจำนวนมากกว่าหนึ่งขั้ว (7a, 7b) ที่ถูกติดต่อเข้ากับอิ เล็กโทรด (5a, 5b) ดังกล่าว โดยที่ อิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอัน (5a, 5b) จากบรรดาอิเล็กโทรดดังกล่าวมี โครงสร้างที่มีสี่ ระดับชั้นซึ่งรวมเข้าไว้ด้วย : (a) ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (1a, 1b) ที่ทำจากโลหะผสมของ Ni-Ti และได้รับ การปรับแต่เพื่อให้ติดเข้ากับพื้นผิวของ วัสดุที่เป็นเซรามิกที่ทำให้เกิดเป็นชิ้นส่วนประกอบที่เป็น เซรามิก (10) ; (b) ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง (2a, 2b) ที่ทำจากโลหะอย่างน้อย หนึ่งชนิดที่เลือก มาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย Cu, Ag และ Au ที่ถูกจัดให้อยู่บนระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่หนึ่ง(1a, 1b); (c) ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สาม (3a, 3b) ที่ทำจากโลหะผสม Ni-Ti และถูกจัดให้อยู่ บนระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง (2a, 2b) ; และ (d) ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สี่ (4a, 4b) ที่ทำจากโลหะอย่างน้อย หนึ่งชนิดที่เลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วย Cu, Ag และ Au และถูก จัดให้อยู่บนระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สาม (3a, 3b); โดยที่ขั้วต่อนำ (7a, 7b) แต่ละขั้วได้รับการเชื่อมติดเข้ากับอิเล็ก โทรด (5a, 5b) โดยอาศัย โลหะบัดกรี 2. ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่สอดคล้อง กับข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่ หนึ่ง (1a, 1b), ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง (2a, 2b), ระดับชั้นของ อิ เล็กโทรดที่สาม (3a, 3b) และระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สี่ (4a, 4b) ที่ทำให้ เกิดเป็นอิเล็กโทรด (5a, 5b) จะเป็นอิเล็กโทรดที่ถูกฉาบด้วยโลหะ 3. ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่สอดคล้อง กับข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 โดยที่ส่วนประกอบที่เป็น Ti ของโลหะ ผสม Ni-Ti ที่ทำให้เกิดเป็นระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (1a, 1b) และที่สาม (3a, 3b) จะอยู่ในช่วงตั้งแต่ 5% ถึง 20% โดย น้ำหนัก 4. ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่สอดคล้อง กับข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 โดยที่ส่วนประกอบที่เป็น Ti ของโลหะ ผสม Ni-Ti ที่ทำให้เกิดเป็นระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (1a, 1b) และที่สาม (3a, 3b) จะอยู่ในช่วงตั้ง 5% ถึง 10% โดย น้ำหนัก 5. ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่สอดคล้อง กับข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ชิ้นส่วนประกอบที่เป็นเซรามิก (10) จะเป็นชิ้นเซรามิกชนิดแผ่นที่ทำจากเซรา มิกที่เป็นไดอิเล็กตริกสำหรับตัวเก็บประจุที่เป็นเซรามิกชนิดแผ่นเดียวและส่วนประกอบทาง อิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกจะเป็นตัวเก็บประจุที่เป็นเซรามิกชนิดแผ่นเดียว 6. ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่สอดคล้อง กับข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 5 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่อิเล็กโทรด (5a, 5b) แต่ละอันจะมีโครง สร้างที่มีสี่ระดับชั้น 7. ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่สอดคล้อง กับข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ ชิ้นส่วนประกอบที่เป็นเซรามิก (10) ทำจาก BaTiO3, SrTiO3 และ TiO2 อย่างใดอย่างหนึ่ง 8. ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่สอดคล้อง กับข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง (2a, 2b) และที่สี่ (4a, 4b) ถูกทำขึ้นจาก Cu 9. ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่สอดคล้อง กับข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง (2a, 2b) และที่สี่ถูก (4a, 4b) ถูกทำขึ้นจากสิ่งที่ ผสมผสานกันของ Cu, Ag, และ Au 1 0. วิธีการจัดทำส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิก ที่ประกอบด้วยขั้นตอน ต่าง ๆ ดังนี้ : การจัดเตรียมชิ้นส่วนประกอบที่เป็นเซรามิก (10) ที่ทำจากวัสดุที่ เป็นเซรามิก ; การจัดทำอิเล็กโทรดมากกว่าหนึ่งอัน (5a, 5b) บนพื้นผิวของชิ้นส่วน ประกอบที่เป็น เซรามิก (10) ; และ การจัดทำขั้วต่อนำมากกว่าหนึ่งอัน (7a, 7b) เพื่อให้ถูกติดเข้ากับอิ เล็กโทรด (5a, 5b) ต่าง ๆ โดยที่ อิเล็กโทรด (7a, 7b) อย่างน้อยหนึ่งอันจากที่มีอยู่มากกว่าหนึ่งอันถูกจักทำขึ้นโดย ขั้นตอนต่าง ๆ ดังนี้ : (a) การจัดทำระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (1a, 1b) ไว้บนชิ้นส่วน ประกอบที่เป็น เซรามิก (10) โดยที่อิเล็กโทรดที่หนึ่งดังกล่าว ถูกจัดทำขึ้นจากโลหะผสม Ni-Ti และถูกจัดทำขึ้น เพื่อให้ ติดเข้ากับพื้นผิวของวัสดุที่เป็นเซรามิกที่ทำให้เกิดเป็น ชิ้นส่วนประกอบที่เป็นเซรามิก (10) ; (b) การจัดทำระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง (2a, 2b) ที่เป็นโลหะอย่าง น้อยหนึ่งชนิดที่ เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย Cu, Ag และ Au บนระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (1a, 1b) ; (c) การจัดทำระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สาม (3a, 3b) ที่ทำจากโลหะผสม Ni-Ti บนระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง (2a, 2b) ; และ (d) การจัดทำระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สี่ (4a, 4b) ที่เป็นโลหะอย่าง น้อยหนึ่งชนิดที่ เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย Cu, Ag และ Au บนระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สาม (3a, 3b) ; และ การเชื่อมติดบรรดาขั้วต่อนำ (7a, 7b) ดังกล่าวเข้ากับอิเล็กโทรด (5a, 5b) ต่าง ๆ โดย อาศัยโลหะบัดกรี 1
1. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรา มิกที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ที่ 10 โดยที่ระดับชั้นของอิ เล็กโทรดที่หนึ่ง (1a, 1b), ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง(2a, 2b), ระดับ ชั้นของอิเล็กโทรดที่สาม (3a, 3b) และระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สี่ (4a, 4b) ที่ทำให้เกิดเป็น อิเล็กโทรด (5a, 5b) จะถูกจัดทำขึ้นโดยอาศัยการฉาบ ด้วยโลหะของอิเล็กโทรด 1
2. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรา มิกที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ที่ 10 หรือ 11 โดยที่ส่วนประกอบที่ เป็น Ti ของโลหะผสม Ni-Ti ที่ทำให้เกิดเป็นระดับชั้นของ อิ เล็กโทรดที่หนึ่ง (1a, 1b) และที่สาม (3a, 3b) จะอยู่ในช่วงตั้งแต่ 5% ถึง 20% โดยน้ำหนัก 1
3. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรา มิกที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ที่ 10 หรือ 11 โดยที่ส่วนประกอบที่ เป็น Ti ของโลหะผสม Ni-Ti ที่ทำให้เกิดเป็นระดับชั้นของ อิ เล็กโทรดที่หนึ่ง (1a, 1b) และที่สาม (3a, 3b) จะอยู่ในช่วงตั้งแต่ 5% ถึง 10% โดยน้ำหนัก 1
4. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรา มิกที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ที่ 10 ถึง 13 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ชิ้นส่วนประกอบ ที่เป็นเซรามิก (10) จะเป็นชิ้นเซรามิกชนิดแผ่น ที่ทำจากเซรามิกที่ เป็นไดอิเล็กตริกสำหรับตัวเก็บประจุที่เป็นเซรามิกชนิด แผ่นเดียวและ ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกจะ เป็นตัวเก็บประจุที่เป็นเซรามิกชนิดแผ่นเดียว 1
5. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรา มิกที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ที่ 10 ถึง 14 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่อิเล็กโทรด (5a, 5b) แต่ละ อันจะมีโครงสร้างที่มีสี่ระดับชั้น 1
6. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรา มิกที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ที่ 10 โดยที่ชิ้นส่วนประกอบ ที่เป็นเซรามิก (10) ทำจาก BaTiO3, SrTiO3 และ TiO2 อย่างใดอย่าง หนึ่ง 1
7. วิธีการทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่สอดคล้อง กับข้อถือสิทธิ ที่ 10 ถึง 16 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง (2a, 2b) และที่สี่ (4a, 4b) ถูกทำ ขึ้นจาก Cu 1
8. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่สอดคล้อง กับข้อถือสิทธิ ที่ 10 ถึง 16 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง (2a, 2b) และที่สี่ (4a, 4b) ถูกทำ ขึ้นจากสิ่งที่ผสมผสานกันของ Cu, Ag, และ Au
TH101000361A 2001-02-01 ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่มีขั้วต่อนำ TH25959B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH54055A true TH54055A (th) 2002-11-25
TH25959B TH25959B (th) 2009-05-13

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100908985B1 (ko) 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
US6512666B1 (en) High current filter feed-through capacitor
JP6091639B2 (ja) リードレスの多層セラミックコンデンサスタック
DE69736144T2 (de) Teil für Halbleiter aus Aluminiumnitrid-Substratmaterial und seine Herstellungsmethode
DE102009045181A1 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zum Betrieb eines Leistungshalbleitermoduls
CN101189693A (zh) 电子器件及其制作方法
CN1043462C (zh) 具有分段冶炼结构的氮化铝体
CN108369867A (zh) 利用膜进行封装物厚度控制的电容器及制造方法
JPH06318403A (ja) 導電性被膜形成用銅ペースト
US20040121179A1 (en) Electrical multilayer component and method for the production thereof
EP2104941B1 (de) Elektrisches bauelement sowie aussenkontakt eines elektrischen bauelements
IT9047969A1 (it) Procedimento per applicare terminazioni conduttrici su componenti elettronici ceramici
DE102014101092B4 (de) Chip mit Schutzfunktion und Verfahren zur Herstellung
EP1134757B1 (en) Ceramic electronic component having lead terminal
JP2867748B2 (ja) チップ型積層セラミックスコンデンサ
TH54055A (th) ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่มีขั้วต่อนำ
TH25959B (th) ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่มีขั้วต่อนำ
JPS58178903A (ja) 導電性ペ−スト
US5006953A (en) Lead type chip capacitor and process for producing the same
DE202015001441U1 (de) Leistungshalbleitermodul mit kombinierten Dickfilm- und Metallsinterschichten
JPH0737420A (ja) 導体ペースト組成物及びそれを用いた回路基板
JP2003133158A (ja) 電子部品、端子電極材料ペースト及び電子部品の製造方法
JP3366479B2 (ja) メタライズ組成物及び配線基板の製造方法
JP3458701B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
JP2000260654A (ja) 極小チップ型電子部品