TH25959B - ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่มีขั้วต่อนำ - Google Patents
ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่มีขั้วต่อนำInfo
- Publication number
- TH25959B TH25959B TH101000361A TH0101000361A TH25959B TH 25959 B TH25959 B TH 25959B TH 101000361 A TH101000361 A TH 101000361A TH 0101000361 A TH0101000361 A TH 0101000361A TH 25959 B TH25959 B TH 25959B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- electrode
- ceramic
- class
- electronic components
- component
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract 39
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract 12
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical compound [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims 4
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (08/03/44) ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกจะรวมเข้าไว้ด้วยบรรดาอิเล็กโทรดซึ่งแต่ละอันจะมี โครงสร้างที่มีสี่ ระดับชั้นซึ่งรวมถึงระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่หนึ่งที่ทำ จากโลหะผสม Ni-Ti และถูกสร้าง ขึ้นเพื่อให้ติดอย่างแนบชิด กับพื้นผิวของวัสดุที่เป็นเซรามิกซึ่งทำให้เกิดชิ้นส่วน ประกอบที่เป็นเซรามิก, ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สองที่ทำ จากโลหะอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วย Cu, Ag และ Au ที่ถูกจัดให้อยู่บนระดับชั้นของอิเล็ก โทรดที่หนึ่ง, ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สามที่ทำจาก โลหะผสม Ni-Ti ซึ่งถูกจัดให้อยู่บนระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สองและ ระดับชั้นของอิเล็ก โทรดที่สี่ที่ ทำจากโลหะอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย Cu, Ag และ Au ที่ถูกจัดให้อยู่บน ระดับ ชั้นของอิเล็กโทรดที่สาม. บรรดาขั้วต่อนำได้รับการเชื่อม ติดเข้ากับอิเล็กโทรดต่าง ๆ ที่มี โครงสร้างที่มีสี่ระดับ ชั้นโดยอาศัยชิ้นส่วนบัดกรีตามลำดับ. ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกจะรวมเข้าไว้ด้วยบรรดาอิเล็กโทรดซึ่งแต่ละอันจะมี โครงสร้างที่มีสี่ ระดับชั้นซึ่งรวมถึงระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่หนึ่ง ที่ทำ จากโลหะผสม Ni-Ti และถูกสร้าง ขึ้นเพื่อให้ติดอย่างแนบชิด กับพื้นผิวของวัสดุที่เป็นเซรามิกซึ่งทำให้เกิดชิ้นส่วน ประกอบที่เป็นเซรามิก, ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สองที่ทำ จากโลหะอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วย Cu, Ag และ Au ที่ถูกจัดให้อยู่บนระดับชั้นของอิเล็ก โทรดที่หนึ่ง, ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สามที่ทำจาก โลหะผสม Ni-Ti และถูกจัดให้อยู่บนระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สองและ ระดับชั้นของอิเล็ก โทรดที่สี่ ทำจากโลหะอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย Cu, Ag และ Au ที่ถูกจัดให้อยู่บน ระดับ ชั้นของอิเล็กโทรดที่สาม. บรรดาขั้วต่อนำได้รับการเชื่อม ติดเข้ากับอิเล็กโทรดต่าง ๆ ที่มี โครงสร้างที่มีสี่ระดับ ชั้นโดยอาศัยชิ้นส่วนบัดกรีตามลำดับ.
Claims (8)
1. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรา มิกที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ที่ 10 โดยที่ระดับชั้นของอิ เล็กโทรดที่หนึ่ง (1a, 1b), ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง(2a, 2b), ระดับ ชั้นของอิเล็กโทรดที่สาม (3a, 3b) และระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สี่ (4a, 4b) ที่ทำให้เกิดเป็น อิเล็กโทรด (5a, 5b) จะถูกจัดทำขึ้นโดยอาศัยการฉาบ ด้วยโลหะของอิเล็กโทรด 1
2. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรา มิกที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ที่ 10 หรือ 11 โดยที่ส่วนประกอบที่ เป็น Ti ของโลหะผสม Ni-Ti ที่ทำให้เกิดเป็นระดับชั้นของ อิ เล็กโทรดที่หนึ่ง (1a, 1b) และที่สาม (3a, 3b) จะอยู่ในช่วงตั้งแต่ 5% ถึง 20% โดยน้ำหนัก 1
3. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรา มิกที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ที่ 10 หรือ 11 โดยที่ส่วนประกอบที่ เป็น Ti ของโลหะผสม Ni-Ti ที่ทำให้เกิดเป็นระดับชั้นของ อิ เล็กโทรดที่หนึ่ง (1a, 1b) และที่สาม (3a, 3b) จะอยู่ในช่วงตั้งแต่ 5% ถึง 10% โดยน้ำหนัก 1
4. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรา มิกที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ที่ 10 ถึง 13 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ชิ้นส่วนประกอบ ที่เป็นเซรามิก (10) จะเป็นชิ้นเซรามิกชนิดแผ่น ที่ทำจากเซรามิกที่ เป็นไดอิเล็กตริกสำหรับตัวเก็บประจุที่เป็นเซรามิกชนิด แผ่นเดียวและ ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกจะ เป็นตัวเก็บประจุที่เป็นเซรามิกชนิดแผ่นเดียว 1
5. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรา มิกที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ที่ 10 ถึง 14 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่อิเล็กโทรด (5a, 5b) แต่ละ อันจะมีโครงสร้างที่มีสี่ระดับชั้น 1
6. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรา มิกที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ที่ 10 โดยที่ชิ้นส่วนประกอบ ที่เป็นเซรามิก (10) ทำจาก BaTiO3, SrTiO3 และ TiO2 อย่างใดอย่าง หนึ่ง 1
7. วิธีการทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่สอดคล้อง กับข้อถือสิทธิ ที่ 10 ถึง 16 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง (2a, 2b) และที่สี่ (4a, 4b) ถูกทำ ขึ้นจาก Cu 1
8. วิธีการจัดทำส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่สอดคล้อง กับข้อถือสิทธิ ที่ 10 ถึง 16 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ระดับชั้นของอิเล็กโทรดที่สอง (2a, 2b) และที่สี่ (4a, 4b) ถูกทำ ขึ้นจากสิ่งที่ผสมผสานกันของ Cu, Ag, และ Au
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH54055A TH54055A (th) | 2002-11-25 |
| TH25959B true TH25959B (th) | 2009-05-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100908985B1 (ko) | 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 | |
| US6512666B1 (en) | High current filter feed-through capacitor | |
| JP6091639B2 (ja) | リードレスの多層セラミックコンデンサスタック | |
| DE69736144T2 (de) | Teil für Halbleiter aus Aluminiumnitrid-Substratmaterial und seine Herstellungsmethode | |
| DE102009045181A1 (de) | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zum Betrieb eines Leistungshalbleitermoduls | |
| CN101189693A (zh) | 电子器件及其制作方法 | |
| CN1043462C (zh) | 具有分段冶炼结构的氮化铝体 | |
| CN108369867A (zh) | 利用膜进行封装物厚度控制的电容器及制造方法 | |
| JPH06318403A (ja) | 導電性被膜形成用銅ペースト | |
| US20040121179A1 (en) | Electrical multilayer component and method for the production thereof | |
| EP2104941B1 (de) | Elektrisches bauelement sowie aussenkontakt eines elektrischen bauelements | |
| IT9047969A1 (it) | Procedimento per applicare terminazioni conduttrici su componenti elettronici ceramici | |
| DE102014101092B4 (de) | Chip mit Schutzfunktion und Verfahren zur Herstellung | |
| EP1134757B1 (en) | Ceramic electronic component having lead terminal | |
| JP2867748B2 (ja) | チップ型積層セラミックスコンデンサ | |
| TH25959B (th) | ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่มีขั้วต่อนำ | |
| TH54055A (th) | ส่วนประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเซรามิกที่มีขั้วต่อนำ | |
| JPS58178903A (ja) | 導電性ペ−スト | |
| US5006953A (en) | Lead type chip capacitor and process for producing the same | |
| DE202015001441U1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit kombinierten Dickfilm- und Metallsinterschichten | |
| JPH0737420A (ja) | 導体ペースト組成物及びそれを用いた回路基板 | |
| JP2003133158A (ja) | 電子部品、端子電極材料ペースト及び電子部品の製造方法 | |
| JP3366479B2 (ja) | メタライズ組成物及び配線基板の製造方法 | |
| JP3458701B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP2000260654A (ja) | 極小チップ型電子部品 |