TH51200A - เกลือไอโอโดเนียมที่เป็นตัวให้กรดแบบแฝงเร้น - Google Patents

Abstract

DC60 (12/03/44) ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ที่ประกอบด้วย (a1) สารประกอบที่สามารถโพลีเมอไรซ์ได้ หรือ สามารถเชื่อมข้ามได้เชิง ไอออนประจุบวก หรือ เชิงแคทะไลทิคด้วยกรด หรือ (a2) สารประกอบที่เพิ่มความสามารถละลายได้ของมัน ในดีเวลลอปเปอร์ ภาย ใต้การกระทำของกรด และ (c) อย่างน้อยที่สุด ตัวหนึ่งของเกลือไดเอริลไอโอโดเนียม ของสูตร I (สูตรเคมี) (I), ซึ่ง X คือ C3-C20 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล X1 คือ ไฮโดรเจน C1-C20 แอลคิล เชิงเส้น C3-C20 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล โดย กำหนดว่า ผลรวมของคาร์บอนอะตอมใน X และ X1 อย่างน้อยที่สุด คือ 4 Y คือ C1-C10 แอลคิล เชิงเส้น C3-C10 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล A คือ ไอออนประจุลบ ที่ไม่เป็นนิวคลีโอฟิลิค ที่ถูกเลือกจากกลุ่ม (BF4) (SbF6) (PF6) (B(C6F5))4 C1-C20 แอลคิลซัลโฟเนท C2-C20 เฮโลแอลคิลซัลโฟเนท C6-C10 เอริลซัลโฟเนท ที่ไม่ถูกเข้าแทนที่ แคมฟอร์ซัลโฟเนท C1-C20-เปอร์ฟลูออโรแอลคิลซัลโฟนิลเมทไทด์ C1-C20- เปอร์ฟลูออโรแอลคิล ซัลโฟนิลอิไมด์ และ C6-C10 เอริลซัลโฟเนท ที่ถูกเข้าแทนที่ด้วย เฮโลเจน NO2 C1-C12 แอลคิล C1-C12 เฮโลแอลคิล C1-C12 แอลคอกซี หรือ โดย COOR1 และ R1 คือ C1-C20 แอลคิล ฟีนิล เบนซิล หรือ ฟีนิล ที่ถูกเข้าแทนที่แบบโมโน- หรือ โพลี-โดย C1-C12 แอลคิล C1-C12 แอลคอกซี หรือ โดยเฮโลเจน โดยกำหนดว่า วงแหวนฟีนิล 2 วง บนอะตอมไอโอดีน ไม่ถูกเข้าแทนที่แบบเดียว กัน มีความไวสูง ความเสถียรในการเก็บสูง มีความสามารถละลายได้ดี และมีแนวโน้ม ที่จะตกผลึกต่ำ ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ที่ประกอบด้วย (a1) สารประกอบที่สามารถโพลีเมอไรซ์ได้ หรือ สามารถเชื่อมข้ามได้เชิง ไอออนประจุบวก หรือ เชิงแคทะไลทิคด้วยกรด หรือ (a2) สารประกอบที่เพิ่มความสามารถละลายได้ของมัน ในดีเวลลอปเปอร์ ภาย ใต้การกระทำของกรด และ (c) อย่างน้อยที่สุด ตัวหนึ่งของเกลือไดเอริลไอโอโดเนียม ของสูตร I (สูตรเคมี) (I), ซึ่ง X คือ C3-C20 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล X1 คือ ไฮโดรเจน C1-C20 แอลคิล เชิงเส้น C3-C20 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล โดย กำหนดว่า ผลรวมของคาร์บอนอะตอมใน X และ X1 อย่างน้อยที่สุด คือ 4 Y คือ C1-C10 แอลคิล เชิงเส้น C3-C10 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล A คือ ไอออนประจุลบ ที่ไม่เป็นนิวคลีโอฟิลิค ที่ถูกเลือกจากกลุ่ม (BF4) (SbF6) (PF6) (B(C6F5))4 C1-C20 แอลคิลซัลโฟเนท C2-C20 เฮโลแอลคิลซัลโฟเนท C6-C10 เอริลซัลโฟเนท ที่ไม่ถูกเข้าแทนที่ แคมฟอร์ซัลโฟเนท C1-C20-เปอร์ฟลูออโรแอลคิลซัลโฟนิลเมทไทด์ C1-C20- เปอร์ฟลูออโรแอลคิล ซัลโฟนิลอิไมด์ และ C6-C10 เอริลซัลโฟเนท ที่ถูกเข้าแทนที่ด้วย เฮโลเจน NO2 C1-C12 แอลคิล C1-C12 เฮโลแอลคิล C1-C12 แอลคอกซี หรือ โดย COOR1 และ R1 คือ C1-C20 แอลคิล ฟีนิล เบนซิล หรือ ฟีนิล ที่ถูกเข้าแทนที่แบบโมโน- หรือ โพลี-โดย C1-C12 แอลคิล C1-C12 แอลคอกซี หรือ โดยเฮโลเจน โดยกำหนดว่า วงแหวนฟีนิล 2 วง บนอะตอมไอโอดีน ไม่ถูกเข้าแทนที่แบบเดียว กัน มีความไวสูง ความเสถียรในการเก็บสูง มีความสามารถละลายได้ดี และมีแนวโน้ม ที่จะตกผลึกต่ำ

Claims (8)

1. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสีที่ประกอบด้วย (a1) สารประกอบที่สามารถโพลีเมอไรซ์ได้ หรือ สามารถเชื่อมข้ามได้เชิงไอออน ประจุบวก หรือ เชิงแคทะไลทิคด้วยกรด หรือ (a2) สารประกอบที่เพิ่มความสามารถละลายได้ของมันในดีเวลลอปเปอร์ ภายใต้ การกระทำของกรด และ (b) อย่างน้อยที่สุดตัวหนึ่งของเกลือไดเอริลไอโอโดเนียมของสูตร I (สูตรเคมี) (I) ซึ่ง X คือ C3-C20 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล X1 คือ ไฮโดรเจน, C1-C20 แอลคิล เชิงเส้น, C3-C20 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล โดยกำหนดว่าผลรวมของคาร์บอนอะตอมใน X และ X1 อย่างน้อยที่สุดคือ 4 Y คือ C1-C10 แอลคิล เชิงเส้น, C3-C10 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล A คือ ไอออนประจุลบ ที่ไม่เป็นนิวคลีโอฟิลิค ที่ถูกเลือกจากกลุ่ม (BF4) , (SbF6) , (PF6) , (B(C6F5))4, C1-C20 แอลคิลซัลโฟเนท, C2-C20 เฮโลแอลคิลซัลโฟเนท, C6-C10 เอริลซัลโฟเนท ที่ไม่ ถูกเข้าแทนที่, แคมฟอร์ซัลโฟเนท, C1-C20 -เปอร์ฟลูออโรแอลคิลซัลโฟนิลเมทไทด์, C1-C20 -เปอร์ฟลู ออโรแอลคิลซัลโฟนิลอิไมด์ และ C6-C10 เอริลซัลโฟเนท ที่ถูกเข้าแทนที่ด้วย เฮโลเจน, NO2, C1-C12 แอลคิล, C1-C12 เฮโลแอลคิล, C1-C12 แอลคอกซี หรือ โดย COOR1 และ R1 คือ C1-C20 แอลคิล, ฟีนิล, เบนซิล, หรือ ฟีนิล ที่ถูกเข้าแทนที่แบบโมโน- หรือ โพลี- โดย C1-C12 แอลคิล, C1-C12 แอลคอกซี หรือ โดยเฮโลเจน โดยกำหนดว่า วงแหวนฟีนิล 2 วง บนอะตอมไอโอดีน ไม่ถูกเข้าแทนที่แบบเดียว กัน

2. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งสาร ประกอบของสูตร I ในนั้น X คือ C4-C12 แอลคิล ชนิดแขนง หรือไซโคลเฮกซิล

3. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งสาร ประกอบของสูตร I ในนั้น Y คือ C1-C6 แอลคิล เชิงเส้น หรือไซโคลเฮกซิล

4. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งสาร ประกอบของสูตร I ในนั้น A คือ ไอออนประจุลบ ที่ไม่เป็นนิวคลีโอฟิลิค ที่ถูกเลือกจากกลุ่ม (PF6), (B(C6F5))4,C1-C12 แอลคิลซัลโฟเนท, C2-C12 เฮโลแอลคิลซัลโฟเนท, ฟีนิลซัลโฟเนท ที่ไม่ ถูกเข้าแทนที่, แคมฟอร์ซัลโฟเนท, C1-C20 เปอร์ฟลูออโรแอลคิลซัลโฟนิลเมทไทด์, C1-C20-เปอร์ฟลู ออโรแอลคิลซัลโฟนิลอิไมด์ และ ฟีนิลซัลโฟเนท ที่ถูกเข้าแทนที่ด้วย เฮโลเจน, NO2, C1-C12 แอลคิล, C1-C12 เฮโลแอลคิล, C1-C12 แอลคิกซี หรือ โดย COOR1

5. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งสาร ปะกอบของสูตร I ในนั้น X คือ C4-C6 แอลคิล เชิงแขนง หรือ ไซโคลเฮกซิล X1 คือ ไฮโดรเจน หรือ C4-C6 แอลคิล เชิงแขนง Y คือ C1-C4 แอลคิล เชิงเส้น, C3-C4 แอลคิล เชิงแขนง หรือ ไซโคลเฮกซิล A คือ ไอออนประจุลบ ที่ไม่เป็นนิวคลิโอฟิลิค ที่ถูกเลือกจากกลุ่ม (PF6), แคมฟอร์ซัลโฟเนท และฟีนิลซัลโฟเนท ที่ถูกเข้าแทนที่ด้วย C1-C4 แอลคิล

6. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่ง องค์ประกอบ (a1) ในนั้น อย่างน้อยที่สุด คือ สารประกอบตัวหนึ่งที่ถูกเลือกจากกลุ่มของสาร ประกอบไซโคลเอลิฟาทิค อีปอกซี, ไกลซิคิล อีเทอร์, สารประกอบออกซีเทน, ไวนิล อีเทอร์, มีเลมีน เรซิน ที่สามารถเชื่อมข้ามได้ด้วยกรด, สารประกอบไฮดรอกซิเมทิลีน ที่สามารถเชื่อมข้าม ได้ด้วยกรด และสารประกอบแอลคอกซีเมทีลีน ที่สามารถเชื่อมข้ามได้ด้วยกรด

7. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่ง องค์ประกอบ (a2) ในนั้น อย่างน้อยที่สุด คือ สารประกอบตัวหนึ่งที่ถูกเลือกจากกลุ่มของไซโคล เอลิฟาทิค โคโพลีเมอร์, โคโพลีเมอร์ ที่มีกลุ่ม 4-ไฮดอรกซี-ฟีนิล, โคโพลีเมอร์ที่มีเมลีอิค แอซิด แอนไฮไดรด์ และโคโพลีเมอร์ ที่มีเอคริลอิค แอซิด-, เอคริลอิค แอซิด เอสเทอร์- และเมทาคริลอิค แอซิด เอสเทอร์ โดยกำหนดว่า โคโพลีเมอร์เหล่านั้นมีกลุ่มฟังชันแนล ที่เพิ่มความสามารถละลาย ได้ของโพลีเมอร์นั้นในดีเวลลอปเปอร์ที่เป็นต่าง ภายหลังการทำปฏิกิริยากับกรด 8. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่นอกจาก องค์ประกอบ (a1) หรือ (a2) และ (b) แล้วยังประกอบด้วยอย่างน้อยที่สุดสารประกอบตัวกระตุ้น (d) ตัวหนึ่ง 9. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 8 ซึ่ง สารประกอบตัวกระตุ้น (d) คือ เบนโซฟีโนน, ไทโอแซนโทน, แอนทราซีน หรืออนุพันธ์ของสาร เหล่านี้ 1 0. วิธีการทำโพลีเมอไรเซชันด้วยแสง หรือเชื่อมข้ามสารประกอบที่สามารถ โพลีเมอไรซ์ได้ หรือสามารถเชื่อมข้ามได้เชิงไอออนประจุบวก หรือ เชิงกรด-แคทะไลทิค ภายใต้ การกระทำของการฉายรังสีแม่เหล็กไฟฟ้า หรือ ลำแสงอิเลคทรอน ซึ่งในวิธีการนั้นใช้ สาร ประกอบตามสูตร I ตามข้อถือสิทธิ 1 เป็นตัวให้กรดด้วยแสงแฝงเร้น 1 1. ซับสเทรตที่ถูกเคลือบ ซึ่งอย่างน้อยที่สุดผิวหน้าด้านหนึ่งถูกเคลือบด้วยส่วน ผสมตามข้อถือสิทธิ 1 1 2. วิธีการทำการผลิตภาพนูน ซึ่งส่วนผสมตามข้อถือสิทธิ 1 ถูกใช้กับซับสเทรต หนึ่งแล้วให้ถูกกับแสงที่เป็น อิเมจ-ไวซ์ 1 3. ตัวต้านทางแสงที่ประกอบด้วยสารประกอบสูตร I ตามข้อถือสิทธิ 1 เป็น ตัวให้กรดที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี 1 4. ตัวต้านทานแสงตามข้อถือสิทธิ 13 ซึ่งตัวต้านทานแสงนั้น คือ ตัวต้านทาน เนกะทีฟ 1 5. ตัวต้านทางแสงตามข้อถือสิทธิ 13 ซึ่งตัวต้านทางแสงนั้น คือ ตัวต้านทาน โพซิทีฟ 1 6. ตัวต้านทานแสงตามข้อถือสิทธิ 13 ซึ่งตัวต้านทานแสงนั้น คือ ตัวต้านทาน ที่เพิ่มขึ้นเชิงเคมี 1 7.วิธีการตามข้อถือสิทธิ 10 ในการผลิตส่วนผสมที่เคลือบผิวหน้าส่วนผสมสาร เคลือบที่เป็นผง, หมึกพิมพ์ แผ่นพิมพ์ สารประกอบทำฟัน สเทอรีโอไลโทแกรฟีเรซิน สารยึดติด สารเคลือบต้านการเกาะติด ที่กรองสี วัสดุต้านทาน หรือวัสดุบันทึกเป็นภาพ 1

8. สารประกอบสูตร I ตามข้อถือสทิธิ 1