TH42886A3 - อุปกรณ์การสร้างลำไอออนและวิธีของการทำงานต่อแหล่งกำเนิดไอออนเพื่อการดังกล่าว - Google Patents
อุปกรณ์การสร้างลำไอออนและวิธีของการทำงานต่อแหล่งกำเนิดไอออนเพื่อการดังกล่าวInfo
- Publication number
- TH42886A3 TH42886A3 TH9901004656A TH9901004656A TH42886A3 TH 42886 A3 TH42886 A3 TH 42886A3 TH 9901004656 A TH9901004656 A TH 9901004656A TH 9901004656 A TH9901004656 A TH 9901004656A TH 42886 A3 TH42886 A3 TH 42886A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- ion source
- ion
- equipment
- power source
- plasma
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (07/03/43) อุปกรณ์การสร้างลำไอออนและวิธีของการทำงานต่อแหล่งกำเนิดไอออน เพื่ออุปกรณ์ดัง กล่าวจะถูกจัดให้มีสำหรับการลดความ ถี่ของการเบรกดาวน์เนื่องจากอนุภาค และสำหรับการเพิ่ม เวลา ที่ใช้ได้ของอุปกรณ์โดยการทำงานต่ออุปกรณ์ในสถานีเสถียรเป็น เวลานาน และการลดการ บำรุงรักษาดังเช่นการทำความสะอาด สำหรับอุปกรณ์ให้น้อยที่สุดและอื่น ๆ ก๊าซสร้างพลาสมาจะ ถูก นำเข้าไปยังห้องสูญญากาศที่ถูกสร้างด้วยห้องการสร้างและ แหล่งกำเนิดไอออนที่ถูกติดตั้งเข้า มาเพื่อสร้างพลาสมาจาก ก๊าซ และสนามไฟฟ้าจะถูกใช้ภายในห้องสูญญากาศเพื่อแยกไอออน ภาย ในพลาสมาเป็นลำไอออน แหล่งกำเนิดไอออนประกอบด้วย แหล่ง จ่ายกำลังอาร์ค, แหล่งจ่ายกำลัง การ เร่งสำหรับการจ่ายขั้วการเร่งด้วยความต่างศักย์บวกเพื่อแยก ลำไอออน และแหล่งจ่ายกำลังลด การเร่งสำหรับการจ่ายขั้วลดการ เร่งด้วยความต่างศักย์ลบเพื่อป้องกันไอออนจากการไหลไปยัง แหล่งกำเนิดไอออน เมื่อแหล่งกำเนิดไอออนถูกทำงาน ขั้วการ เร่งจะถูกจ่ายครั้งแรกด้วยความต่าง ศักย์บวก และจากนั้น ขั้วลดการเร่งจะถูกจ่ายด้วยความต่างศักย์ลบ อุปกรณ์การสร้างลำไอออนและวิธีของการทำงานต่อแหล่งกำเนิดไอออน เพื่ออุปกรณ์ดัง กล่าวจะถูกจัดให้มีสำหรับการลดความ ถี่ของการเบรกดาวน์เนื่องจากอนุภาค และสำหรับการเพิ่ม เวลา ที่ใช้ได้ของอุปกรณ์โดยการทำงานต่ออุปกรณ์ในสถานัเสถียรเป็น เวลานาน และการลดการ บำรุงรักษาดังเช่นการทำความสะอาด สำหรับอุปกรณ์ให้น้อยที่สุดและอื่น ๆ ก๊าซสร้างพลาสมาจะ ถูก นำเข้าไปยังห้องสูญญากาศที่ถูกสร้างด้วยห้องการสร้างและ แหล่งกำเนิดไอออนที่ถูกติดตั้งเข้า มาเพื่อสร้างพลาสมาจาก ก๊าซ และสนามไฟฟ้าจะถูกใช้ภายในห้องสูญญากาศเพื่อแยกไอออน ภาย ในพลาสมาเป็นลำไอออน แหล่งกำเนิดไอออนประกอบด้วย แหล่ง จ่ายกำลังอาร์ค, แหล่งจ่ายกำลัง การ เร่งสำหรับการจ่ายขั้วการเร่งด้วยความต่างศักย์บวกเพื่อแยก ลำไอออน และแหล่งจ่ายกำลังลด การเร่งสำหรับการจ่ายขั้วลดการ เร่งด้วยความต่างศักย์ลบเพื่อป้องกันไอออนจากการไหลไปยัง แหล่งกำเนิดไอออน เมื่อแหล่งกำเนิดไอออนถูกทำงาน ขั้วการ เร่งจะถูกจ่ายครั้งแรกด้วยความต่าง ศักย์บวก และจากนั้น ขั้วลดการเร่งจะถูกจ่ายด้วยความต่างศักย์ลบ
Claims (1)
1. วิธีของการทำงานต่อแหล่งกำเนิดไอออนสำหรับอุปกรณ์การสร้างลำไอออน โดยที่ แหล่งกำเนิดไอออนประกอบด้วย แหล่ง จ่ายกำลังอาร์ค, แหล่งจ่ายกำลังการเร่งสำหรับการจ่ายขั้ว การเร่งด้วยแรงดันบวกเพื่อแยกลำไอออน, และแหล่งจ่ายกำลังลด การเร่งสำหรับการจ่ายขั้วลดการ เร่งด้วยแรงดันลบเพื่อ สำหรับการป้องกันอิเล็กตรอนจากการไหลไปยังแหล่งกำเนิดไอออน โดย ก๊าซจะถูกนำเข้าไปยังแหล่งกำเนิดไอออน เพื่อสร้างพลาสมา จากก๊าซดังกล่าว และสนามไฟฟ้าจะ ถูกสร้างเพื่อแยกไอออนภายใน พลาสมาเป็นลำไอออน จะเป็นวิธีที่ประกอบด้วยแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH42886A3 true TH42886A3 (th) | 2001-02-05 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2332047A1 (en) | Metastable atom bombardment source | |
| AR025066A2 (es) | Metodo para ionizar un vapor de revestimiento en una disposicion de revestimiento por deposicion de vapor, y disposicion de revestimiento por deposicion devapor que usa un catodo con una campana anodica | |
| WO2003030240A3 (en) | Etching method and apparatus | |
| WO2002078041A3 (en) | Neutral particle beam processing apparatus | |
| JP5141732B2 (ja) | イオン源電極のクリーニング方法 | |
| WO2002078407A3 (en) | Neutral particle beam processing apparatus | |
| US5640009A (en) | Fast atom beam source | |
| EP0639939B1 (en) | Fast atom beam source | |
| US5216241A (en) | Fast atom beam source | |
| US20070166207A1 (en) | Plasma-generating device and method of treating a gaseous medium | |
| CN215268833U (zh) | 一种低温等离子体产生设备 | |
| TH42886A3 (th) | อุปกรณ์การสร้างลำไอออนและวิธีของการทำงานต่อแหล่งกำเนิดไอออนเพื่อการดังกล่าว | |
| US5497005A (en) | Method and apparatus for producing a stream of ionic aluminum | |
| JP3064214B2 (ja) | 高速原子線源 | |
| EP0469631A3 (en) | Ion pump and vacuum pumping unit using the same | |
| JP2004362936A (ja) | 管内ガスの放電防止構造及びその構造を備えるガスイオン源 | |
| JP3103181B2 (ja) | 高速原子線源 | |
| JPS5924358Y2 (ja) | イオン化装置 | |
| JP2822528B2 (ja) | イオン源装置 | |
| JP2879342B2 (ja) | 電子ビーム励起イオン源 | |
| JP5370556B2 (ja) | イオン源電極のクリーニング方法 | |
| JP4841177B2 (ja) | プラズマ洗浄処理装置 | |
| JPH0992199A (ja) | イオンビーム発生方法およびその装置 | |
| KR200222126Y1 (ko) | 이온 발생기 | |
| Ciuti | A study of ion beams produced by a duoplasmatron ion source |