TH41599A - อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัดโปรแกรมใหม่ได้ที่มีขนาดของหน้าที่แปรผัน - Google Patents
อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัดโปรแกรมใหม่ได้ที่มีขนาดของหน้าที่แปรผันInfo
- Publication number
- TH41599A TH41599A TH9801004822A TH9801004822A TH41599A TH 41599 A TH41599 A TH 41599A TH 9801004822 A TH9801004822 A TH 9801004822A TH 9801004822 A TH9801004822 A TH 9801004822A TH 41599 A TH41599 A TH 41599A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- array
- memory cells
- memory
- logic
- accessing
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (29/02/43) อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัดโปรแกรมใหม่ได้ ที่ได้รับการปรับปรุงจะยอม ให้มีการกำหนดหน้าภายในแถวลำดับของเซลล์ หน่วยความจำ ซึ่งแปรผันขนาดได้ และ ยอมให้มีการลบเฉพาะข้อ มูลนั้นที่บรรจุอยู่ภายในหน้าที่แปรผันที่กำหนดไว้ ขณะที่ ไม่ ทำให้เกิดผลกระทบต่อข้อมูลที่เหลืออยู่ในแถวลำดับของ เซลล์หน่วยความจำและ จัดทำ โปรแกรมใหม่ให้กับหน้าที่แปรผัน ที่กำหนดไว้ อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัด โปรแกรมใหม่ได้ ที่ได้รับการปรับปรุงที่มีขนาดของหน้าที่แปรผัน จะประกอบ ด้วย แถว ลำดับของเซลล์หน่วยความจำ ที่ซึ่งเซลล์หน่วยความจำ ถูกจัดเรียงเป็นแถวและคอลัมน์, ตรรกะในการถอดรหัสเลขที่ อยู่ที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ สำหรับ เข้าถึงแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ, ตรรกะของวรจรขยายที่ ถูกเชื่อมต่อกับ แถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ สำหรับขยาย ระดับแรงดันไฟฟ้าระหว่างเซลล์หน่วย ความจำจำนวนหนึ่ง และบัส ข้อมูล เมื่อเข้าถึงแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ, ตรรกะใน การเลือกคอลัมน์ที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของเซลล์หน่วย ความจำสำหรับ ตัดสินกำหนดว่า คำใดจากแถวที่ถูกเลือกของแถวลำ ดับของเซลล์หน่วยความจำที่ถูก เข้าถึง และสำหรับต่อเซลล์ หน่วยความจำจำนวนหนึ่งกับตรรกะของวงจรขยาย, สัญญาณควบคุม ที่ถูกเชื่อมต่อกับตรรกะของวงจรขยาย สำหรับเข้าถึงแถวลำดับ ของ เซลล์หน่วยความจำ และสัญญาณเปิดทางให้กับบล็อกที่ถูก เชื่อมต่อกับตรรกะในการ ถอดรหัสเลขที่อยู่ สำหรับ แปรผันขนาดของหน้าภายในแถวลำดับของเซลล์หน่วยความ จำที่จะ ถูกลบ อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัดโปรแกรมใหม่ได้ ที่ได้รับการปรับปรุงจะยอมให้มีการกำหนดหน้าภายในแถวลำดับของเซลล์ หน่วยความจำ ซึ่งแปรผันขนาดได้ และยอมให้มีการลบเฉพาะข้อ มูลนั้นที่บรรจุอยู่ภายในหน้าที่แปรผันที่กำหนดไว้ ขณะที่ ไม่ทำให้เกิดผลกระทบต่อข้อมูลที่เหลืออยู่ในแถวลำดับของ เซลล์หน่วยความจำและจัดทำโปรแกรมใหม่ให้กับหน้าที่แปรผัน ที่กำหนดไว้ อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัดโปรแกรมใหม่ได้ ที่ได้รับการปรับปรุงที่มีขนาดของหน้าที่แปรผัน จะประกอบ ด้วย แถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ ที่ซึ่งเซลล์หน่วยความจำ ถูกจัดเรียงเป็นแถวและคอลัมน์, ตรรกะในการถอดรหัสเลขที่ อยู่ที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำสำหรับ เข้าถึงแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ, ตรรกะของวรจรขยายที่ ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ สำหรับขยาย ระดับแรงดันไฟฟ้าระหว่างเซลล์หน่วยความจำจำนวนหนึ่ง และบัส ข้อมูล เมื่อเข้าถึงแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ, ตรรกะใน การเลือกคอลัมน์ที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของเซลล์หน่วย ความจำสำหรับตัดสินกำหนดว่า คำใดจากแถวที่ถูกเลือกของแถวลำ ดับของเซลล์หน่วยความจำที่ถูกเข้าถึง และสำหรับต่อเซลล์ หน่วยความจำจำนวนหนึ่งกับตรรกะของวงจรขยาย, สัญญาณควบคุม ที่ถูกเชื่อมต่อกับตรรกะของวงจรขยาย สำหรับเข้าถึงแถวลำดับ ของเซลล์หน่วยความจำ และสัญญาณเปิดทางให้กับบล็อกที่ถูก เชื่อมต่อกับตรรกะในการถอดรหัสเลขที่อยู่ สำหรับ แปรผันขนาดของหน้าภายในแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำที่จะ ถูกลบ
Claims (1)
1. อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัดโปรแกรมใหม่ได้ที่ประกอบด้วย แถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ ซึ่งเซลล์หน่วยความจำจะถูก จัดเรียงเป็นแถวและคอลัมน์ ตรรกะในการถอดรหัสเลขที่อยู่ที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับ ของเซลล์หน่วยความจำสำหรับเข้าถึงแถวลำดับของเซลล์หน่วย ความจำ ตรรกะของวงจรขยายที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของเซลล์หน่วย ความจำสำหรับขยายระดับแรงดันไฟฟ้าระหว่าง บรรดาเซลล์หน่วย ความจำและบัสข้อมูล เมื่อเข้าถึงแถวลำดับของเซลล์หน่วยความ จำ ตรรกะในการเลือกคอลัมน์ที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของ เซลล์หน่วยความจำสำหรแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH41599A true TH41599A (th) | 2000-11-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5319589A (en) | Dynamic content addressable memory device and a method of operating thereof | |
| US6614689B2 (en) | Non-volatile memory having a control mini-array | |
| KR920018766A (ko) | 불휘발성 반도체 기억장치 | |
| KR850008023A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR900005441A (ko) | 반도체 메모리 회로 | |
| KR970072440A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
| KR920017121A (ko) | 기록검증 제어회로를 갖춘 전기적으로 소거 및 프로그램 가능한 독출전용 기억장치 | |
| JPH0157438B2 (th) | ||
| KR960005355B1 (ko) | 불휘발성 반도체기억장치 및 이를 이용한 기억시스템 | |
| JP2006508481A5 (th) | ||
| JPH1145590A (ja) | プロセス変量による多論理値記憶用メモリ回路及び方法 | |
| KR950034254A (ko) | 고대역폭을 얻기 위한 반도체 메모리장치 및 그 신호선배치방법 | |
| JPH1166866A (ja) | メモリセルにおいて３つ以上の状態を記憶及び読出可能とするための多値記憶機構を用いるメモリシステム | |
| US6438024B1 (en) | Combining RAM and ROM into a single memory array | |
| KR970012708A (ko) | 집적 반도체 메모리 장치 | |
| KR930018588A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리장치 | |
| EP0107340B1 (en) | Dual port type semiconductor memory | |
| KR930024167A (ko) | 반도체 메모리 | |
| US6496446B2 (en) | Semiconductor memory device having burst readout mode and data readout method | |
| KR960026781A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR20000070274A (ko) | 가변 페이지 사이즈를 갖는 리프로그래머블 메모리 장치 | |
| KR910020720A (ko) | 랜덤 액세스 메모리내의 행 캐쉬용장치 | |
| US6724663B2 (en) | Erase block architecture for non-volatile memory | |
| TH41599A (th) | อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัดโปรแกรมใหม่ได้ที่มีขนาดของหน้าที่แปรผัน | |
| KR900017171A (ko) | 반도체집적회로 |