TH41599A - Programmable memory type device with variable page size. - Google Patents

Programmable memory type device with variable page size.

Info

Publication number
TH41599A
TH41599A TH9801004822A TH9801004822A TH41599A TH 41599 A TH41599 A TH 41599A TH 9801004822 A TH9801004822 A TH 9801004822A TH 9801004822 A TH9801004822 A TH 9801004822A TH 41599 A TH41599 A TH 41599A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
array
memory cells
memory
logic
accessing
Prior art date
Application number
TH9801004822A
Other languages
Thai (th)
Inventor
เอ. ทอมเซน นายโจเซฟ
เจ. โฟนนิก นายทิมโมทรี
โบเลส นายไบอัน
พีน่า นายเฮนรี่
อี. ลูเก นายกอร์ดอน
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH41599A publication Critical patent/TH41599A/en

Links

Abstract

DC60 (29/02/43) อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัดโปรแกรมใหม่ได้ ที่ได้รับการปรับปรุงจะยอม ให้มีการกำหนดหน้าภายในแถวลำดับของเซลล์ หน่วยความจำ ซึ่งแปรผันขนาดได้ และ ยอมให้มีการลบเฉพาะข้อ มูลนั้นที่บรรจุอยู่ภายในหน้าที่แปรผันที่กำหนดไว้ ขณะที่ ไม่ ทำให้เกิดผลกระทบต่อข้อมูลที่เหลืออยู่ในแถวลำดับของ เซลล์หน่วยความจำและ จัดทำ โปรแกรมใหม่ให้กับหน้าที่แปรผัน ที่กำหนดไว้ อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัด โปรแกรมใหม่ได้ ที่ได้รับการปรับปรุงที่มีขนาดของหน้าที่แปรผัน จะประกอบ ด้วย แถว ลำดับของเซลล์หน่วยความจำ ที่ซึ่งเซลล์หน่วยความจำ ถูกจัดเรียงเป็นแถวและคอลัมน์, ตรรกะในการถอดรหัสเลขที่ อยู่ที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ สำหรับ เข้าถึงแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ, ตรรกะของวรจรขยายที่ ถูกเชื่อมต่อกับ แถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ สำหรับขยาย ระดับแรงดันไฟฟ้าระหว่างเซลล์หน่วย ความจำจำนวนหนึ่ง และบัส ข้อมูล เมื่อเข้าถึงแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ, ตรรกะใน การเลือกคอลัมน์ที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของเซลล์หน่วย ความจำสำหรับ ตัดสินกำหนดว่า คำใดจากแถวที่ถูกเลือกของแถวลำ ดับของเซลล์หน่วยความจำที่ถูก เข้าถึง และสำหรับต่อเซลล์ หน่วยความจำจำนวนหนึ่งกับตรรกะของวงจรขยาย, สัญญาณควบคุม ที่ถูกเชื่อมต่อกับตรรกะของวงจรขยาย สำหรับเข้าถึงแถวลำดับ ของ เซลล์หน่วยความจำ และสัญญาณเปิดทางให้กับบล็อกที่ถูก เชื่อมต่อกับตรรกะในการ ถอดรหัสเลขที่อยู่ สำหรับ แปรผันขนาดของหน้าภายในแถวลำดับของเซลล์หน่วยความ จำที่จะ ถูกลบ อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัดโปรแกรมใหม่ได้ ที่ได้รับการปรับปรุงจะยอมให้มีการกำหนดหน้าภายในแถวลำดับของเซลล์ หน่วยความจำ ซึ่งแปรผันขนาดได้ และยอมให้มีการลบเฉพาะข้อ มูลนั้นที่บรรจุอยู่ภายในหน้าที่แปรผันที่กำหนดไว้ ขณะที่ ไม่ทำให้เกิดผลกระทบต่อข้อมูลที่เหลืออยู่ในแถวลำดับของ เซลล์หน่วยความจำและจัดทำโปรแกรมใหม่ให้กับหน้าที่แปรผัน ที่กำหนดไว้ อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัดโปรแกรมใหม่ได้ ที่ได้รับการปรับปรุงที่มีขนาดของหน้าที่แปรผัน จะประกอบ ด้วย แถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ ที่ซึ่งเซลล์หน่วยความจำ ถูกจัดเรียงเป็นแถวและคอลัมน์, ตรรกะในการถอดรหัสเลขที่ อยู่ที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำสำหรับ เข้าถึงแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ, ตรรกะของวรจรขยายที่ ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ สำหรับขยาย ระดับแรงดันไฟฟ้าระหว่างเซลล์หน่วยความจำจำนวนหนึ่ง และบัส ข้อมูล เมื่อเข้าถึงแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ, ตรรกะใน การเลือกคอลัมน์ที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของเซลล์หน่วย ความจำสำหรับตัดสินกำหนดว่า คำใดจากแถวที่ถูกเลือกของแถวลำ ดับของเซลล์หน่วยความจำที่ถูกเข้าถึง และสำหรับต่อเซลล์ หน่วยความจำจำนวนหนึ่งกับตรรกะของวงจรขยาย, สัญญาณควบคุม ที่ถูกเชื่อมต่อกับตรรกะของวงจรขยาย สำหรับเข้าถึงแถวลำดับ ของเซลล์หน่วยความจำ และสัญญาณเปิดทางให้กับบล็อกที่ถูก เชื่อมต่อกับตรรกะในการถอดรหัสเลขที่อยู่ สำหรับ แปรผันขนาดของหน้าภายในแถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำที่จะ ถูกลบ DC60 (29/02/43), programmable memory-type device. That has been updated will allow Pages are defined within an array of memory cells that can vary in size and allow specific deletions. That data contained within a defined variable page while not affecting the rest of the data in the sequence of Memory cells and reprogrammed with the assigned variable pages. Can be re-programmed Improved page size with variable page size comprises an array of memory cells. Where the memory cells Are arranged in rows and columns, the logic of decoding numbers An address connected to an array of memory cells for accessing the array of memory cells, the logic of moving extends that Was connected with An array of memory cells for expanding the voltage levels between unit cells. A certain amount of memory and a data bus when accessing an array of memory cells, the logic for selecting a column connected to a memory cell array determines whether Any word from the selected row of the trunk row Outage of the memory cells that are being accessed and for each cell. A number of memory to the amplifier logic, the control signal is connected to the logic of the amplifier. For accessing an array of memory cells And the signal that opened the way for the right block Connected to the logic of Decode address numbers for varying page size within an array of memory cells to be deleted. Programmable memory-type devices. The improved allows pages within array memory cells to be variable in size. And allows for specific deletion That data contained within a defined variable page while not affecting the rest of the data in the sequence of Memory cells and reprogrammed with the assigned variable pages.Programmable memory type devices. Improved page size with variable page size comprises an array of memory cells. Where the memory cells Are arranged in rows and columns, the logic of decoding numbers An address that is connected to an array of memory cells for Accessing the array of memory cells, the logic of the path expands at Is connected to a memory cell array for amplifying the voltage level between a number of memory cells and the data bus.When accessing a memory cell array, the column selection logic is connected to an array of Unit cell Memory for determining that Any word from the selected row of the trunk row Off of the memory cell being accessed. And for per cell A number of memory to the amplifier logic, the control signal is connected to the logic of the amplifier. For accessing an array Of memory cells And the signal that opened the way for the blocked Connects to address decoding logic for varying page size within an array of memory cells to be deleted.

Claims (1)

1. อุปกรณ์ประเภทหน่วยความจำที่จัดโปรแกรมใหม่ได้ที่ประกอบด้วย แถวลำดับของเซลล์หน่วยความจำ ซึ่งเซลล์หน่วยความจำจะถูก จัดเรียงเป็นแถวและคอลัมน์ ตรรกะในการถอดรหัสเลขที่อยู่ที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับ ของเซลล์หน่วยความจำสำหรับเข้าถึงแถวลำดับของเซลล์หน่วย ความจำ ตรรกะของวงจรขยายที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของเซลล์หน่วย ความจำสำหรับขยายระดับแรงดันไฟฟ้าระหว่าง บรรดาเซลล์หน่วย ความจำและบัสข้อมูล เมื่อเข้าถึงแถวลำดับของเซลล์หน่วยความ จำ ตรรกะในการเลือกคอลัมน์ที่ถูกเชื่อมต่อกับแถวลำดับของ เซลล์หน่วยความจำสำหรแท็ก :1. A programmable memory-type device that includes An array of memory cells In which the memory cells are Arrange in rows and columns. Logic for decoding addresses connected to an array. Of a memory cell for accessing an array of amplified logic memory cells connected to an array of unit cells. Memory for amplifying voltage levels between Unit cells Memory and data bus When accessing an array of memory cells, the logic in selecting a column is connected to an array of Memory cells for tag:
TH9801004822A 1998-12-14 Programmable memory type device with variable page size. TH41599A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH41599A true TH41599A (en) 2000-11-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5319589A (en) Dynamic content addressable memory device and a method of operating thereof
US6614689B2 (en) Non-volatile memory having a control mini-array
KR920018766A (en) Nonvolatile Semiconductor Memory
KR850008023A (en) Semiconductor memory
KR900005441A (en) Semiconductor memory circuit
KR970072440A (en) Semiconductor memory
KR920017121A (en) Electrically Erasable and Programmable Read-Only Storage Devices with Verification Control Circuits
JPH1145590A (en) Memory circuit and method for multiple logic value memory by process variable
KR950034254A (en) Semiconductor memory device and signal line arrangement method for obtaining high bandwidth
US6438024B1 (en) Combining RAM and ROM into a single memory array
KR970012708A (en) Integrated semiconductor memory device
KR930018588A (en) Nonvolatile Semiconductor Memory Device
EP0107340B1 (en) Dual port type semiconductor memory
KR930024167A (en) Semiconductor memory
AU6604796A (en) Flash memory system having reduced disturb and method
US6496446B2 (en) Semiconductor memory device having burst readout mode and data readout method
KR900017171A (en) Semiconductor integrated circuit
KR960026781A (en) Semiconductor memory
KR920022292A (en) Semiconductor memory
KR910020720A (en) Device for caching rows in random access memory
US6724663B2 (en) Erase block architecture for non-volatile memory
TH41599A (en) Programmable memory type device with variable page size.
KR970023432A (en) Semiconductor Memory Devices for Fast Random Access
US6618309B2 (en) Adjustable memory self-timing circuit
KR970016962A (en) Semiconductor memory system, programmable array and access time reduction method and system