TH41235B - เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสซึ่งทำจากกระบวนการ Electro-Fabrication (E-Fab) และกระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่าว - Google Patents
เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสซึ่งทำจากกระบวนการ Electro-Fabrication (E-Fab) และกระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่าวInfo
- Publication number
- TH41235B TH41235B TH501004088A TH0501004088A TH41235B TH 41235 B TH41235 B TH 41235B TH 501004088 A TH501004088 A TH 501004088A TH 0501004088 A TH0501004088 A TH 0501004088A TH 41235 B TH41235 B TH 41235B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- layer
- piezoresistor
- thin film
- contact
- sensor device
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 17
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N AI2O3 Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 2
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 238000001126 phototherapy Methods 0.000 claims 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- -1 silicon nitrile Chemical class 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 abstract 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000001953 sensory Effects 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสที่สร้างขึ้นโดยใช้กระบวนการ Electro-Fabrication (E-Fab) ประกอบ ด้วยส่วนเมมเบรนลอยอยู่ตรงกลางที่ถูกยึดด้วยแขนยึดจำนวนสองแขนหรือสี่แขนขึ้น กับการออกแบบ โดยจะมีการสร้างเมมเบรนลอยด้วยวัสดุโลหะราคาถูกที่ใช้ในกระบวนการ electroplating เช่น นิเกิ้ล (Ni) หรือ ทองแดง (Cu) บนเมมเบรนลอยจะมีชั้นฟิล์มบางของฉนวนไฟ ฟ้าที่เหมาะสม เช่น Alumina (Al2O3) Silicon Nitride (Si3N4) หรือ Silicon Dioxide (SiO2) ตามด้วย ชั้นของฟิล์มบางของ piezoresistor ที่เคลือบอยู่บนแขนยึดแต่ละแขนและจะมีชั้นฟิล์มบางของโลหะ ที่เหมาะสม เช่น Cu/Cr เคลือบบนปลายอยู่เพื่อเป็นขั้วไฟฟ้า เมื่อแขนยึดดังกล่าวโค้งงอด้วยแรงที่มา กระทำ ส่วนที่เป็น piezoresistor ก็จะโค้งงอและมีความต้านทานไฟฟ้าเปลี่ยนแปลงไป ดังนั้น ปริมาณแรงสัมผัสที่กดก็จะถูกวัดได้โดยการวัดความต้านทานไฟฟ้าของอุปกรณ์ โดย piezoresistor ในการประดิษฐ์นี้จะเป็นวัสดุที่เหมาะสมเช่น indium tin oxide (ITO) ที่สร้างด้วยกระบวนการ เฉพาะคือ ion-assisted electron beam evaporation ข้อดีสำคัญของกระบวนการนี้ คือเป็นกระบวน การที่อุณหภูมิต่ำที่สามารถควบคุมพารามิเตอร์ของกระบวนการเติมไอออนที่เหมาะสม (ion- assisted deposition parameters) ซึ่งจะทำให้ได้ฟิล์มของ ITO ที่มีคุณสมบัติ piezoresistivity ที่ดี เหมาะสมกับเซนเซอร์วัดแรงที่มีความไวสูง ประกอบกับอุปกรณ์ที่มีขนาดเล็กจะทำให้ได้เซนเซอร์ ที่สามารถวัดแรงสัมผัสได้ในระดับหนึ่งในล้านของนิวตัน และที่สำคัญคือกระบวนการผลิตจะมี ราคาถูกกว่าการผลิตเซนเซอร์วัดแรงแบบเมมเบรนลอยอื่นๆที่ใช้กระบวนการผลิตแบบวงจรรวม มาก ในการใช้งานเซนเซอร์วัดแรงสัมผัสมักจะสร้างในลักษณะอาร์เรย์ซึ่งมีชั้นของแผ่นแผ่นรับแรง และการสัมผัสซึ่งเป็นวัสดุที่ยืดหยุ่นได้วางทับเพื่อเป็นชั้นที่แรงสามารถกดลงโดยตรง เมื่อมีการ สัมผัสหรือมีแรงกดบนแผ่นรับแรง แรงจะถูกกระจายลงบนเมมเบรนของอุปกรณ์แต่ละตัว เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสที่สร้างขึ้นโดยใช้กระบวนการ Electro-Fabrication (E-Fab) ประกอบ ด้วยส่วนเมมเบรนลอยอยู่ตรงกลางที่ถูกยึดด้วยแขนยึดจำนวนสองแขนหรือสี่แขนขึ้น กับการออกแบบ โดยจะมีการสร้างเมมเบรนลอยด้วยวัสดุโลหะราคาถูกที่ใช้ในกระบวนการ electroplating เช่น นิเกิ้ล (Ni) หรือ ทองแดง (Cu) บนเมมเบรนลอยจะมีชั้นฟิล์มบางของฉนวนไฟ ฟ้าที่เหมาะสม เช่น Alumina (Al2O3) Silicon Nitride (Si3N4) หรือ Silicon Dioxide (SiO2) ตามด้วย ชั้นของฟิล์มบางของ piezoresistor ที่เคลือบอยู่บนแขนยึดแต่ละแขนและจะมีชั้นฟิล์มบางของโลหะ ที่เหมาะสม เช่น Cu/Cr เคลือบบนปลายอยู่เพื่อเป็นขั้วไฟฟ้า เมื่อแขนยึดดังกล่าวโค้งงอด้วยแรงที่มา กระทำ ส่วนที่เป็น piezoresistor ก็จะโค้งงอและมีความต้านทานไฟฟ้าเปลี่ยนแปลงไป ดังนั้น ปริมาณแรงสัมผัสที่กดก็จะถูกวัดได้โดยการวัดความต้านทานไฟฟ้าของอุปกรณ์ โดย piezoresistor ในการประดิษฐ์นี้จะเป็นวัสดุที่เหมาะสมเช่น indium tin oxide (ITO) ที่สร้างด้วยกระบวนการ เฉพาะคือ ion-assisted electrom beam evaporation ข้อดีสำคัญของกระบวนการนี้ คือเป็นกระบวน การที่อุณหภูมิต่ำที่สามารถควบคุมพารามิเตอร์ของกระบวนการเติมไอออนที่เหมาะ สม (ion- assisted deposition parameters) ซึ่งจะทำได้ฟิล์มของ ITO ที่มีคุณสมบัติ piezoresistivity ที่ดี เหมาะสมกับเซนเซอร์วัดแรงที่มีความไวสูง ประกอบกับอุปกรณ์ที่มีขนาดเล็กจะทำให้ได้เซนเซอร์ ที่สามารถวัดแรงสัมผัสได้ในระดับหนึ่งในล้านของนิวตัน และที่สำคัญคือกระบวนการผลิตจะมี ราคาถูกกว่าการผลิตเซนเซอร์วัดแรงแบบเมมเบรนลอยอื่นๆที่ใช้กระบวนการผลิตแบบวงจรรวม มาก ในการใช้งานเซนเซอร์วัดแรงสัมผัสมักจะสร้างในลักษณะอาร์เรย์ซึ่งมีชั้นของแผ่นแผ่นรับแรง และการสัมผัสซึ่งเป็นวัสดุที่ยืดหยุ่นได้วางทับเพื่อเป็นชั้นที่แรงสามารถกดลงโดยตรง เมื่อมีการ สัมผัสหรือมีแรงกดบนแผ่นรับแรง แรงจะถูกกระจายลงบนเมมเบรนของอุปกรณ์แต่ละตัว
Claims (2)
1. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิที่ 16 โดยที่ขั้นตอนการสร้าง ขั้วไฟฟ้า (6) ของพิล์มบางของ piezoresistor (5) อย่างน้อยสองขั้ว บนชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (5) ดังกล่าวด้วยโลหะกระทำด้วยกระบวนการ evaporation 2
2. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสในข้อถือสิทธิที่ 16 โดยที่ขั้นตอนการสร้าง ขั้วไฟฟ้า (6) ของฟิล์มบางของ piezoresistor (5) อย่างน้อยสองขั้ว บนชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (5) ดังกล่าวด้วยโลหะกระทำด้วยกระบวนการ sputtering
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH81986A TH81986A (th) | 2006-12-21 |
TH81986B TH81986B (th) | 2006-12-21 |
TH41235B true TH41235B (th) | 2014-08-28 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2019148726A1 (zh) | 一种电阻式应变传感器 | |
JP2015506479A (ja) | 広域温度センサ | |
JP6917843B2 (ja) | ガスセンサ | |
US8106740B2 (en) | Resistance thermometer | |
KR102210634B1 (ko) | 마이크로 히터 및 마이크로 센서 | |
JPS5952521B2 (ja) | 電気抵抗装置 | |
CN105209877A (zh) | 压力传感器 | |
KR102035089B1 (ko) | 히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법 | |
JP5769043B2 (ja) | 電気素子、集積素子、電子回路及び温度較正装置 | |
CN115266848A (zh) | 一种多通道气体传感器及其制备方法 | |
JP2000088671A (ja) | 少なくとも一つの凹所を有するサブストレ―ト上に配置された少なくとも二つの接続接触フィ―ルドを具備する電気抵抗体及びその製造方法 | |
WO2017130913A1 (ja) | 温度センサ | |
KR20100037802A (ko) | 온도센서 어셈블리 및 온도센서 어셈블리의 제조방법 | |
JP6978611B2 (ja) | 圧力及び温度測定用のセンサ素子 | |
TH41235B (th) | เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสซึ่งทำจากกระบวนการ Electro-Fabrication (E-Fab) และกระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่าว | |
TH81986A (th) | เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสซึ่งทำจากกระบวนการ Electro-Fabrication (E-Fab) และกระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่าว | |
CN100410630C (zh) | 流量传感器 | |
KR101976461B1 (ko) | 수직 적층된 온습도 복합 센서 및 그 제조방법 | |
JP2012069712A (ja) | 温度センサ付き電解コンデンサ | |
KR101992022B1 (ko) | 반도체식 가스센서 | |
KR100612203B1 (ko) | 온도센서 | |
JP2011196896A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
TH81986B (th) | เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสซึ่งทำจากกระบวนการ Electro-Fabrication (E-Fab) และกระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่าว | |
TH77498A (th) | เซนเซอร์วัดความเร่งซึ่งทำจากกระบวนการ Electro-Fabrication (E-Fab) และกระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่าว | |
KR102210968B1 (ko) | 온도센서 및 이를 포함하는 발열구조물 |