KR102035089B1 - 히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법 - Google Patents

히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102035089B1
KR102035089B1 KR1020180123710A KR20180123710A KR102035089B1 KR 102035089 B1 KR102035089 B1 KR 102035089B1 KR 1020180123710 A KR1020180123710 A KR 1020180123710A KR 20180123710 A KR20180123710 A KR 20180123710A KR 102035089 B1 KR102035089 B1 KR 102035089B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
humidity sensor
electrode
heater
layer
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1020180123710A
Other languages
English (en)
Inventor
김영민
Original Assignee
(주)멤스칩
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)멤스칩 filed Critical (주)멤스칩
Priority to KR1020180123710A priority Critical patent/KR102035089B1/ko
Priority to PCT/KR2019/009767 priority patent/WO2020080655A1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102035089B1 publication Critical patent/KR102035089B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/045—Circuits
    • G01N27/046—Circuits provided with temperature compensation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/121—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid for determining moisture content, e.g. humidity, of the fluid
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • G01N27/223—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/28—Electrolytic cell components
    • G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

본 발명은 히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 고온 또는 고습 분위기나 온도 변화폭이 큰 가혹한 환경 조건에서 열 또는 수분에 의한 영향을 최소화시켜 습도센서의 성능을 높이면서도 신뢰성 및 정확도를 높일 수 있는 히터 내장형 습도센서에 관한 것이다.
보다 더 구체적으로 본 발명은, 상부에 n+ 확산층(20) 및 n-type 에피텍셜층(30)이 순차적으로 적층된 기판(10); 상기 n-type 에피텍셜층(30)상에 형성되는 제1 절연층(40); 상기 제1 절연층(40)의 소정 영역 상에 형성되는 히터 전극(50) 및 히터 패드 전극(51); 상기 히터 전극(50) 상에 형성되는 제2 절연층(60); 상기 제2 절연층(60)의 형성되는 습도센서 전극(70) 및 상기 제1 절연층(40)상에 형성되는 습도센서 패드 전극(80); 및 상기 습도센서 전극(70) 상에 형성되는 감습층(90); 을 포함하되, 상기 히터 전극(50), 히터 패드 전극(51), 습도센서 전극(70) 및 습도센서 패드 전극(80)이 형성되지 않는 영역의 일부를 제거하여 형성되는 개방구(110)를 통해 기판(10)과 n-type 에피텍셜층(30) 사이에 언더컷(under-cut) 영역(130)을 형성하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서를 제공한다.

Description

히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법{Humidity Sensor Equipped with Heater and Manufacturing Method Thereof}
본 발명은 히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 고온 또는 고습 분위기나 온도 변화폭이 큰 가혹한 환경 조건에서 열 또는 수분에 의한 영향을 최소화시켜 습도센서의 성능을 높이면서도 신뢰성 및 정확도를 높일 수 있는 히터 내장형 습도센서에 관한 것이다.
현대 사회에서 습도 센서는 가습기, 건조기, 냉장고 등의 각종 가전 제품은 물론이고, 차량, 빌딩 등의 제습기 등 습도 조절 기기가 이용되는 다양한 분야에 적용되고 있다.
최근에는 저항형 또는 용량형 습도센서와 같은 박막형 습도 센서가 인쇄회로기판에 실장되어 널리 사용되고 있는데, 저항형 습도 센서의 경우 기판 상에 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극을 형성하고, 이와 같은 제1 전극 및 제2 전극 상에 감습층을 형성하는 구조로 이루어지며, 습도에 따른 감습층의 저항 변화를 이용하여 습도를 센싱하는 기능을 수행하게 된다.
이에 비해 용량형 습도 센서는 기판의 상부에 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극 상에 감습층을 형성하며, 상기 감습층 상에 상부 전극을 형성하는 구조로 이루어지며, 감습층의 유전율 변화를 이용하여 습도를 센싱할 수 있다.
다만, 이와 같은 저항형 또는 용량형 박막형 습도 센서의 경우 주변 온도가 어는점 이하로 내려갈 경우, 결빙에 의해 감습층에 습기가 침투할 수 없게 되므로 습도 센서의 성능이 크게 저하되고 습도 센싱 데이터에 신뢰성을 확보할 수 없는 문제점이 있었다.
위와 같은 문제점을 해결하기 위해 습도 센서가 장착되는 인쇄회로기판에 히터를 장착하는 방법이 고안되었으나, 이 경우 상기 히터가 습도 센서의 주변부에 장착되므로 열전달 효율이 상대적으로 열악하며 이에 따른 소비 전력 증가 및 히터 장착에 따라 인쇄회로기판에 소요되는 면적이 증가하여 전체적인 습도센서 모듈의 크기가 증가하는 단점이 발생되고 있다.
따라서, 습도센서 모듈에 히터를 장착하더라도 습도센서로의 열전달 효율을 크게 향상시켜 소비전력을 감소시키면서도 특히 고온 고습 분위기나 온도 변화폭이 큰 가혹한 환경 조건에서 신뢰성을 담보하며 장기간 사용이 가능한 히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법이 요구되고 있다.
본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 고온 영역에서의 습도 측정을 견딜 수 있는 유리전이 온도가 높은 감습 재료를 적용한 히터내장형 습도센서를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한 본 발명은 습도센서 하단에 마이크로 히터를 내장하여 습도센서가 표면에 수분에 의한 포화 등이 발생했을 때 마이크로 히터를 통한 습도센서 특성을 회복하고 신뢰성 및 정확도를 높일 수 있는 히터내장형 습도센서를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
또한 본 발명은, 기판 상에 언더 컷(under-cut) 구조를 채택함으로써, 고온, 고습 등 극한적 상황에서 열 또는 수분에 의한 영향을 최소화시켜 습도센서의 성능을 높일 수 있는 히터내장형 습도센서를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일측면에 의하면, 상부에 n+ 확산층(20) 및 n-type 에피텍셜층(30)이 순차적으로 적층된 기판(10); 상기 n-type 에피텍셜층(30)상에 형성되는 제1 절연층(40); 상기 제1 절연층(40)의 소정 영역 상에 형성되는 히터 전극(50) 및 히터 패드 전극(51); 상기 히터 전극(50) 상에 형성되는 제2 절연층(60); 상기 제2 절연층(60)의 형성되는 습도센서 전극(70) 및 상기 제1 절연층(40)상에 형성되는 습도센서 패드 전극(80); 및 상기 습도센서 전극(70) 상에 형성되는 감습층(90); 을 포함하되, 상기 히터 전극(50), 히터 패드 전극(51), 습도센서 전극(70) 및 습도센서 패드 전극(80)이 형성되지 않는 영역의 일부를 제거하여 형성되는 개방구(110)를 통해 기판(10)과 n-type 에피텍셜층(30) 사이에 언더컷(under-cut) 영역(130)을 형성하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서를 제공한다.
본 발명에서 상기 n-type 에피텍셜층(30)의 두께는 5 ~10㎛인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 제1 절연층(40) 또는 제2 절연층(60)은, 산화막(SiO2), 질화막(Si3N4) 또는 이들의 조합을 통해 절연막을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 제1 절연층(40) 또는 제2 절연층(60)의 두께는 1㎛ ~ 10㎛인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 히터 전극(50)은, 백금 박막 또는 폴리실리콘으로 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 습도센서 전극(70)은, 다수의 미세 전극 패턴을 갖는 IDT(Interdigited) 구조로 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 감습층(90)은 열경화성 폴리머, 그래핀 옥사이드(Graphene Oxide), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 또는 벤조시클로부텐(Benzo-cyclo-Butene, BCB)으로 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 언더컷 영역(130)은, 기판(10)과 n-type 에피텍셜층(30)사이에 공기공동(air-cavity)을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 개방구(110)는, 상기 히터 전극(50), 히터 패드 전극(51), 습도센서 전극(70) 및 습도센서 패드 전극(80)이 형성되지 않는 영역의 제1 절연층(40), n-type 에피텍셜층(30) 및 n+ 확산층(20)을 패터닝하고 식각하여 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 언더컷(under-cut) 영역(130)은, 상기 개방구(110) 형성 후 양극반응을 통해 형성되는 다공질층(120)을 식각하여 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 n+ 확산층(20)은, 히터 패드 전극(51) 및 습도센서 패드 전극(80)을 지지하는 영역에 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 히터 패드 전극(51) 및 습도센서 패드 전극(80)은 각각 복수로 형성되되, 상기 히터 패드 전극(51)의 상부에 습도센서 패드 전극(80)이 접합되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 기판(10)은, 그 하부에 n+ 확산층(20)을 더 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 기판(10)은 n-type 실리콘 기판인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 언더컷 영역(130)은, 그 길이가 기판(10)의 전체 길이 대비 38 ~ 74 %의 범위 내에서 결정되고, 그 뚜께가 기판(10)의 두께 대비 27 ~ 48 %의 범위 내에서 결정되는 것이 바람직하다.
전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 타측면에 의하면, 기판(10)의 상부에 n+ 확산층(20)을 형성하는 단계; 상기 n+ 확산층(20)상에 n-type 에피텍셜층(30)을 형성하는 단계; 상기 n-type 에피텍셜층(30) 상에 제1 절연층(40)을 형성하는 단계; 상기 제1 절연층(40)상에 히터 전극(50)을 형성하는 단계; 상기 히터 전극 상에 제2 절연층(60)을 형성하는 단계; 상기 제2 절연층(60)상에 습도센서 전극(70)을 형성하는 단계; 상기 습도센서 전극(70) 상에 감습층(90)을 형성하는 단계; 상기 히터 전극(50) 및 습도센서 전극(70)이 형성된 영역을 보호하기 위한 전극 보호층(100)을 형성하는 단계; 상기 제1 절연층(40), n-type 에피텍셜층(30) 및 n+ 확산층(20)의 일부 영역을 패터닝하고 식각하여 개방구(110)을 형성하는 단계; 상기 개방구(110)를 통해 주입되는 불산용액에 의해 n+ 확산층(20)에서 양극반응이 진행되어 다공질층(120)을 형성하는 단계; 및 상기 다공질층(120)을 식각 공정을 통해 제거하는 단계;를 포함하는 히터 내장형 습도센서의 제조방법을 제공한다.
본 발명에서 상기 개방구(110) 형성단계는, 반도체 건식 식각장비를 이용하되, n+ 확산층(20)은 0㎛ 초과 1㎛ 미만의 식각 두께로 식각하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 n+ 확산층(20) 형성단계는, 상기 기판(10)의 하부에도 n+ 확산층(20)을 더 구비하도록 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 히터전극(50) 형성단계는, 상기 히터 전극(50) 및 히터 패드 전극(51)을 동시에 패터닝하여 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 습도센서 전극(70) 형성단계는, IDT 구조의 습도센서 전극(70) 및 습도센서 패드 전극(80)을 동시에 패터닝하되, 상기 습도센서 전극(70)은 제2 절연층(60) 상에 형성하고, 습도센서 패드 전극(80)은 제1 절연층(40)상에 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 습도센서 패드 전극(80)은 다수로 형성하되, 그 중 일부는 제1 절연층(40)상에 형성된 히터 패드 전극(51)상에 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 전극 보호층(100) 형성단계는, 상기 전극보호층(100)을 습도센서 패드 전극(80)상에도 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 감습층(90) 형성단계는, 그래핀 옥사이드(Graphene Oxide) 수용액을 이용하여 스프레이 또는 코팅 방식을 통해 감습층(90)을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 다공질층(120)의 식각 공정 단계는, TMAH 수용액 또는 NaOH 수용액을 사용하여 다공질층(120)을 습식 식각하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 다공질층(120)의 식각 공정 단계는, 반도체 건식 식각 장비를 이용하여 1㎛ 미만의 두께로 다공질층(120)을 식각하는 것이 바람직하다.
본 발명의 히터 내장형 습도센서에 의하면, 고온 영역에서의 습도 측정을 견딜 수 있는 유리전이 온도가 높은 감습 재료를 적용한 습도센서를 제공하고, 습도센서 하단에 마이크로 히터를 내장하여 습도센서가 표면에 수분에 의한 포화 등이 발생했을 때 마이크로 히터를 통한 습도센서 특성을 회복하고 신뢰성 및 정확도를 높일 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명에 의하면, 기판 상에 언더 컷(under-cut) 구조를 채택함으로써, 고온, 고습 등 극한적 상황에서 열 또는 수분에 의한 영향을 최소화 시켜 습도센서의 성능을 높일 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 히터 내장형 습도센서의 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 히터 내장형 습도센서의 상면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 히터 내장형 습도센서의 분해도.
도 4a 내지 도 4K는 본 발명의 실시예에 따른 히터 내장형 습도센서 제조방법의 단계별 공정도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 히터 내장형 습도센서 제조방법의 순서도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명은, MEMS 기술 중 하나인 다공질 실리콘 마이크로머시닝 기술과 마이크로 히터를 이용한 3차원 구조체 형태의 습도 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, n-type 실리콘 기판 상에 n+ 확산층을 형성한 후 그 위에 n-type 에피택셜층을 형성한 n/n+/n/n+ 웨이퍼를 기판으로 사용하는 것을 특징으로 하며, 기판 상에 절연층 형성 및 마이크로 히터와 습도센서를 제조한 후 식각 장비를 이용하여 절연층과 n/n+층을 식각하고, 불산용액을 이용하여 양극반응을 시켜 n+ 확산층을 다공성화를 시킨 후 NaOH 수용액 등을 이용하여 다공성 실리콘을 식각함으로써 3차원 구조를 갖는 마이크로 히터를 포함하는 습도센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 히터 내장형 습도센서의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 히터 내장형 습도센서의 상면도이다. 참고로 도 2의 A-A'방향으로 자른 단면도가 도 1의 단면도라 할 수 있다.
본 발명은 상부에 n+ 확산층(20) 및 n-type 에피텍셜층(30)이 순차적으로 적층된 기판(10), 상기 n-type 에피텍셜층(30)상에 형성되는 제1 절연층(40), 상기 제1 절연층(40)의 소정 영역 상에 형성되는 히터 전극(50) 및 히터 패드 전극(51), 상기 히터 전극(50) 상에 형성되는 제2 절연층(60), 상기 제2 절연층(60)의 형성되는 습도센서 전극(70), 상기 제1 절연층(40)상에 형성되는 습도센서 패드 전극(80)과 상기 습도센서 전극(70) 상에 형성되는 감습층(90)을 포함하여 형성될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 히터 전극(50), 히터 패드 전극(51), 습도센서 전극(70) 및 습도센서 패드 전극(80)이 형성되지 않는 영역의 일부를 제거하여 형성되는 개방구(110)를 통해 기판(10)과 n-type 에피텍셜층(30) 사이에 언더컷(under-cut) 영역(130)을 형성할 수 있다.
상기 기판(10)은 n-type 실리콘 기판으로 구성되는 것이 바람직하며, 상부에 n+ 확산층(20)을 필수적으로 구비하되, 발명의 필요에 따라 기판(10) 하부에도 n+ 확산층을 더 구비할 수 있다. 본 발명에서 상기 n+ 확산층(20) 두께는 5 ~15㎛로 형성되는 것이 적절하다.
다만, 상기 기판(10)은 반드시 n-type 실리콘 기판으로 제한되지 아니하고, 발명의 필요에 따라 글래스(glass), 산화알루미늄 또는 p-type 실리콘으로 형성될 수도 있을 것이다.
한편, 기판(10)의 상부에 형성되는 n+ 확산층(20) 상에는 n-type 에피텍셜층(30)상이 형성되게 되며, 따라서, 본 발명의 기판 구조는 n-type 실리콘 기판 상에 n+ 확산층(20)을 형성한 후 그 위에 n-type 에피택셜층(30)을 형성하는 구조를 갖게되므로 n/n+/n/n+ 웨이퍼를 기판 구조로 갖게 된다. 상기 n-type 에피텍셜층(30)의 두께는 5 ~10㎛로 형성되는 것이 적절하다.
상기 n-type 에피택셜층(30)상에는 제 1절연층(40)이 형성되게 된다. 상기 제1 절연층(40)은, 산화막(SiO2), 질화막(Si3N4) 또는 이들의 조합을 통해 절연막을 형성할 수 있고, 상기 제1 절연층(40)의 두께는 1㎛ ~ 10㎛의 범위 내에서 형성될 수 있을 것이다.
그리고, 상기 제1절연층(40) 상에는 히터 전극(50) 및 히터 패드 전극(51)이 형성된다. 또한, 상기 히터 전극(50) 및 히터 패드 전극(51)은 높은 히팅 효율을 담보할 수 있도록 백금(Pt) 박막 또는 폴리실리콘으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 발명의 필요에 따라 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au)을 이용하거나 백금(Pt), 폴리실리콘, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au) 중 어느 둘 이상의 재료를 조합하여 히터 전극(50) 및 히터 패드 전극(51)을 구성할 수 있을 것이다.
상기 히터 전극(50)은 스퍼터링(Sputtering) 방식을 이용하여 해당 소재(예; 백금(Pt))를 소정 두께로 증착한 후 고온 열처리 공정(예; 1,000℃에서 2 ~ 4시간 정도)을 통해 박막을 형성할 수 있다.
상기 히터 전극(50)은 기판의 중심부에 배치하고, 히터 패드 전극(51)은 기판의 외곽부에 배치하는 것이 바람직하다.
상기 히터 전극(50)의 상부에는 습도센서 전극(70)과의 절연을 위해 제2절연층(60)이 형성된다. 상기 제2 절연층(60)도 제1 절연층(40)과 마찬가지로 산화막(SiO2), 질화막(Si3N4) 또는 이들의 조합을 통해 절연막을 형성할 수 있다. 또한 상기 제2 절연층(60)의 두께는 1㎛ ~ 10㎛의 범위내에서 형성하는 것이 적절하다.
본 발명에서 상기 제1절연층(40) 및 제2절연층(60)은 발명의 필요에 따라 산화막(SiO2), 질화막(Si3N4) 대신에 폴리이미드(Polyimid)를 코팅한 후 열경화 과정을 통해 형성되는 층을 절연층으로 이용할 수도 있을 것이다.
한편, 습도센서 전극(70)은 히터전극(50)을 커버하는 제2 절연층(60) 상에 형성되고, 습도센서 패드 전극(80)은 제1 절연층(40)상에 형성된다. 이 때, 상기 습도센서 패드 전극(80)은 4개로 형성될 수 있는데, 이 중 2개의 습도센서 패드 전극은 제 1절연층(40)상에 형성되되, 나머지 2개는 전기적 도통을 위해 히터 패드 전극(51)위에 접합되도록 구성될 수 있다.
본 발명의 습도센서 전극(70)은 다수의 미세 전극 패턴을 갖는 IDT(Interdigited) 구조로 형성되는 것이 바람직하며, Au, Cr, Al 또는 Pt 와 같은 금속막을 증착 및 패터닝하여 형성할 수 있을 것이다.
본 발명에서 상기 감습층(90)은 습도센서 전극(70)을 커버하도록 형성되는데, 열경화성 폴리머 또는 그래핀 옥사이드(Graphene Oxide)로 형성될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 발명의 필요에 따라 폴리이미드 용액 또는 묽은 감광성 폴리이미드를 이용하여 스핀코팅 방식으로 형성할 수도 있을 것이다.
본 발명에서 상기 폴리이미드 용액에 들어가는 폴리이미드계 물질은, 용매에 디언하이드라이드(dianhydride) 및 디아민(diamine)을 첨가하여 중합반응시켜 제조하되, 용매 100 중량부에 대하여, 디언하이드라이드 20~30중량부 및 디아민 10~25 중량부 를 첨가하여 25 ~ 45℃에서 2 ~ 3시간동안 중합반응시켜 고형분 함량이 20~35중량%가 되도록 제조한 것일 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 히터 전극(50), 히터 패드 전극(51), 습도센서 전극(70) 및 습도센서 패드 전극(80)이 형성되지 않는 영역의 제1 절연층(40), n-type 에피텍셜층(30) 및 n+ 확산층(20)을 패터닝하고 식각하여 개방구(110)를 형성하게 된다.
상기 개방구(110)를 통해 불산용액 등을 주입하면, n+ 확산층(20)이 양극반응을 일으켜서 다공질층(120; Porous Layer)을 형성하게 되는데, 이와 같은 다공질층(120)을 습식 식각 등으로 제거하게 되면, 기판(10)과 n-type 에피텍셜층(30) 사이에 언더컷(under-cut) 영역(130)을 형성할 수 있다.
이와 같은 언더컷(under-cut) 영역(130)의 존재로 인해 결과적으로 상기 n+ 확산층(20)은, 히터 패드 전극(51) 및 습도센서 패드 전극(80)을 지지하는 영역에 잔존하게 된다.
상기 언더컷 영역(130)은, 기판(10)과 n-type 에피텍셜층(30)사이에 공기공동(air-cavity)을 형성하여 고온, 고습 등 극한적 상황에서 열 또는 수분에 의한 영향을 최소화시켜 습도센서의 성능을 높일 수 있는 기능을 수행할 수 있다.
상기 언더컷 영역(130)은 기판(10)의 전체 길이 대비 38 ~ 74 %의 범위 내에서 길이를 갖는 것이 적절하고, 기판(10) 의 두께 대비 27 ~ 48 %의 범위 내에서 두께를 갖는 것이 적절하다. 상기의 언더컷 영역(130)의 길이 및 두께범위를 벗어나면 습도센서 전체의 기계적·구조적 강도가 약해지거나 또는 공기공동(air-cavity)에 유입되는 공기의 양이 적어져서 열 또는 수분에 의한 영향을 최소화할 수 없어 습도센서의 성능저하를 가져오기 때문이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 히터 내장형 습도센서의 분해도이다.
도 3을 참조하면, 기판(10)의 위로 n+ 확산층(20)과 n-type 에피텍셜층(30)에 언더컷(under-cut) 영역(130)이 형성되며, 제1절연층(40)에 개방구(110)이 형성되어 있음을 확인할 수 있다.
상기 히터전극(50)은 2개의 'ㄹ'자가 일부 겹친 형상으로 구성될 수 있으며, 그 두께는 1㎛ ~ 10㎛, 그 너비는 1㎛ ~ 10㎛의 범위 내에서 형성될 수 있다. 다만, 히터전극의 두께는 제2절연층(60)의 두께보다는 작도록 형성되어야 할 것이다.
본 발명에서 습도센서 전극(70)은 하부전극과 상부전극이 동시에 제조되는 IDT(InterDigiTated) 구조로 형성된 정전용량형 또는 저항형일 수 있다.
본 발명에서 적용되는 습도센서 전극이 정전용량형일 경우에는, 빠른 응답 특성을 위해서는 감습층의 두께를 최소화해야 하며, 습도센서 전극(70)의 박막 두께를 1 ~ 2㎛ 두께로 일정하게 유지하고 패턴 폭을 1 ~ 3㎛ 범위로, 패턴 간격 또한 1 ~ 3㎛의 범위내에서 형성할 수 있을 것이다.
도 4a 내지 도 4k는 본 발명의 실시예에 따른 히터 내장형 습도센서 제조방법의 단계별 공정도이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 히터 내장형 습도센서 제조방법의 순서도이다.
먼저, 도 4a를 참조하면, 기판(10)의 상부에 n+ 확산층(20)을 형성하는 단계를 거친다(S11). 이 때, 상기 n+ 확산층(20) 형성단계는, 상기 기판(10)의 하부에도 n+ 확산층(20)을 더 구비하도록 공정을 거칠 수 있다. n+ 확산층(20)은 n형 도펀트의 주입 등을 통하여 공지의 방식으로 형성할 수 있다.
이어서, 도 4b를 참조하면, 상기 n+ 확산층(20)상에 n-type 에피텍셜층(30)을 형성하는 단계를 거친다(S12). 상기 n-type 에피텍셜층(30)의 두께는 5 ~10㎛로 형성되도록 조절하는데, 이는 추후 n+ 확산층(20) 상에서 벌어질 반도체 공정 및 언더컷(under-cut) 영역(130)의 기계적인 강도를 고려하기 위함이다.
이후 도 4c를 참조하면, 상기 n-type 에피텍셜층(30) 상에 제1 절연층(40)을 형성하는 단계를 거친다(S13). 상기 제1 절연층(40)은, 산화막(SiO2), 질화막(Si3N4) 또는 이들의 조합을 통해 형성되되, 그 두께는 1㎛ ~ 10㎛의 범위 내에서 형성될 수 있을 것이다.
이후, 도 4d를 참조하면, 상기 제1 절연층(40)상에 히터 전극(50)을 형성하는 단계를 거치게 된다(S14). 이 때, 히터전극(50) 형성단계는, 상기 히터 전극(50) 및 히터 패드 전극(51)을 동시에 패터닝하여 형성하는 것이 적절하다.
상기 히터전극(50)은 2개의 'ㄹ'자가 일부 겹친 형상으로 구성될 수 있으며, 그 두께는 1㎛ ~ 10㎛, 그 너비는 1㎛ ~ 10㎛의 범위 내에서 형성될 수 있고, 히터 패드 전극(51)도 2개로 구성하여 제 1절연층(40) 상에 형성될 수 있다.
이어서, 도 4e를 참조하면, 상기 히터 전극 상에 제2 절연층(60)을 형성하는 단계를 거친다(S15). 상기 제2 절연층(60)도 산화막(SiO2), 질화막(Si3N4) 또는 이들의 조합을 통해 절연막을 형성하되, 그 두께는 1㎛ ~ 10㎛의 범위내에서 형성하는 것이 적절하다. 상기 제2절연층(60)은 히터전극(50)을 커버할 수 있도록 형성된다.
그리고, 도 4f를 참조하면, 상기 제2 절연층(60)상에 습도센서 전극(70)을 형성하는 단계를 거친다(S16).
상기 습도센서 전극(70) 형성단계는, IDT 구조의 습도센서 전극(70) 및 습도센서 패드 전극(80)을 동시에 패터닝하되, 상기 습도센서 전극(70)은 제2 절연층(60) 상에 형성하고, 습도센서 패드 전극(80)은 제1 절연층(40)상에 형성하게 된다. 이 때, 상기 습도센서 패드 전극(80)은 다수로 형성하되, 그 중 일부는 전기적 도통을 위해 제1 절연층(40)상에 형성된 히터 패드 전극(51)상에 접합되도록 형성한다.
상기 습도센서 전극(70)은 그 박막 두께를 1 ~ 5㎛ 범위로, IDT 구조의 패턴 폭을 1 ~ 3㎛ 범위로, 패턴 간격 또한 1 ~ 3㎛의 범위 내에서 형성할 수 있을 것이다.
이어서, 도 4g를 참조하면, 상기 습도센서 전극(70) 상에 감습층(90)을 형성하는 단계를 거치게 된다(S17).
상기 감습층(90)는 그래핀 옥사이드(Graphene Oxide) 수용액을 이용하여 스프레이 또는 코팅 방식을 통해 형성하거나 또는 IDT구조의 습도센서 전극 상에 수분의 흡탈습을 원활하게 하면서 전기적 특성이 선형성을 가질 수 있는 유리전이 온도가 높은 열경화성 폴리머 계열의 감습층을 형성할 수 있다.
즉, 상기 감습층(90)이 열경화성 폴리머로 형성되는 경우에는 폴리머를 코팅한 후, 열처리, 패터닝 및 반도체 식각 공정을 통해 감습막을 형성한 뒤 열경화 공정을 수행하고, 이와 달리 상기 감습층이 그래핀 옥사이드(Graphene Oxide)로 형성되는 경우에는 스프레이 방식 또는 코팅 방식을 이용하여 그래핀 옥사이드로 습도센서 전극 상에 감습막을 형성한 후, 열경화 공정을 수행함으로써 감습층이 형성되게 된다.
한편, 발명의 필요에 따라 상기 감습층(90)은 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 셀룰로오스(cellulose) 또는 벤조시클로부텐(Benzo-cyclo-Butene, BCB)으로 형성될 수도 있는데, 이와 같은 물질들은 재료 자체에 흡습성이 존재하여 습도센서의 특성을 구현하기 용이한 장점을 가진 것이라 할 수 있다.
예컨대, 상기 감습층(90)은 폴리이미드계 물질을 스핀 코팅하고 일정한 온도(약 350~400 ℃에서 일정한 시간(약 2~3시간)동안 열처리를 통해 폴리머(polymer)를 경화시키는 방법으로도 형성이 가능할 것이다.
이후, 도 4h를 참조하면, 상기 히터 전극(50) 및 습도센서 전극(70)이 형성된 영역을 보호하기 위한 전극 보호층(100)을 형성하는 단계를 거친다(S18). 상기 전극 보호층(100)은 개방구(110) 형성을 위한 에칭시 전극을 보호하기 위한 것으로서 일종의 에칭 보호층을 의미하며, 따라서, 히터 전극(50) 및 습도센서 전극(70)이 형성된 영역뿐만 아니라 습도센서 패드 전극(80)이 형성된 영역상에도 형성하는 것이 바람직하다.
그리고, 도 4i를 참조하면, 상기 제1 절연층(40), n-type 에피텍셜층(30) 및 n+ 확산층(20)의 일부 영역을 패터닝하고 식각하여 개방구(110)을 형성하는 단계를 거친다(S19).
상기 개방구(110) 형성단계는 반도체 건식 식각장비를 이용하되, 해당 영역의 제1 절연층(40), n-type 에피텍셜층(30)은 모두 제거하고, 다만 n+ 확산층(20)은 0㎛ 초과 1㎛ 미만의 식각 두께로 식각하는 것이 적절하다. 이는 n+ 확산층(20)을 식각함에 있어 양극 반응 시 원활한 반응과 측면으로의 언더에칭(under Etching) 영역을 최소화 하기 위해 1㎛ 미만의 두께로 식각한다고 할 수 있다.
이후, 도 4j를 참조하면, 상기 개방구(110)를 통해 주입되는 불산 용액에 의해 n+ 확산층(20)에서 양극반응이 진행되어 다공질층(120)을 형성하는 단계를 거치게 된다(S20). 이와 동시에 상기 불산 용액에 의해 상기 전극 보호층(100)도 자연스럽게 제거되게 된다.
마지막으로 도 4k를 참조하면, 상기 다공질층(120)을 식각 공정을 통해 제거하는 단계를 거친다(S21).
본 발명에서는 TMAH(TetraMethylAmmonium Hydride; 테트라 메틸 암모늄 하이드로옥사이드) 수용액 또는 NaOH 수용액을 사용하여 다공질층(120)을 습식 식각할 수 있으며, 발명의 필요에 따라 반도체 건식 식각 장비를 이용하여 1㎛ 미만의 두께로 다공질층(120)을 건식 식각하여 언더컷(under-cut) 영역(130)을 형성할 수도 있다.
위와 같이 본 발명에서는 3차원 구조의 언더컷(under-cut) 영역을 갖는 히터 내장형 습도센서를 위해 마이크로 히터와 습도 센서 전극을 보호하고, 양극반응을 위한 패턴을 형성한 후 식각 공정을 통해 제 1절연층, n-type 에피텍셜층, n+ 확산층을 차례로 식각한 후, 양극반응을 통해 n+ 확산층을 다공(Porous)화한 후 화학 약품 또는 건식 식각 장비를 이용하여 다공질 실리콘(Porous Silicon)을 제거함으로써, 언더컷(under-cut)의 3차원 구조를 구비하는 히터 내장형 습도센서를 제공하게 된다.
즉, 본 발명의 히터 내장형 습도센서에 의하면, 고온 영역에서의 습도 측정을 견딜 수 있는 유리전이 온도가 높은 감습 재료를 적용한 습도센서를 제공하고, 습도센서 하단에 마이크로 히터를 내장하여 습도센서가 표면에 수분에 의한 포화 등이 발생했을 때 마이크로 히터를 통한 습도센서 특성을 회복하고 신뢰성 및 정확도를 높일 수 있으며, 기판 상에 언더 컷(under-cut) 구조를 채택함으로써, 고온, 고습 등 극한적 상황에서 열 또는 수분에 의한 영향을 최소화 시켜 습도센서의 성능을 높일 수 있는 장점이 있다.
이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
10: 기판
20: n+ 확산층
30: n-type 에피텍셜층
40: 제1 절연층
50: 히터 전극
51: 히터 패드 전극
60: 제2 절연층
70: 습도센서 전극
80: 습도센서 패드 전극
90: 감습층
100: 전극 보호층
110: 개방구
120: 다공질층(Porous Layer)
130: 언더 컷(under-cut) 영역

Claims (24)

  1. 상부에 n+ 확산층(20) 및 n-type 에피텍셜층(30)이 순차적으로 적층된 기판(10);
    상기 n-type 에피텍셜층(30)상에 형성되는 제1 절연층(40);
    상기 제1 절연층(40)의 소정 영역 상에 형성되는 히터 전극(50) 및 히터 패드 전극(51);
    상기 히터 전극(50) 상에 형성되는 제2 절연층(60);
    상기 제2 절연층(60)의 형성되는 습도센서 전극(70) 및 상기 제1 절연층(40)상에 형성되는 습도센서 패드 전극(80); 및
    상기 습도센서 전극(70) 상에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 벤조시클로부텐(Benzo-cyclo-Butene, BCB)을 이용하여 형성되는 감습층(90); 을 포함하되,
    상기 히터 전극(50), 히터 패드 전극(51), 습도센서 전극(70) 및 습도센서 패드 전극(80)이 형성되지 않는 영역의 일부를 제거하여 형성되는 개방구(110)를 통해 기판(10)과 n-type 에피텍셜층(30) 사이에 공기공동(air-cavity)을 형성하는 언더컷(under-cut) 영역(130)을 형성하며,
    상기 언더컷 영역(130)은 그 길이가 기판(10)의 전체 길이 대비 38 ~ 74 %의 범위 내에서 결정되고, 그 두께가 기판(10)의 두께 대비 27 ~ 48 %의 범위 내에서 결정되고,
    상기 개방구(110)는, 상기 히터 전극(50), 히터 패드 전극(51), 습도센서 전극(70) 및 습도센서 패드 전극(80)이 형성되지 않는 영역의 제1 절연층(40), n-type 에피텍셜층(30) 및 n+ 확산층(20)을 패터닝하고 식각하여 형성되며,
    상기 언더컷(under-cut) 영역(130)은 상기 개방구(110) 형성 후 양극반응을 통해 형성되는 다공질층(120)을 식각하여 형성되고,
    상기 n+ 확산층(20)은 히터 패드 전극(51) 및 습도센서 패드 전극(80)을 지지하는 영역에만 잔존하며,
    상기 n-type 에피텍셜층(30)의 두께는 5 ~10㎛의 범위 내에서 형성되고,
    상기 제1 절연층(40) 또는 제2 절연층(60)의 두께는 1㎛ ~ 10㎛의 범위 내에서 형성되며,
    상기 기판(10)은 그 하부에 n+ 확산층(20)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 절연층(40) 또는 제2 절연층(60)은,
    산화막(SiO2), 질화막(Si3N4) 또는 이들의 조합을 통해 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 히터 전극(50)은,
    백금 박막 또는 폴리실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서.
  6. 제1항에 있어서, 상기 습도센서 전극(70)은,
    다수의 미세 전극 패턴을 갖는 IDT(Interdigited) 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1항에 있어서,
    상기 히터 패드 전극(51) 및 습도센서 패드 전극(80)은 각각 복수로 형성되되, 상기 히터 패드 전극(51)의 상부에 습도센서 패드 전극(80)이 접합되는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제1항, 제3항, 제5항, 제6항 또는 제12항 중 어느 한 항의 히터 내장형 습도센서를 제조하는 방법에 있어서,
    기판(10)의 상부에 n+ 확산층(20)을 형성하는 단계;
    상기 n+ 확산층(20)상에 n-type 에피텍셜층(30)을 형성하는 단계;
    상기 n-type 에피텍셜층(30) 상에 제1 절연층(40)을 형성하는 단계;
    상기 제1 절연층(40)상에 히터 전극(50)을 형성하는 단계;
    상기 히터 전극 상에 제2 절연층(60)을 형성하는 단계;
    상기 제2 절연층(60)상에 습도센서 전극(70)을 형성하는 단계;
    상기 습도센서 전극(70) 상에 감습층(90)을 형성하는 단계;
    상기 히터 전극(50) 및 습도센서 전극(70)이 형성된 영역을 보호하기 위한 전극 보호층(100)을 형성하는 단계;
    상기 제1 절연층(40), n-type 에피텍셜층(30) 및 n+ 확산층(20)의 일부 영역을 패터닝하고 식각하여 개방구(110)을 형성하는 단계;
    상기 개방구(110)를 통해 주입되는 불산용액에 의해 n+ 확산층(20)에서 양극반응이 진행되어 다공질층(120)을 형성하는 단계; 및
    상기 다공질층(120)을 식각 공정을 통해 제거하는 단계;
    를 포함하는 히터 내장형 습도센서의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 개방구(110) 형성단계는,
    반도체 건식 식각장비를 이용하되, n+ 확산층(20)은 0㎛ 초과 1㎛ 미만의 식각 두께로 식각하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 n+ 확산층(20) 형성단계는,
    상기 기판(10)의 하부에도 n+ 확산층(20)을 더 구비하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서의 제조방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 히터전극(50) 형성단계는,
    상기 히터 전극(50) 및 히터 패드 전극(51)을 동시에 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서의 제조방법.
  19. 제15항 있어서, 상기 습도센서 전극(70) 형성단계는,
    IDT 구조의 습도센서 전극(70) 및 습도센서 패드 전극(80)을 동시에 패터닝하되, 상기 습도센서 전극(70)은 제2 절연층(60) 상에 형성하고, 습도센서 패드 전극(80)은 제1 절연층(40)상에 형성하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 습도센서 패드 전극(80)은 다수로 형성하되, 그 중 일부는 제1 절연층(40)상에 형성된 히터 패드 전극(51)상에 형성되는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서의 제조방법.
  21. 제15항에 있어서, 상기 전극 보호층(100) 형성단계는,
    상기 전극보호층(100)을 습도센서 패드 전극(80)상에도 형성하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서의 제조방법.
  22. 제15항에 있어서, 상기 감습층(90) 형성단계는,
    그래핀 옥사이드(Graphene Oxide) 수용액을 이용하여 스프레이 또는 코팅 방식을 통해 감습층(90)을 형성하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서의 제조방법.
  23. 제15항에 있어서, 상기 다공질층(120)의 식각 공정 단계는,
    TMAH 수용액 또는 NaOH 수용액을 사용하여 다공질층(120)을 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서의 제조방법.
  24. 제15항에 있어서, 상기 다공질층(120)의 식각 공정 단계는,
    반도체 건식 식각 장비를 이용하여 1㎛ 미만의 두께로 다공질층(120)을 식각하는 것을 특징으로 하는 히터 내장형 습도센서의 제조방법.
KR1020180123710A 2018-10-17 2018-10-17 히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법 KR102035089B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180123710A KR102035089B1 (ko) 2018-10-17 2018-10-17 히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법
PCT/KR2019/009767 WO2020080655A1 (ko) 2018-10-17 2019-08-06 히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180123710A KR102035089B1 (ko) 2018-10-17 2018-10-17 히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102035089B1 true KR102035089B1 (ko) 2019-10-23

Family

ID=68460868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180123710A KR102035089B1 (ko) 2018-10-17 2018-10-17 히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102035089B1 (ko)
WO (1) WO2020080655A1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112666236A (zh) * 2020-04-17 2021-04-16 华中科技大学 一种传感器集成芯片及其制备
KR20220051507A (ko) * 2020-10-19 2022-04-26 (주)멤스칩 차단층을 구비하는 일체형 온습도 복합센서 및 그 제조방법
US20220178862A1 (en) * 2020-12-09 2022-06-09 Vaisala Oyj Fast humidity sensor and a method for calibrating the fast humidity sensor
US12007349B2 (en) * 2020-12-09 2024-06-11 Vaisala Oyj Fast humidity sensor and a method for calibrating the fast humidity sensor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007192628A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Canon Inc ガスセンサ
JP3994975B2 (ja) * 2004-02-27 2007-10-24 株式会社デンソー 容量式湿度センサ
KR20100070220A (ko) * 2008-12-17 2010-06-25 한국전자통신연구원 습도 센서 및 이의 제조 방법
KR20110126466A (ko) * 2010-05-17 2011-11-23 (주)미코엠에스티 히터와 판독 회로 소자가 내장된 습도 센서

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008039550A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Denso Corp 湿度センサ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3994975B2 (ja) * 2004-02-27 2007-10-24 株式会社デンソー 容量式湿度センサ
JP2007192628A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Canon Inc ガスセンサ
KR20100070220A (ko) * 2008-12-17 2010-06-25 한국전자통신연구원 습도 센서 및 이의 제조 방법
KR20110126466A (ko) * 2010-05-17 2011-11-23 (주)미코엠에스티 히터와 판독 회로 소자가 내장된 습도 센서

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112666236A (zh) * 2020-04-17 2021-04-16 华中科技大学 一种传感器集成芯片及其制备
KR20220051507A (ko) * 2020-10-19 2022-04-26 (주)멤스칩 차단층을 구비하는 일체형 온습도 복합센서 및 그 제조방법
KR102428905B1 (ko) * 2020-10-19 2022-08-03 (주)멤스칩 차단층을 구비하는 일체형 온습도 복합센서 및 그 제조방법
US20220178862A1 (en) * 2020-12-09 2022-06-09 Vaisala Oyj Fast humidity sensor and a method for calibrating the fast humidity sensor
US12007349B2 (en) * 2020-12-09 2024-06-11 Vaisala Oyj Fast humidity sensor and a method for calibrating the fast humidity sensor

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020080655A1 (ko) 2020-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101093612B1 (ko) 정전용량형 습도센서 및 그 제조방법
US8047074B2 (en) Humidity sensor and method of manufacturing the same
US8307708B2 (en) RFID based thermal bubble type accelerometer and method of manufacturing the same
KR101367887B1 (ko) 정전용량형 습도센서
CN106568539A (zh) 基于聚合物衬底的单片集成温湿压柔性传感器及制备方法
KR101532151B1 (ko) 습도센서 및 그 제조방법
KR20090064693A (ko) 마이크로 가스 센서 및 그 제작 방법
EP2154501B1 (en) Laminated temperature sensor
KR102035089B1 (ko) 히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법
KR100676088B1 (ko) 정전용량형 습도센서 및 그 제조방법
CN105510404A (zh) 一种快速响应的湿度传感器及其制造方法
WO2018180107A1 (ja) 湿度センサ
KR100585664B1 (ko) 박막형 습도 센서 및 그 제조 방법
KR101992022B1 (ko) 반도체식 가스센서
JP3571299B2 (ja) 湿度センサ及び湿度センサの製造方法
KR102190862B1 (ko) 마이크로 히터 제조방법 및 마이크로 센서 및 마이크로 센서 제조방법
KR100486496B1 (ko) 박막형 습도센서 및 그 제조방법
CN113670994A (zh) 基于相位检测原理的mems湿度传感器及制备方法
KR20010097191A (ko) 일체화된 온습도센서의 구조 및 그 제조방법
KR100396656B1 (ko) 마이크로 절대 습도 센서 제조 방법
KR20160039797A (ko) 정전 용량성 습도 센서 및 이의 제조 방법
Yu et al. A self-packaged capacitive humidity sensor with low leakage loss
KR100486497B1 (ko) 히터 내장형 감습센서 및 그 제조방법
JPH10221144A (ja) マイクロヒータ及びその製造方法
JP2000030910A (ja) セラミックサブストレ―ト上に少なくとも二つの接続接触フィ―ルドを有する電気抵抗体およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2019101002337; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20190712

Effective date: 20190910

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant