TH37725A3 - สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรต - Google Patents

สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรต

Info

Publication number
TH37725A3
TH37725A3 TH9901001673A TH9901001673A TH37725A3 TH 37725 A3 TH37725 A3 TH 37725A3 TH 9901001673 A TH9901001673 A TH 9901001673A TH 9901001673 A TH9901001673 A TH 9901001673A TH 37725 A3 TH37725 A3 TH 37725A3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
approximately
percent
mixture
mixture according
weight
Prior art date
Application number
TH9901001673A
Other languages
English (en)
Other versions
TH30235C3 (th
Inventor
ซี. สกี นายเดวิด
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายรุทร นพคุณ
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายรุทร นพคุณ filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH37725A3 publication Critical patent/TH37725A3/th
Publication of TH30235C3 publication Critical patent/TH30235C3/th

Links

Abstract

DC60 (11/01/51) การประดิษฐ์นี้ให้สารผสมที่เป็นสารละลายด่างในแอคเควียสที่มีประโยชน์ในอุตสาหกรรม ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ในการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นเวเฟอร์ สารกึ่งตัวนำโดยการ กำจัดกากวัสดุไวแสงหรือสิ่งปนเปื้อนที่ไม่ต้องการอื่นๆ ส่วนผสมนี้โดยทั่วไปจะประกอบด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่าในปริมาณเพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอช ประมาณ 11 หรือมากกว่า (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (แสดงเป็นเปอร์เซ็นต์ของ SiO2) (c) อาจมีตัวคีเลต หนึ่งหรือมากกว่าจากประมาณ 0.01เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (d) อาจมีตัวทำ ละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (e) อาจมีตัวเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ (f) อาจมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก การประดิษฐ์นี้ให้สารผสมที่เป็นสารละลายด่างในแอคเควียสที่มีประโยชน์ในอุตสาหกรรม ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ในการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำโดยการ กำจัดกากวัสดุไวแสงหรือสิ่งปนเปื้อนที่ไม่ต้องการอื่นๆ ส่วนผสมนี้โดยทั่วไปจะประกอบด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่าในปริมาณเพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอช ประมาณ 11 หรือมากกว่า (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (แสดงเป็นเปอร์เซ็นต์ของ SiO2) (c) อาจมีตัวคีเลต หนึ่งหรือมากกว่าจากประมาณ 0.01เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (d) อาจมีตัวทำ ละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (e) อาจมีตัวเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ (f) อาจมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก

Claims (8)

1. สารผสมสำหรับการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นแผงวงจรรวมซึ่ง ประกอบรวมด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะ; (c) ตัวคีเลตชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; และ (d) น้ำ ในที่ซึ่งตัวคีเลตเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย (เอทิลีนไดไนตริโล)เททระอะซิติก แอซิด, ไดเอทิลีนไตรเอมีนเพนตะอะซิติก แอซิด, ไตรเอทิลีนเททระมีนเฮกซะอะซิติกแอซิด, 1,3-ไดอะมิโน- 2-ไฮดรอกซีโพรเพน-เอ็น,เอ็น,เอ็น\',เอ็น\'-เททระอะซิติก แอซิด, เอ็น,เอ็น,เอ็น\',เอ็น\'-เอทิลีนไดเอมีน เททระ(เมทิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) และ (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล)-เททระอะซิติก แอซิด 2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งมีเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะในปริมาณ เพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอชจากประมาณ 11 ถึงประมาณ 13 3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของซิลิเกตที่ละลายน้ำได้ และ ปราศจากไอออนของโลหะคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (ในรูป SiO2) ของสารผสม 4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวคีเลตคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ชนิด หนึ่งหรือมากกว่า 6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ ละลายน้ำได้คือประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ดังกล่าว เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย 1-ไฮดรอกซีอัลคิล-2-ไพร์โรลิดิโนน, แอลกอฮอล์ และสารประกอบ โพลีไฮดรอกซี 8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมชนิดหนึ่งหรือมากกว่า 9. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 8 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของสารเพิ่มการกำจัดกาก ไทเทเนียมคือจากประมาณจาก 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 1 0. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกซิลามีน, เกลือของไฮดรอกซิลามีน, เปอร์ออกไซค์, โอโซน และ ฟลูออไรด์ 1 1. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้ชนิดหนึ่งหรือมากกว่า 1 2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 11 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำ ได้คือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 1 3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งเบสนั้นเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกไซด์และเอมีนอินทรีย์ 1 4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ในที่ซึ่งเบสนั้นเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ควอเทอร์นารีแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และเอมีนอินทรีย์ 1 5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งเบสนั้นเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยโคลีน, เททระบิวทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เททระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์,เมทิลไตรเอทานอล แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และเมทิลไตรเอทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ 1 6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยแอมโมเนียมซิลิเกตและควอเทอร์นารีแอมโมเนียมซิลิเกต 1 7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะนั้นคือ เททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกต 1 8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งมีเททระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์จาก ประมาณ 0.1-2 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม และเททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกตประมาณ 0.01-1เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 1 9. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ซึ่งยังมี ทรานส์-(1,2-ไซโครเฮกซิลีนไดไนตริโล) เททระอะซิติกแอซิค จากประมาณ 0.01-1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 2 0. สารผสมทางเคมีซึ่งเกิดจากการผสม (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะ; (c) ตัวคีเลตชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; และ (d) น้ำ ในตัวซึ่งตัวคีเลตเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย (เอทิลีนไดไนตริโล)เททระอะซิติก แอซิด, ไดเอทิลีนไตรเอมีนเพนตะอะซิติก แอซิด, ไตรเอทิลีนเททระมีนเฮกซะอะซิติกแอซิด, 1,3-ไดอะมิโน- 2-ไฮดรอกซีโพรเพน-เอ็น,เอ็น,เอ็น\',เอ็น\' -เททระอะซิติก แอซิด, เอ็น,เอ็น,เอ็น\',เอ็น\'-เอทิลีนไดเอลีน เททระ(เมทิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) และ (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดโนติโล)-เททระอะซิติก แอซิด 2 1. สารผสมสำหรับกวาดหรือทำความสะอาดสับสเตรตในวงจรกันซึ่งประกอบรวมด้วย : (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะ; (c) สารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; และ (d) น้ำ 2 2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 21 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของสารเพิ่มการกำจัดกาก ไทเทเนียมดังกล่าวคือจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 2 3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 22 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการจำกัดกากไทเทเนียมเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกซิลามีน, เกลือของไฮดรอกซิลามีน, เปอร์ออกไซค์, โอโซน และ ฟลูออโรด์ 2 4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่ง หรือมากกว่าจะมีอยู่ในปริมาณที่เพียงพอที่จะให้ pH ของสารผสมจากประมาณ 11 ถึง ประมาณ 13 2 5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และ ปราศจากไอออนคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (ในรูป SiO2) ของสารผสม 2 6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังมีตัวคีเลตชนิดหนึ่งหรือมากกว่า 2 7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 26 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวคีเลตคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 2 8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ในที่ซึ่งตัวคีเลตคือกรดอะมิโนคาร์บอกซิลิก 2 9. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ในที่ซึ่งตัวคีเลตเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย (เอทิลีนไดไนตริโล)เททระอะซิติก แอซิด, ไดเอทิลีนไตรเอมีนเพนตะอะซิติก แอซิด, ไตรเอทิลีนเททระมีนเฮกซะอะซิติด แอซิด, 1,3-ไดอะมิโน-2-ไฮดรอกซีโพรเพน-เอ็น,เอ็น,เอ็น\',เอ็น\'- เททระอะซิติก แอซิด,เอ็น,เอ็น,เอ็น\',เอ็น\'-เอทิลีนไดเอมีนเททระ(เมทิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) และ (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล)-เททระอะซิติก แอซิด 3 0. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังมีตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ชนิด หนึ่งหรือมากกว่า 3 1. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ ละลายน้ำได้คือจากประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 3 2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ ดังกล่าวเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย 1-ไฮดรอกซีอัลคิล-2-ไพร์โรลิดิโนน, แอลกอฮอล์ และ วารประกอบโพลีไฮดรอกซี 3 3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้ชนิดหนึ่งหรือ มากกว่า 3 4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 33 ในที่ซึ่งสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้คือสารลดแรง ตึงผิวนอนไอออนิก เอธอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออล 3 5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะเลือกมาจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกไซค์และเอมีนอินทรีย์ 3 6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 35 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยควอเทอร์นารีแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์, แอมโมเนียมไฮดรอกไซค์ และ เอมีนอินทรีย์ 3 7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยโคลีน, เททระบิวทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์, เททระเมทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์, เมทิลไตรเอทานอลแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์ และเมทิลไตรเอทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์ 3 8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยแอมโมเนียมซิลิเกต และควอเทอร์นารีแอมโมเนียมซิลิเกต 3 9. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะคือเททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกต 4 0. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งมีเททระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์จาก ประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 3 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และเททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกต จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักเทียบจากน้ำหนักของสารผสม 4
1. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 40 ซึ่งยังมีทรานส์(1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล) เททระอะซิติก แอซิด จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของ สารผสม 4
2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 34 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียม คือ ไฮดรอกซิเอมีนในปริมาณจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 30 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ มีสารลดแรงตึงผิวนอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 4
3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 42 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะ คือ เททระเมทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์, ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะคือ เททระเมทิลแอมโมเนียม ซิลิเกต 4
4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 40 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมคือ ไฮดรอก ซิเอมีนในปริมาณจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 30 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม และ สารผสมยังมีสารลดแรงตึงผิวนอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจาก ประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนักของสารผสม 4
5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ คือ กลีเซอรอล 4
6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 45 ในที่ซึ่งสารผสมยังประกอบรวมด้วยสารลดแรงตึงผิว นอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึง ประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 4
7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 19 ในที่ซึ่งสารผสมยังมีกลีเซอรอลในรูปตัวทำละลาย อินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ในปริมาณจากประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดย น้ำหนักของสารผสม 4
8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 47 ในที่ซึ่งสารผสมยังประกอบรวมด้วยสารลดแรงตึงผิว นอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึง ประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
TH9901001673A 1999-05-17 สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรต TH30235C3 (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH37725A3 true TH37725A3 (th) 2000-03-20
TH30235C3 TH30235C3 (th) 2011-07-04

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6966570B2 (ja) 化学機械研磨後配合物及び使用方法
JP4147320B2 (ja) プラズマエッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物
EP1576072B1 (en) Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices
KR100746056B1 (ko) 기판표면 세정액 및 세정방법
US20090120457A1 (en) Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices
CA2330747A1 (en) Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
CN100515928C (zh) 包含氧化和络合化合物的组合物
JP4750807B2 (ja) 半導体基材用洗浄剤
JP5886946B2 (ja) 銅、タングステンおよび多孔質低κ誘電体に対する増強された相溶性を有する半水溶性ポリマー除去組成物
WO2002094462A1 (fr) Procede de nettoyage de la surface d'un substrat
JP2007503115A (ja) マイクロエレクトロニクス用のストリッピングおよび洗浄組成物
TW200428512A (en) Reducing oxide loss when using fluoride chemistries to remove post-etch residues in semiconductor processing
KR20040041019A (ko) 반도체 기판용 세정액
US6245155B1 (en) Method for removing photoresist and plasma etch residues
CN102575201B (zh) 用于制造平面显示器的基板的清洗液组合物
US7521408B2 (en) Semiconductor cleaning solution
CN101384694A (zh) 用于微电子基板的稳定的非水清洁组合物
CN1711349B (zh) 半导体表面处理和其中所用的混合物
EP1544284A1 (en) Composition and method for treating a semiconductor substrate
TH37725A3 (th) สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรต
TH30235C3 (th) สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรต
JP2001345303A (ja) 基板表面処理方法
KR20010042461A (ko) 감광성 내식막 및 플라즈마 에칭 잔류물의 제거방법
US20230033363A1 (en) Aqueous solutions containing amino carboxylic acid chelators
JP2021099380A (ja) 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物