TH25638C3 - อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูง - Google Patents

อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูง

Info

Publication number
TH25638C3
TH25638C3 TH9901002953A TH9901002953A TH25638C3 TH 25638 C3 TH25638 C3 TH 25638C3 TH 9901002953 A TH9901002953 A TH 9901002953A TH 9901002953 A TH9901002953 A TH 9901002953A TH 25638 C3 TH25638 C3 TH 25638C3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
capacitor
switching device
frequency heating
heating device
supply
Prior art date
Application number
TH9901002953A
Other languages
English (en)
Other versions
TH42003A3 (th
Inventor
เบสเซียว นายไดสุเกะ
ยาสุอิ นายเคนจิ
ซาคาโมโต นายคาซูโฮ
มิฮารา นายมาโคโตะ
ซาไค นายชินิจิ
สุเอนากะ นายฮารุโอะ
อิชิโอะ นายโยชิอากิ
โมริยา นายฮิเดอากิ
นากาตะ นายฮิเดโตโม
โอโมริ นายฮิเดกิ
Original Assignee
นายชาญชัย ศุภดิลกลักษณ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายชาญชัย ศุภดิลกลักษณ์ filed Critical นายชาญชัย ศุภดิลกลักษณ์
Publication of TH42003A3 publication Critical patent/TH42003A3/th
Publication of TH25638C3 publication Critical patent/TH25638C3/th

Links

Abstract

DC60 (28/10/42) อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงประกอบด้วยวงจรสำหรับขับแมกนีตรอนวงจรจะ ประกอบด้วยหม้อแปลงรั่วไหล, ตัวเก็บประจุที่สองที่ถูกต่ออนุกรมกับขดลวดปฐมภูมิของหม้อ แปลงรั่วไหล, อุปกรณ์สวิตซิงที่สองที่ถูกต่อขนานกับวงจรอนุกรมของขดลวดปฐมภูมิและตัวเก็บ ประจุที่สอง, ตัวเก็บประจุที่หนึ่งที่ถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิงที่สอง และอุปกรณ์สวิตซิงที่หนึ่ง ที่ถูกต่ออนุกรมกับอุปกรณ์สวิตซิงที่สอง ภายใต้โครงสร้างของการประดิษฐ์นี้อุปกรณ์สวิตชิงและ หม้อแปลงรั่วไหลจะเป็นส่วนประกอบที่สำคัญของวงจรและอาจถูกใช้ร่วมในแบบหนึ่งของวงจร ของแหล่งจ่ายกำลังทางการค้า 200 V - 240 V หรือวงจรของแหล่งจ่ายกำลังทางการค้า 100 - 120 N ซึ่งจะทำให้มีการผลิตส่วนประกอบสำคัญนี้เป็นปริมาณมากได้ซึ่งทำให้เกิดต้นทุนที่ลดลงของ ส่วนประกอบเช่นเดียวกันกับต้นทุนต้นทุนของอุปกรณ์การทำความร้อน อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงประกอบด้วยวงจรสำหรับขับแมกนิตรอนวงจรจะ ประกอบด้วยหม้อแปลงรั่วไหล, ตัวเก็บประจุที่ สองที่ถูกต่ออนุกรมกับขดลวดปฐมภูมิของหม้อ แปลงรั่วไหล, อุปกรณ์สวิตซิงที่สองที่ถูกต่อขนานกับวงจรอนุกรมของขดลวด ปบฐมภูมิและตัวเก็บ ประจุที่สอง, ตัวเก็บประจุที่หนึ่งที่ถูก ต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิงที่สอง และอุปกรณ์สวิตซิงที่หนึ่ง ที่ถูกต่ออนุกรมกับอุปกรณ์สวิตซิงที่สอง ภายใต้โครงสร้าง ของการประดิษฐ์นี้อุปกรณ์สวิตซิงและ หม้อแปลงรั่วไหลจะเป็น ส่วนประกอบที่สำคัญของวงจรและอาจถูกใช้ร่วมในแบบหนึ่งของวง จร ของแหล่งจ่ายกลังทางการค้า 200 V - 240 V หรือวงจรของแหล่ง จ่ายกำลังทางการค้า 100 -120 N ซึ่งจะทำ ให้มีการผลิตส่วนประกอบสำคัญนี้เป็นปริมาณมากได้ซึ่งทำให้ เกิดต้นทุนที่ลดลงของ ส่วนประกอบเช่นเดียวกันกับต้นทุนของ อุปกรณ์การทำความร้อน

Claims (2)

1. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงประกอบด้วย ; แหล่งจ่าย DC หม้อแปลงรั่วไหลที่ถูกต่อกับจุดต่อกับจุดต่อบวกของแหล่ง จ่าย DC ดังกล่าว, ตัวเก็บประจุที่สองที่ถูกต่ออนุกรมกับขด ลวดปฐมภูมิของหม้อแปลงรั่วไหลดังกล่าว, อุปกรณ์สวิตซิงที่ สองที่ถูกต่อกับจุดต่อบวกของแหล่งจ่าย DC ดังกล่าว, ตัวเก็บ ประจุที่หนึ่งที่ถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิงที่สองดัง กล่าว, อุปกรณ์สวิตซิงที่หนึ่งที่ถูกต่ออนุกรมกับ อุปกรณ์สวิตซิงที่สองดังกล่าวและยังถูกต่อกับ จุดต่อลบแหล่ง จ่าย DC ดังกล่าว, ส่วนการขับสำหัรบการขับอุปกรณ์สวิตซิงที่หนึ่งและ อุปกรณ์สวิตซิงที่สองดัง กล่าว, ส่วนการเรียงกระ แสที่ถูกต่อกับขดลวดทุตติยภูมิของหม้อแปลงรั่วไหลดังกล่าว และ แมกนีตรอนที่ถูกต่อกับส่วนการเรียงกระแสดังกล่าว 2. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 เป็นแบบที่ตัวเก็บประจุที่สอง จะถูก จัดให้มี ด้วยค่าความจุ ไฟฟ้ามากเพื่อทำการควบคุมผลออกผ่านความกว้างพัลส์ 3. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 เป็นแบบที่ ความสัมพันธ์ร่วมระหว่างค่าความจุไฟฟ้า C2 ของ ตัวเก็บประจุที่สอง, ค่าความเหนี่ยว นำขดลวดปฐมภูมิ L1 ของ หม้อแปลงรั่วไหล ความถี่เรโซแนนซ์ fr ที่ถูกกำหนดให้ fR = 1 / (2 x (ไพ) x (สูตร) (L1 x C2)) และความถี่การทำงาน fo ของส่วนการขับตรงกับ 2.45 < (สูตร) (L1 x C2) < 3.55 1.38 < fo / fR < 4 4. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 เป็นแบบที่วงจรอนุกรมที่ถูก ประกอบด้วยตัวเก็บประจุที่หนึ่ง, ตัวเก็บประจุที่สองและหม้อแปลงรั่วไหลจะกำหนดแบบใดแบบ หนึ่ง ของโครงสร้างดังต่อไปนี้, (1) ตัวเก็บประจุที่หนึ่งจะถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิง ที่สองและวงจร อนุกรมของตัวเก็บประจุที่สองและขดลวดปฐมภูมิ ของหม้อแปลงรั่วไหลจะถูกต่อ ขนานกับอุปกรณ์สวิตซิงที่สอง (2) ตัวเก็บประจุที่หนึ่งจะถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิง ที่หนึ่งและวงจร อนุกรมของตัวเก็บประจุที่สองและขดลวดปฐม ภูมิจะถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิง ที่สองดังกล่าว (3) ตัวเก็บประจุที่หนึ่งจะถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิง ที่หนึ่งและวง จรอนุกรมของตัวเก็บประจุที่สองและขดลวดปฐม ภูมิจะถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิต ซิงที่หนึ่งดังกล่าว หรือ (4) ตัวเก็บประจุที่หนึ่งจะถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิง ที่สองดังกล่าวและวง จรอนุกรมของตัวเก็บประจุที่สองดังกล่าว และขดลวดปฐมภูมิดังกล่าวถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิต ซิงที่หนึ่ง 5. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงที่กล่าวในหนึ่งของข้อ ถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 อนุพัทธ์ แหล่งจ่าย DC จากแหล่งจ่ายกำลังทาง การค้า 200 V - 240 V โดยที่ยิ่งความต่างศักย์ของ แหล่งจ่ายกำลังในเชิงพาณิชย์ สูงขึ้น ค่าความจุไฟฟ้าของตัวเก็บประจุที่สองยิ่งมากขึ้น ในขณะที่ค่า คงที่ของหม้อแปลงรั่วไหลที่เกี่ยวข้องกับการเหนี่ยวนำขดลวดปฐมภูมิ, การเหนียวนำขดลวดทุติย ภูมิ และสัมประสิทธิการจับคู่ของขดลวดปฐมภูมิ และทุติยภูมิจะยังคงเหมือนเดิม 6. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงที่กล่าวในหนึ่งของข้อ ถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 ประกอบ ด้วยแหล่งจ่าย DC ซึ่งอนุพัทธ์มาจากแหล่งจ่ายกำลังเชิงพาณิชย์ที่ถูกเรียงกระแส ซึ่งส่วนการตรวจ จับความต่างศักย์ของแหล่งจ่าย DC และส่วนการมอดูแลเลตความกว้างพัลส์ซึ่งจะใช้ผลออกของส่วน การตรวจจับความต่างศักย์เป็นสัญญาณพื้นฐานม โดยที่ สัญญาณจากส่วนการมอดูเลตความกว้างพัลส์ถูกส่งไปยังส่วนการขับ และส่วนการ ขับดังกล่าวได้ขับอุปกรณ์สวิตซิงตามสัญญาณดังกล่าว 7. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 6 เป็นแบบที่ส่วนการมอดูเลต ความกว้างพัลส์จะถูกจัดให้มีพร้อม กับการทำงานการจำกัดสำหรับการตั้งต่าจำกัดบนของการ ทำงาน 8. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงที่กล่าวในหนึ่งของข้อ ถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 ประกอบ ด้วยแหล่งจ่าย DC ซึ่งอนุพัทธ์มาจากแหล่งจ่ายกำลังเชิงพาณิชย์ที่ถูกเรียงกระแส ซึ่งส่วนการตรวจ จับความต่างศักย์สำหรับการตรวจจับความต่างศักย์ของแหล่งจ่าย DC ดังกล่าว และส่วนการมอดู แลเลตความถี่ออกของส่วนการตรวจจับความต่างศักย์ดังกล่าวเป็นสัญญาณพื้นฐาน, โดยที่ สัญญาณจากส่วนการมอดูเลตความกว้างพัลส์ถูกส่งไปยังส่วนการขับ และส่วนการ ขับดังกล่าวได้ขับอุปกรณ์สวิตซิงตามสัญญาณดังกล่าว 9. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 8 เป็นแบบที่ส่วนการมอดูเลต ความถี่จะถูกจัดให้มีพร้อมด้วยการ ทำงานการจำกัดสำหรับการตั้งค่าจำกัดล่างของความถี่ 1 0. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 8 ประกอบต่อมาด้วยส่วนการตั้ง ความถี่ เริ่มต้นสำหรับการให้ การมอดูเลตความถี่ ณ ช่วงเริ่มต้นเพื่อแสดงการควบคุม ณ ความถี่ที่ถูก ตรึงไว้ 1 1. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 10 เป็นแบบที่การมอดูเลตความถี่ จะถูกจ่ายทันทีที่แมกนีตรอน เริ่มต้นทำงาน 1 2. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 6 หรือ 8 เป็นแบบที่ผลออกแมก นีตรอนจะถูกควบคุมผ่านทั้งการมอ ดูเลตความกว้างพัลส์และการมอดูเลตความถี่ด้วยการจัดลำดับ ที่ถูก ให้บนการควบคุมผลออกผ่านการมอดูเลตความกว้างพัลส์ไป ยังการควบคุมผลออกผ่านการมอดูเลต ความถี่ 1 3. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงที่กล่าวในหนึ่งของข้อ ถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 เป็นแบบที่ ตัวต้านทานที่หนึ่งและตัวต้าน ที่สองที่ถูกต่ออนุกรมกันจะถูกต่อขนานกับแหล่งจ่าย DC ดัง กล่าว และ จุดต่อของตัวต้านทานที่หนึ่งและตัวต้านทานที่สองจะถูกต่อ กับจุดต่อ ของอุปกรณ์สวิตซิงที่หนึ่งดังกล่าวและอุปกรณ์สวิตซิงที่สองดังกล่าว 1 4. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 ประกอบด้วยแหล่งจ่าย DC ที่ถูกสร้างด้วยส่วนการเรียงกระแส และตัวกรองที่ประกอบด้วยตัวเหนี่ยวนำและตัวเก็บประจุที่สาม สำหรับการทำให้ผลออกของส่วนการเรียงกระแสเรียบ ซึ่งประกอบ ต่อมาด้วยตัวดูด กลืนกระแสไฟฟ้าที่รุนรงที่ปลายจุดออกของตัวกรองดังกล่าว 1 5. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 ประกอบ้ดวยแหล่งจ่าย DC ที่ประกอบด้วยส่วนการเรียงกระแสและ ตัวกรองที่ประกอบ้ดวยตัวเหนี่ยวนำและตัวเก็บประจุ สำหรับทำ ให้ผลออกของส่วนการเรียงกระแสเรียบ ซึ่งยังประกอบต่อมาด้วยตัว ดูดกลืนกระแสไฟ ฟ้าที่รุนแรงที่ถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังกล่าว 1 6. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 รวมทั้งส่วนการตรวจจับความ ต่างศักย์และส่วนควบคุมการหยุดเป็นแบบที่ ส่วนการตรวจจับความต่างศักย์ดังกล่าวได้ตรวจจับความต่างศักย์ที่จุดต่อของขดลวดปฐม ภูมิของหม้อแปลงรั่วไหลดังกล่าวและตัวเก็บประจุที่สองดังกล่าวที่ถูกต่อ อนุกรมและ ส่งสัญญาณ ไปยังส่วนควบคุมการหยุด ซึ่งส่วนควบคุม การหยุดจะหยุดส่วนการขับตามสัญญาณนั้น 1 7. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 16 เป็นแบบที่ส่วนการตรวจจับ ความต่างศักย์ดังกล่าวตรวจจับความต่างศักย์ออก ของตัวเก็บประจุดังกล่าวของแหล่งจ่าย DC ดัง กล่าว 1 8. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 16 เป็นแบบที่ส่วนการตรวจจับ ความต่างศักย์ดังกล่าวได้ตรวจจับความต่างศักย์ที่จะถูกใช้ บนอุปกรณ์สวิตซิงที่หนึ่งดังกล่าว 1 9. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 ที่รวมต่อมาถึงวงจรอนุกรม ของตัวต้านทานที่สามและตัวต้านทาน ที่สี่ที่ถูกจัดให้มีระหว่างจุดต่อของหม้อแปลงรั่วไหลดัง กล่าวและ ตัวเก็บประจุที่สองและจุดต่อลบของแหล่งจ่าย DC ดังกล่าว 2 0. อุปกรณ์การทำความร้อน ความถี่สูงที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 19 ประกอบต่อมาด้วยตัว เปรียบเทียบที่ถูกต่อกับต้านทานที่สี่โดยที่ตัวเปรียบเทียบ ดังกล่าวจะเปรียบเทียบความต่าง ศักย์ของตัวต้านทานที่สี่ดังกล่าวกับค่าอ้างอิงและ ควบคุมส่วนการขับดังกล่าว 2
1. อุปกรณ์การทำความร้อนความ ถี่สูงที่กล่าวในหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 โดยที่ แหล่งจ่าย DC ประกอบด้วยอุปกรณ์ป้องกันการล้มที่ถูกจัดให้อยู่ที่ขาของส่วนประกอบวงจรที่ถูก ติดตั้งบนแผงพิมพ์ลายวงจร โดยมีจุดประสงค์เพื่อการป้องกันส่วนประกอบของวงจรจากการล้มลง และสัมผัสกับส่วนประกอบวงจรอื่นที่มีความต่างศักย์ต่างกัน 2
2. อุปกรณ์การทำความร้อนความ ถี่สูงที่กล่าวในหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 21 เป็นแบบที่หนึ่งใน ส่วนประกอบของวงจรที่ประกอบขึ้นถูกใช้สำหรับการป้องกันการล้มด้วยเช่นเดียวกัน
TH9901002953A 1999-08-06 อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูง TH25638C3 (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH42003A3 TH42003A3 (th) 2000-12-21
TH25638C3 true TH25638C3 (th) 2009-03-16

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920003586Y1 (ko) 마그네트론 구동 전원회로
KR940001763B1 (ko) 전자렌지용 스위칭 전원
EP1118150A1 (en) A resonant mode power supply having over-power and over-current protection
JPH06335156A (ja) 電源装置
EP0377510A2 (en) Power factor correction circuit
JP2003047179A (ja) 非接触電力伝達装置
US5768113A (en) High power and high voltage power supply including a non-resonant step-up circuit
JP3356135B2 (ja) 移動体の非接触給電装置
KR100262479B1 (ko) 직류콘버터장치
US5939837A (en) Electronic ballast circuit for independently increasing the power factor and decreasing the crest factor
TH25638C3 (th) อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูง
TH42003A3 (th) อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูง
KR940003774B1 (ko) 전원회로
JP2004194400A (ja) 非接触電源装置
KR100204886B1 (ko) 고주파 유도가열 조리장치
KR100296290B1 (ko) 역률제어용 단상 능동 정류기
KR100315444B1 (ko) 커패시티 와 인덕터의 기능이 결합된 트랜스 포머 및 이를 이용한 고전압 전원장치
JPH0993940A (ja) 電源回路及びスイッチング電源回路
KR100226697B1 (ko) 스위칭 전원 회로의 과부하 보호 장치
KR960005028Y1 (ko) 형광등용 전자식 안정기
JP3587907B2 (ja) 直流電源装置
EP0824300B1 (en) Inverter for the power supply of discharge lamps with means for improving the power factor
JP3482784B2 (ja) 無電極放電灯点灯装置
JP3590152B2 (ja) 直流電源装置
KR20010077076A (ko) 유도가열조리기의 전류감지장치