TH23135A - วิธีการของการทำความสะอาดฐานรองรับ - Google Patents
วิธีการของการทำความสะอาดฐานรองรับInfo
- Publication number
- TH23135A TH23135A TH9601000887A TH9601000887A TH23135A TH 23135 A TH23135 A TH 23135A TH 9601000887 A TH9601000887 A TH 9601000887A TH 9601000887 A TH9601000887 A TH 9601000887A TH 23135 A TH23135 A TH 23135A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- cleaning
- support
- solution
- supports
- methods
- Prior art date
Links
Abstract
วิธีการทำความสะอาดผิวฐานรองรับ ในที่นี้ขั้นตอนที่หนึ่งของกรรมวิธีการทำความ สะอาดรองรับรวมถึงขั้นตอนของการทำความสะอาดผิวของฐานรองรับโดยสารละลายที่เป็น กรด, สารละลายที่เป็นสารออกซิไดซิง, หรือสารละลายที่เป็นด่าง ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ การขจัดฟิล์มออกไซด์ธรรมชาติที่เกิดบนผิวของฐานรองรับออก
Claims (2)
1. วิธีการทำความสะอาดผิวฐานรองรับ ในที่นี้ขั้นตอนที่หนึ่งของกรรมวิธี การทำความสะอาดรองรับรวมถึงขั้นตอนของการทำความสะอาดผิวฐานรองรับโดยการ ละลายที่เป็นกรด, สารละลายที่เป็นสารออกซิไดซิง, หรือสารละลายที่เป็นด่าง ที่ประกอบด้วยขั้น ตอนของการขจัดฟิล์มออกไซด์ธรรมชาติที่เกิดบนผิวของฐานรองรับออก
2. วิธีการทำความสะอาดฐานรองรับตามที่กำหนดไว้ก่อนในข้อถือสิทธิ์ข้อ 1 ในที่ นี้ฟิล์มออกไซด์ธรรมชาติจะถูกขจัดออกโดยการจุ่มฐานรองรับลงในสารละลายที่ประกอบด้วยกรด ไฮโดรฟลูออริค แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH23135A true TH23135A (th) | 1997-01-21 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2189814T3 (es) | Procedimiento y disolucion para limpiar de la contaminacion metalica a sustratos de obleas. | |
| DE69023951T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kontakten an einer Halbleitervorrichtung. | |
| DE3853778T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements. | |
| DE69003063D1 (de) | Verfahren zur herstellung von sulfonylimiden. | |
| MY122745A (en) | Method for removing an aluminide coating from a substrate | |
| KR920005267A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| DE3777589D1 (de) | Verfahren zur produktion von halbleiteranordnungen. | |
| DE69411696T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines integrierten, optischen Halbleiterschaltkreises | |
| DE3783608T2 (de) | Planarizierungsverfahren fuer die herstellung von kontaktloechern in siliziumkoerpern. | |
| DE3789372T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements. | |
| EP0246802A3 (en) | Process for cleaning surface of semiconductor substrate | |
| TH23135A (th) | วิธีการของการทำความสะอาดฐานรองรับ | |
| MY109333A (en) | Adhesive sheets for sticking wafers thereto | |
| DE232881T1 (de) | Verfahren zur herstellung eines metallischen substrates, das als reinigungsvorrichtung von kraftfahrzeugsabgasen verwendet wird. | |
| DE69021998T2 (de) | Verfahren zur herstellung von komplementären, integrierten halbleiterschaltungen. | |
| DE69018307D1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kontakten in Halbleiterbauelementen. | |
| MY126084A (en) | Method for the production of glass substrates for magnetic recording mediums. | |
| KR960002605A (ko) | 반도체 소자의 세정방법 | |
| JPH0218932A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| DE69004148T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer oxydsupraleitenden Schicht. | |
| DE68909547D1 (de) | Verfahren zur herstellung von alpha-(4-isobutyl-phenyl)propionsaeure. | |
| DE69010892D1 (de) | Verfahren zur herstellung von nitrosylfluorid. | |
| JPS546466A (en) | Surface cleaning method | |
| KR910008789A (ko) | 금속층위의 감광제 제거방법 | |
| KR940016540A (ko) | 반도체 소자의 클리닝 방법 |