TH1968A - ชั้นแยกสารสำหรับอุปกรณ์กำเนิดไฟฟ้าจากแสงและวิธีการผลิต - Google Patents

ชั้นแยกสารสำหรับอุปกรณ์กำเนิดไฟฟ้าจากแสงและวิธีการผลิต

Info

Publication number
TH1968A
TH1968A TH8301000446A TH8301000446A TH1968A TH 1968 A TH1968 A TH 1968A TH 8301000446 A TH8301000446 A TH 8301000446A TH 8301000446 A TH8301000446 A TH 8301000446A TH 1968 A TH1968 A TH 1968A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
large area
electrically separated
cells
separation layer
manufacturing methods
Prior art date
Application number
TH8301000446A
Other languages
English (en)
Inventor
อิซุ มาซาทสุกุ
แนท เพร็ม
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH1968A publication Critical patent/TH1968A/th

Links

Abstract

การประดิษฐ์นี้โดยทั่วไปเกี่ยวข้องกับเซลกำเนิดไฟฟ้าจากแสง (photovoltaic cells) ที่มีพื้นที่มาก และเกี่ยวข้องโดย เฉพาะอย่างยิ่งกับการทำ (1) เซลกำเนิดไฟฟ้าจากแสงที่มีพื้นที่ มากแบบเว้นระยะซึ่งแยกจากกันทางด้านไฟฟ้าจากแถบวัสดุกึ่งตัวนำ (2) ส่วนที่มีพื้นที่น้อยหลาย ๆ ส่วนซึ่งแยกจากกันทางด้านไฟฟ้า ของเซลกำเนิดไฟฟ้าจากแสงที่มีพื้นที่มาก นอกจากนี้ยังได้เปิด เผยวิธีการผลิต (1) เซลกำเนิดไฟฟ้าจากแสงที่มีพื้นที่มากแบบ เว้นระยะ ซึ่งแยกจากกันทางด้านไฟฟ้าดังกล่าว และ (2) ส่วนพื้นที่น้อยหลาย ๆ ส่วนซึ่งแยกจากกันทางด้านไฟฟ้าของ เซลกำเนิดไฟฟ้าจากแสงที่มีพื้นที่มากดังกล่าวอีกด้วย

Claims (1)

1.เซลกำเนิดไฟฟ้าจากแสงที่มีพื้นที่มากที่ประกอบด้วยสารแกนของส่วนที่มีพื้นที่เล็ก ๆ ซึ่งแยกจากกันทางด้านไฟฟ้า แต่ ละส่วนรวมถึง (a) สารรองรับร่วมกันที่นำไฟฟ้าได้ (b) ตัวสารกึ่งตัวนำอยู่บนสารรองรับนำไฟฟ้านั้นและ (c) สาร เคลือบใสนำไฟฟ้าอยู่บนตัวสารกึ่งตัวนำ การปรับปรุงให้ดีขึ้น มีลักษณะเฉพาะอยู่ที่มีการใช้สิ่งตอไปนี้ร่วมกันคือ รูปแบบ (24) ที่ทำด้วยวัสดุฉนวนไฟฟ้า (23) อยู่บนตัว สารกึ่งตัวนำดังกล่าว (12a-c) รูปแบบดังกล่าวแบ่งเซลที่มี พื้นที่มาก (10) ดังกล่าวออกเป็นสารแกนดังกล่าวของส่วนที่ มีพื้นที่เล็กแท็ก :
TH8301000446A 1983-11-09 ชั้นแยกสารสำหรับอุปกรณ์กำเนิดไฟฟ้าจากแสงและวิธีการผลิต TH1968A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH1968A true TH1968A (th) 1984-11-01

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR840006732A (ko) 광전지 및 그 제조방법
SE8300606L (sv) Solcell samt sett att framstella densamma
KR850003481A (ko) 대영역 광전지 및 그 제조방법
IT1168243B (it) Metodo per fabbricare un sostrato composito di semiconduttore su isolante, con profilo controllato per densita' di difetti
US4125441A (en) Isolated bump circuitry on tape utilizing electroforming
GB1206034A (en) Integrated solar cell array
IT7922105A0 (it) Processo per fabbricare contatti conduttivi in dispositivi semiconduttori.
DE59602196D1 (de) Chipmodul
KR850003062A (ko) 글로우 방전에 의한 반도체층 퇴적 방법
JPS5513933A (en) Circuit element substrate and its manufacturing method
US3577631A (en) Process for fabricating infrared detector arrays and resulting article of manufacture
DE3884679D1 (de) Niederschlagung von amorphen Silizium zur Herstellung dielektrischer Zwischenschichten für halbleiter Speicherzellen.
DE3785699D1 (de) Halbleiteranordnung mit zwei durch eine isolationsschicht getrennten elektroden.
JPS57100770A (en) Switching element
GB1152809A (en) Electric Circuit Assembly
TH1968A (th) ชั้นแยกสารสำหรับอุปกรณ์กำเนิดไฟฟ้าจากแสงและวิธีการผลิต
ATE67897T1 (de) Integrierte halbleiterschaltung mit einem elektrisch leitenden flaechenelement.
DE3685224D1 (de) Schicht aus sauerstoffundurchlaessigem material auf einem halbleitersubstrat.
KR910013517A (ko) 대전력용 반도체 장치
EP0087472A4 (en) METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRICAL CONTACT ON REGIONS OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES.
ATE29330T1 (de) Verfahren zur herstellung elektrischer chipbauelemente.
ES387306A1 (es) Perfeccionamientos para la obtencion de disposiciones rec- tificadoras por semiconductores.
US3537920A (en) Process for the production of diodes by electric pulses
DE3575066D1 (de) Elektrolumineszenzlampe.
JPS5636147A (en) Semiconductor device and its manufacture