TH1968A - Separation layer for photovoltaic devices and manufacturing methods - Google Patents

Separation layer for photovoltaic devices and manufacturing methods

Info

Publication number
TH1968A
TH1968A TH8301000446A TH8301000446A TH1968A TH 1968 A TH1968 A TH 1968A TH 8301000446 A TH8301000446 A TH 8301000446A TH 8301000446 A TH8301000446 A TH 8301000446A TH 1968 A TH1968 A TH 1968A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
large area
electrically separated
cells
separation layer
manufacturing methods
Prior art date
Application number
TH8301000446A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH1968EX (en
Inventor
อิซุ มาซาทสุกุ
แนท เพร็ม
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH1968A publication Critical patent/TH1968A/en
Publication of TH1968EX publication Critical patent/TH1968EX/en

Links

Abstract

การประดิษฐ์นี้โดยทั่วไปเกี่ยวข้องกับเซลกำเนิดไฟฟ้าจากแสง (photovoltaic cells) ที่มีพื้นที่มาก และเกี่ยวข้องโดย เฉพาะอย่างยิ่งกับการทำ (1) เซลกำเนิดไฟฟ้าจากแสงที่มีพื้นที่ มากแบบเว้นระยะซึ่งแยกจากกันทางด้านไฟฟ้าจากแถบวัสดุกึ่งตัวนำ (2) ส่วนที่มีพื้นที่น้อยหลาย ๆ ส่วนซึ่งแยกจากกันทางด้านไฟฟ้า ของเซลกำเนิดไฟฟ้าจากแสงที่มีพื้นที่มาก นอกจากนี้ยังได้เปิด เผยวิธีการผลิต (1) เซลกำเนิดไฟฟ้าจากแสงที่มีพื้นที่มากแบบ เว้นระยะ ซึ่งแยกจากกันทางด้านไฟฟ้าดังกล่าว และ (2) ส่วนพื้นที่น้อยหลาย ๆ ส่วนซึ่งแยกจากกันทางด้านไฟฟ้าของ เซลกำเนิดไฟฟ้าจากแสงที่มีพื้นที่มากดังกล่าวอีกด้วย This invention generally involves a photovoltaic cell. (photovoltaic cells) that have a large area And related by Especially with making (1) light-generating cells with space Electrically separated from the semiconductor strip (2), several small sections, which are electrically separated. Of the photovoltaic cells that have a large area It also opened The production method revealed (1) the spaced large area photocell that is electrically separated, and (2) the multiple small areas, which are electrically separated. Cells that generate electricity from such a large area as well.

Claims (1)

1.เซลกำเนิดไฟฟ้าจากแสงที่มีพื้นที่มากที่ประกอบด้วยสารแกนของส่วนที่มีพื้นที่เล็ก ๆ ซึ่งแยกจากกันทางด้านไฟฟ้า แต่ ละส่วนรวมถึง (a) สารรองรับร่วมกันที่นำไฟฟ้าได้ (b) ตัวสารกึ่งตัวนำอยู่บนสารรองรับนำไฟฟ้านั้นและ (c) สาร เคลือบใสนำไฟฟ้าอยู่บนตัวสารกึ่งตัวนำ การปรับปรุงให้ดีขึ้น มีลักษณะเฉพาะอยู่ที่มีการใช้สิ่งตอไปนี้ร่วมกันคือ รูปแบบ (24) ที่ทำด้วยวัสดุฉนวนไฟฟ้า (23) อยู่บนตัว สารกึ่งตัวนำดังกล่าว (12a-c) รูปแบบดังกล่าวแบ่งเซลที่มี พื้นที่มาก (10) ดังกล่าวออกเป็นสารแกนดังกล่าวของส่วนที่ มีพื้นที่เล็กแท็ก :1. A large area photovoltaic cell containing the core substance of the individual electrically separated regions, including (a) conductive co-conductors (b) semiconductors. The conductor is on the conductive substrate and (c) the conductive transparent coating on the semiconductor. Improvement It is unique in that it is used in combination with a pattern (24) made with insulating material (23) on the semiconductor (12a-c). There is a large area (10), such as this core substance of the part. There is a small area of tags:
TH8301000446A 1983-11-09 Separation layer for photovoltaic devices and manufacturing methods TH1968EX (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH1968A true TH1968A (en) 1984-11-01
TH1968EX TH1968EX (en) 1984-11-01

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE8300606D0 (en) SOLCELL AND WAY TO MAKE IT SAME
KR850003481A (en) Large area photovoltaic cell and method of manufacturing the same
US4125441A (en) Isolated bump circuitry on tape utilizing electroforming
KR900010950A (en) Method for manufacturing an electrically insulating semiconductor film from a substrate
GB1206034A (en) Integrated solar cell array
DE59602196D1 (en) CHIP MODULE
IT7922105A0 (en) PROCESS FOR MANUFACTURING CONDUCTIVE CONTACTS IN SEMICONDUCTOR DEVICES.
US3597839A (en) Circuit interconnection method for microelectronic circuitry
KR850003062A (en) Semiconductor layer deposition method by glow discharge
US3577631A (en) Process for fabricating infrared detector arrays and resulting article of manufacture
DE3884679T2 (en) Precipitation of amorphous silicon for the production of dielectric intermediate layers for semiconductor memory cells.
DE3785699D1 (en) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH TWO ELECTRODES SEPARATED BY AN INSULATION LAYER.
JPS57100770A (en) Switching element
TH1968A (en) Separation layer for photovoltaic devices and manufacturing methods
ATE67897T1 (en) INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT WITH AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE SURFACE ELEMENT.
TH1968EX (en) Separation layer for photovoltaic devices and manufacturing methods
KR910013517A (en) High Power Semiconductor Device
ES387306A1 (en) Method for producing semiconductor rectifier arrangements
ATE29330T1 (en) METHOD OF MANUFACTURING ELECTRICAL CHIP COMPONENTS.
US3537920A (en) Process for the production of diodes by electric pulses
DE3575066D1 (en) ELECTROLUMINESCENT LAMP.
JPS5636147A (en) Semiconductor device and its manufacture
EP0112078A3 (en) A semiconductor memory element and a method for manufacturing it
KR880014690A (en) CMOS integrated circuit having upper substrate contacts and its manufacturing method
DE3851361T2 (en) Conductive layer for photovoltaic elements.