TH113084A - อุปกรณ์ไอจีบีที (igbt) ที่มีโครงสร้างเกตแบบขุดและมีชั้นฝังลอย - Google Patents
อุปกรณ์ไอจีบีที (igbt) ที่มีโครงสร้างเกตแบบขุดและมีชั้นฝังลอยInfo
- Publication number
- TH113084A TH113084A TH601005420A TH0601005420A TH113084A TH 113084 A TH113084 A TH 113084A TH 601005420 A TH601005420 A TH 601005420A TH 0601005420 A TH0601005420 A TH 0601005420A TH 113084 A TH113084 A TH 113084A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- layer
- gate oxide
- igbt
- floating layer
- under
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (25/02/54) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สารกึ่งตัวนำกำลัง ชนิดไอจีบีที (lnsulated Gate Bipolar Transistor: IGBT) โดยมีโครงสร้างโพลีเกตแบบขุดในซับเสตรตซิลิกอน ที่ถูกควบคุมโดย ชั้นฝังลอย (P buries (Pb)) ที่อยู่ใต้เกตออกไซด์ แต่ไม่ติดกับเกตออกไซด์ โดยมี ลักษณะเฉพาะคือประกอบด้วยชั้นฝังลอย Pb ภายในชั้นคอลเล็กเตอร์ดริฟท์ ด้วยความ เข้มข้นสารเจือต่ำบริเวณใต้ชั้นออกไซด์กั้นระหว่างโพลีเกตและคอลเล็กเตอร์ดริฟท์ใน แนวนอน โดยจัดให้มีระยะห่างจากเกตออกไซด์และมีขนาดที่เหมาะสม ส่งผลให้ลดผลการ พังทลายแบบอะวาลันซ์ ในโครงสร้างบริเวณชั้นซับเสตรทใต้เกตออกไซด์ ชั้นฝังลอย Pb ช่วยให้เกิดการกระจายตัวของความหนาแน่นสนามไฟฟ้าใต้เกตออกไซด์ ไปยังชั้นฝังลอย Pb ทำให้สามารถทนแรงดันพังทลายแบบอะวาลันซ์ในชั้นฐานรองได้ ส่งผลให้อุปกรณ์ไอจี บีทีสามารถทนการพังทลายได้มากขึ้น หรือสามารถใช้งานเมื่อได้รับไบอัสย้อนกลับเพิ่ม มากขึ้นได้ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สารกึ่งตัวนำกำลัง ชนิดไอจีบีที (lnsulated Gate Bipolar Transistor: IGBT) โดยมีโครงสร้างโพลีเกตแบบขุดในซับเสตรตซิลิกอน ที่ถูกควบคุมโดย ชั้นฝังลอย (Phuries (Pb)) ที่อยู่ใต้เกตออกไซด์ แต่ไม่ติดกับเกตออกไซด์ โดยมี ลักษณะเฉพาะคือประกอบด้วยชั้นฝังลอย Pb ภายในชั้นคอลเล็กเตอร์ดรีฟท์ ด้วยความ เข้าข้นสารเจือต่ำบริเวณใต้ชั้นออกไซด์กั้นระหว่างโพลีเกตและคอลเล็กเตอร์ดริฟท์ใน แนวนอน โดยจัดให้มีระยะห่างจากเกตออกไซด์และมีขนาดที่เหมาะสม ส่งผลให้ลดผลการ พังทลายแบบอะวาลันซ์ ในโครงสร้างบริเวณชั้นซับเสตรทใต้เกตออกไซด์ ชั้นฝังลอย Pb ช่วยให้เกิดการกระจายตัวของความหนาแน่นสนามไฟฟ้าใต้เกตออกไซด์ ไปยังชั้นฝังลอย Pb ทำให้สามารถทนแรงดันพังทลายแบบอะวาลันซ์ในชั้นฐานรองได้ ส่งผลให้อุปกรณ์ไอจี บีทีสามารถทนการพังทลายได้มากขึ้น หรือสามารถใช้งานเมื่อได้รับใบอัสย้อนกลับเพิ่ม มากขึ้นได้
Claims (1)
1. อุปกรณ์ไอจีบีที ที่มีโครงสร้างเกตแบบขุดพร้อมด้วยชั้นฝังลอย ที่ประกอบด้วย ชั้นสับสเตรทสารกึ่งตัวนำ ที่ประกอบรวมด้วย คอลเลคเตอร์ อีมิตเตอร์ และเกต เรียงกัน ตามลำบอนุกรม โดยที่คอลเลคเตอร์ประกอบด้วยขั้วอิเล็กโตรดที่หนึ่ง ที่เชื่อมต่อกับชั้นฉีด ซึ่งถูกเจือด้วย สารเจือปนที่มีขั้วที่หนึ่ง และชั้นคอลเลคเตอร์ดริฟท์ ที่เจือด้วยสารเจือปนที่มีขั้วไฟฟ้าที่สอง ตามลำดับ และบริเวณบอดี้ ซึ่งมีลักษณะเป็นบ่อสารกึ่งตัวนำที่เจือด้วยสารเจือปนที่มีขั้วไฟฟ้าที่ หนึ่งสร้างขึแท็ก :
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH86092A TH86092A (th) | 2007-08-20 |
| TH113084A true TH113084A (th) | 2012-03-20 |
| TH86092B TH86092B (th) | 2021-12-23 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012089826A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2011119674A5 (th) | ||
| JP2010516058A5 (th) | ||
| EP2597680A3 (en) | Semiconductor device | |
| US11211485B2 (en) | Trench power transistor | |
| IN2014DN03274A (th) | ||
| CN103840013A (zh) | 双向tvs二极管及其制造方法 | |
| CN206022362U (zh) | 沟槽引出的集成型低压双向瞬时电压抑制器 | |
| CN109755303B (zh) | 一种igbt功率器件 | |
| US9443841B2 (en) | Electrostatic discharge protection structure capable of preventing latch-up issue caused by unexpected noise | |
| CN105097914A (zh) | 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 | |
| CN102376762A (zh) | 超级结ldmos器件及制造方法 | |
| CN102832213B (zh) | 一种具有esd保护功能的ligbt器件 | |
| Qiao et al. | A novel substrate-assisted RESURF technology for small curvature radius junction | |
| CN104617139B (zh) | Ldmos器件及制造方法 | |
| JP2012099626A (ja) | 半導体装置 | |
| CN104465653B (zh) | 高压静电保护结构 | |
| CN102790087A (zh) | 一种具有ESD保护功能的nLDMOS器件 | |
| TH113084A (th) | อุปกรณ์ไอจีบีที (igbt) ที่มีโครงสร้างเกตแบบขุดและมีชั้นฝังลอย | |
| KR101403061B1 (ko) | 전력 반도체 디바이스 | |
| CN106486361A (zh) | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 | |
| CN105140303A (zh) | 结型场效应晶体管及其制备方法 | |
| JP2013219246A (ja) | 保護ダイオード | |
| TH86092B (th) | อุปกรณ์ไอจีบีที (igbt) ที่มีโครงสร้างเกตแบบขุดและมีชั้นฝังลอย | |
| KR20130132085A (ko) | 딥 트렌치 필링을 이용한 슈퍼 접합 전력 모스펫 |