TH86092B - อุปกรณ์ไอจีบีที (igbt) ที่มีโครงสร้างเกตแบบขุดและมีชั้นฝังลอย - Google Patents
อุปกรณ์ไอจีบีที (igbt) ที่มีโครงสร้างเกตแบบขุดและมีชั้นฝังลอยInfo
- Publication number
- TH86092B TH86092B TH601005420A TH0601005420A TH86092B TH 86092 B TH86092 B TH 86092B TH 601005420 A TH601005420 A TH 601005420A TH 0601005420 A TH0601005420 A TH 0601005420A TH 86092 B TH86092 B TH 86092B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- layer
- gate oxide
- igbt
- floating layer
- floating
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (25/02/54) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สารกึ่งตัวนำกำลัง ชนิดไอจีบีที (lnsulated Gate Bipolar Transistor: IGBT) โดยมีโครงสร้างโพลีเกตแบบขุดในซับเสตรตซิลิกอน ที่ถูกควบคุมโดย ชั้นฝังลอย (P buries (Pb)) ที่อยู่ใต้เกตออกไซด์ แต่ไม่ติดกับเกตออกไซด์ โดยมี ลักษณะเฉพาะคือประกอบด้วยชั้นฝังลอย Pb ภายในชั้นคอลเล็กเตอร์ดริฟท์ ด้วยความ เข้มข้นสารเจือต่ำบริเวณใต้ชั้นออกไซด์กั้นระหว่างโพลีเกตและคอลเล็กเตอร์ดริฟท์ใน แนวนอน โดยจัดให้มีระยะห่างจากเกตออกไซด์และมีขนาดที่เหมาะสม ส่งผลให้ลดผลการ พังทลายแบบอะวาลันซ์ ในโครงสร้างบริเวณชั้นซับเสตรทใต้เกตออกไซด์ ชั้นฝังลอย Pb ช่วยให้เกิดการกระจายตัวของความหนาแน่นสนามไฟฟ้าใต้เกตออกไซด์ ไปยังชั้นฝังลอย Pb ทำให้สามารถทนแรงดันพังทลายแบบอะวาลันซ์ในชั้นฐานรองได้ ส่งผลให้อุปกรณ์ไอจี บีทีสามารถทนการพังทลายได้มากขึ้น หรือสามารถใช้งานเมื่อได้รับไบอัสย้อนกลับเพิ่ม มากขึ้นได้ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สารกึ่งตัวนำกำลัง ชนิดไอจีบีที (lnsulated Gate Bipolar Transistor: IGBT) โดยมีโครงสร้างโพลีเกตแบบขุดในซับเสตรตซิลิกอน ที่ถูกควบคุมโดย ชั้นฝังลอย (Phuries (Pb)) ที่อยู่ใต้เกตออกไซด์ แต่ไม่ติดกับเกตออกไซด์ โดยมี ลักษณะเฉพาะคือประกอบด้วยชั้นฝังลอย Pb ภายในชั้นคอลเล็กเตอร์ดรีฟท์ ด้วยความ เข้าข้นสารเจือต่ำบริเวณใต้ชั้นออกไซด์กั้นระหว่างโพลีเกตและคอลเล็กเตอร์ดริฟท์ใน แนวนอน โดยจัดให้มีระยะห่างจากเกตออกไซด์และมีขนาดที่เหมาะสม ส่งผลให้ลดผลการ พังทลายแบบอะวาลันซ์ ในโครงสร้างบริเวณชั้นซับเสตรทใต้เกตออกไซด์ ชั้นฝังลอย Pb ช่วยให้เกิดการกระจายตัวของความหนาแน่นสนามไฟฟ้าใต้เกตออกไซด์ ไปยังชั้นฝังลอย Pb ทำให้สามารถทนแรงดันพังทลายแบบอะวาลันซ์ในชั้นฐานรองได้ ส่งผลให้อุปกรณ์ไอจี บีทีสามารถทนการพังทลายได้มากขึ้น หรือสามารถใช้งานเมื่อได้รับใบอัสย้อนกลับเพิ่ม มากขึ้นได้
Claims (1)
1. วิธีการสำหรับการตรวจหาสัญญาณธรณีแปรสัณฐานที่ได้รับการจุดชนวนด้วยเหตุการณ์ ธรณีแปรสัณฐาน ซึ่งใช้ประโยชน์คลื่นใต้เสียงที่มากับเหตุการณ์ธรณีแปรสัณฐาน และที่ได้รับการ กำเนิดขึ้นมาที่พื้นดิน และซึ่งใช้ประโยชน์การขึ้นลง ของอุณหภูมิที่ทำให้เกิดการมอดูเลตของ แสงเรืองในอากาศต่อไปอีก การขึ้นลง ของอุณหภูมิดังกล่าวได้รับการทำให้เกิดขึ้นโดยคลื่นใต้น้ำ ดังกล่าวซึ่งมีแอมพลิจูดเพิ่มขึ้นร่วมกับความสูงอันเนื่องมาจากการลดลงของความดันอากาศอย่างเชิง เลขชี้กำลัง ซึ่งได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าก
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH86092A TH86092A (th) | 2007-08-20 |
| TH113084A TH113084A (th) | 2012-03-20 |
| TH86092B true TH86092B (th) | 2021-12-23 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Masuda et al. | 0.97 mΩcm2/820 V 4H-SiC super junction V-groove trench MOSFET | |
| WO2015013628A3 (en) | Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions | |
| CN104218077B (zh) | Esd晶体管 | |
| PH12014500712A1 (en) | Igbt and method of manufacturing the same | |
| WO2014051728A3 (en) | Strained gate-all-around semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates | |
| EP2597680A3 (en) | Semiconductor device | |
| JP2011119711A5 (th) | ||
| EP2991119A3 (en) | Semiconductor device | |
| IN2014DN03274A (th) | ||
| EP4583666A3 (en) | Semiconductor device | |
| JP2012089826A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| WO2014172159A8 (en) | Defective p-n junction for backgated fully depleted silicon on insulator mosfet | |
| PH12016501667A1 (en) | Solar cell with trench-free emitter regions | |
| EP2634811A3 (en) | Field effect transistor | |
| ATE545155T1 (de) | Leistungshalbleiterbauelement | |
| EP2999000A3 (en) | Semiconductor device | |
| CN105161500B (zh) | 绝缘体上硅射频开关器件结构 | |
| GB2502480A (en) | Independently voltage controlled volume of silicon on a silicon on insulator chip | |
| TW201614831A (en) | Semiconductor device | |
| PH12016502441A1 (en) | Passivation of light-receiving surfaces of solar cells with crystalline silicon | |
| CN105261643A (zh) | 一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管 | |
| MY187483A (en) | Alignment free solar cell metallization | |
| TH86092B (th) | อุปกรณ์ไอจีบีที (igbt) ที่มีโครงสร้างเกตแบบขุดและมีชั้นฝังลอย | |
| TW201212226A (en) | Lateral floating coupled capacitor device termination structures | |
| CN102983161B (zh) | 非埋层的双深n型阱高压隔离n型ldmos及制造方法 |