TH103189A - วิธีการสร้างลายวงจรแบบสามมิติบนชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสง โดยเทคนิคการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานแสงจากแหล่งกำเนิดแสง (Photoresisft 3D structures formation by varying dose technique from a single light source) - Google Patents
วิธีการสร้างลายวงจรแบบสามมิติบนชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสง โดยเทคนิคการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานแสงจากแหล่งกำเนิดแสง (Photoresisft 3D structures formation by varying dose technique from a single light source)Info
- Publication number
- TH103189A TH103189A TH601003299A TH0601003299A TH103189A TH 103189 A TH103189 A TH 103189A TH 601003299 A TH601003299 A TH 601003299A TH 0601003299 A TH0601003299 A TH 0601003299A TH 103189 A TH103189 A TH 103189A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- photosensitive film
- thickness
- exposure
- energy
- etching
- Prior art date
Links
Abstract
------22/05/2563------(OCR) ในการสร้างลวดลายจุลภาค 3 มิติ ด้วยวิธีการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงจากแหล่งกำเนิดพลังงานนี้ จะใช้หลักการอิงตามกระบวนการถ่ายแบบลายวงจร หรือกระบวนการโฟโตลิโธกราฟี(Photolithography process) โดยเริ่มจากการเตรียมผิวชิ้นงานให้สะอาด (Sample preparation) การเคลือบฟิล์มนํ้ายาไวแสง (Photoresist film coating) การอบชั้นฟิล์มนํ้ายาไวแสงให้แห้ง (Softbake), การฉายแสง(Exposure) ด้วยเครื่องถ่ายย่อแบบลายวงจร (Stepper) ที่ค่าพลังงานต่าง ๆ กัน ในแต่ละพื้นที่ที่กำหนด การล้างลายวงจร (Develop) และการกัดลายวงจร (Etching) ซึ่งจากการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสง พบว่าเมื่อพลังงานในการฉายแสงเพิ่มมากขึ้น ค่าความหนาของชัั้นฟิล์มนํ้ายาไวแสงจะน้อยลง และความหนาชั้นฟิล์มด้านล่างชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงจะมีความหนาปรับเปลี่ยนไปตามความหนาของชิ้นฟิล์มนํ้ายาไวแสงด้านบน ภายหลังกระบวนการกัดแบบแห้งด้วยพลาสมมา ไม่ว่าชั้นฟิล์มนั้นจะเป็นวัสดุชนิดใดก็ตาม ดังนั้นการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงให้สอดคล้องกับการเคลื่อนที่ของแท่นวางชิ้นงาน ของเครื่องถ่ายย่อแบบลายวงจร จะสามารถสร้างลวดลายจุลภาค 3 มิติ ที่มีความหนาชั้นฟิล์มฯแตกต่างกัน และมีผนังลวดลายวงจรแบบตั้งตรง(Vertical sidewall slope profile) โดยใช้การล้างลายวงจรและการกัดแบบแห้งด้วยพลาสมาเพียงครั้งเดียวได้ ------------ DC60 (10/10/51) ในการสร้างลวดลายวงจร 3 มิติ ด้วยวิธีการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงจาก แหล่งกำเนิดพลังงานนี้ จะใช้หลักการอิงตามกระบวนการถ่ายแบบลายวงจรแบบปกติ (Photolithography) โดยเริ่มจากการเตรียมผิวชิ้นงานให้สะอาด (Sample preparation), การเคลือบ ฟิล์มน้ำยาไวแสง (Photoresist coating), การอบชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงให้แห้ง (Softbake), การฉาย แสง (Exposure) ด้วยเครื่อง Stepper ที่ค่าพลังงานต่างๆ กัน ในแต่ละพื้นที่ที่กำหนด, การล้างลาย วงจร (Develop) และการกัดลายวงจร (Etching) ซึ่งจากการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสง พบว่า เมื่อพลังงานในการฉายแสงเพิ่มมากขึ้น ค่าความหนาของชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงจะน้อยลง และความหนาชั้นฟิล์มด้านล่างชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงจะมีความหนาปรับเปลี่ยนไปตามความหนา ของชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงด้านบน ภายหลังกระบวนการกัดแบบแห้งด้วยเคมี ไม่ว่าชั้นฟิล์มนั้นจะ เป็นวัสดุชนิดใดก็ตาม ดังนั้น การปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงให้สอดคล้องกับการ เคลื่อนที่ของ Stage ของเครื่องถ่ายแบบลายวงจร จะสามารถสร้างลวดลาย 3 มิติ ที่มีความหนาชั้น ฟิล์มฯแตกต่างกัน และมีผนังลวดลายวงจรแบบ Vertical Sidewall Profile โดยใช้การล้างลายวงจร และการกัดแบบแห้งเคมีเพียงครั้งเดียวได้ ในการสร้างลวดลายวงจร 3 มิติ ด้วยวิธีการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงจาก แหล่งกำเนิดพลังงานนี้ จะใช้หลักการอิงตามกระบวนการถ่ายแบบลายวงจรแบบปกติ (Photolithography ) โดยเริ่มจากการเตรียมผิวชิ้นงานให้สะอาด (Sample preparation), การเคลือบ ฟิล์มน้ำยาไวแสง (Photoresist coating), การอบชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงให้แห้ง (Softbake), การฉาย แสง (Exposure) ด้วยเครื่อง Stepper ที่ค่าพลังงานต่าง ๆ กัน ในแต่ละพื้นที่ที่กำหนด, การล้างลาย วงจร (Develop) และการกัดลายวงจร (Etching) ซึ่งจากการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสง พบว่า เมื่อพลังงานในการฉายแสงเพิ่มมากขึ้น ค่าความหนาของชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงจะน้อยลง และความหนาชั้นฟิล์มด้านล่างชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงจะมีความหนาปรับเปลี่ยนไปตามความหนา ของชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสงด้านบน ภายหลังกระบวนการกัดแบบแห้งด้วยเคมี ไม่ว่าชั้นฟิล์มนั้นจะ เป็นวัสดุชนิดใดก็ตาม ดังนั้น การปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสงให้สอดคล้องกับการ เคลื่อนที่ของ Stage ของเครื่องถ่ายแบบลายวงจร จะสามารถสร้างลวดลาย 3 มิติ ที่มีความหนาชั้น ฟิล์มฯ แตกต่างกัน และมีผนังลวดลายวงจรแบบ Vertical Sidewall Profile โดยใช้การล้างลายวงจร และการกัดแบบแห้งเคมีเพียงครั้งเดียวได้
Claims (2)
1. วิธีการสร้างลายวงจรแบบสามมิติบนชั้นฟิล์มน้ำ ยาไวแสง ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ - การจัดเตรียมซับสเตรท - การเคลือบฟิล์มน้ำยาไวแสง ลงบนซับสเตรทดังกล่าว - การเคลือบฟิล์มน้ำยาไวแสงในซับสเตรทดังกล่าว ให้แห้ง - การฉายแสง (Ezposure) ด้วยเครื่อง Stepper โดยมีลักษณะเฉพาะคือ การฉาย แสงที่ค่าพลังงานต่าง ๆ กัน ในแต่ละพื้นที่ที่กำหนด, โดยที่ความลึกจาก ผิวหน้าของซับสเตรทดังกล่าวจะเป็นแปรผันโดยตรงกับพลังงานของแสงที่ ฉาย - การล้างลายวงจร และ - การกัดลายวงจร (Etching) เพื่อกำจัดชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงดังกล่าว
2. วิธีการสร้างลายวงจรแบบสามมิติบนชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสง ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง Etch- selectivity ที่ได้จากการกัดแบบแห้ง จะสัมพันธ์กับ Delta-resist thickness ที่ได้จากการ เปลี่ยนค่าพลังงานแสงดังกล่าว
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH88087A TH88087A (th) | 2008-01-10 |
| TH103189A true TH103189A (th) | 2010-08-11 |
| TH88087B TH88087B (th) | 2022-05-19 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9478435B2 (en) | Method for directed self-assembly and pattern curing | |
| CN109804459A (zh) | 准原子层蚀刻方法 | |
| WO2008059440A3 (en) | Double patterning for lithography to increase feature spatial density | |
| WO2013048155A3 (ko) | 유도된 자가정렬 공정을 이용한 반도체 소자의 미세패턴 형성 방법 | |
| TW200507951A (en) | Unitary dual damascene process using imprint lithography | |
| JP2018516385A (ja) | 基板を平坦化するためのシステム及び方法 | |
| WO2009041306A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および装置ならびにレジスト材料 | |
| JP5537400B2 (ja) | パターン形成方法及び装置 | |
| KR100811431B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| CN108292593A (zh) | 使用极紫外光刻对衬底进行图案化的方法 | |
| JP2009010188A5 (th) | ||
| KR102651697B1 (ko) | 트렌치 보조 케모에피탁시(trac) dsa 흐름 | |
| Peroz et al. | Step and repeat UV nanoimprint lithography on pre-spin coated resist film: a promising route for fabricating nanodevices | |
| TWI266357B (en) | Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device | |
| TW200610055A (en) | Photolithography method to prevent photoresist pattern collapse | |
| CN111403270A (zh) | 光刻胶图形及其形成方法 | |
| TH88087B (th) | วิธีการสร้างลายวงจรแบบสามมิติบนชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสง โดยเทคนิคการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานแสงจากแหล่งกำเนิดแสง (Photoresisft 3D structures formation by varying dose technique from a single light source) | |
| JP2005256090A5 (th) | ||
| WO2010140870A3 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| Liu et al. | Directed self-assembly process implementation in a 300mm pilot line environment | |
| KR20080061651A (ko) | 반도체 소자의 형성방법 | |
| RU2654313C1 (ru) | Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек | |
| JP6236481B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| WO2016071760A2 (en) | Laser patterning of cylinders for printing, imprinting, embossing, and inverse offset, for 3d patterning | |
| CN110673245A (zh) | 一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板 |