SU963113A1 - Способ изготовлени тонкопленочных тензорезисторов - Google Patents
Способ изготовлени тонкопленочных тензорезисторов Download PDFInfo
- Publication number
- SU963113A1 SU963113A1 SU813264658A SU3264658A SU963113A1 SU 963113 A1 SU963113 A1 SU 963113A1 SU 813264658 A SU813264658 A SU 813264658A SU 3264658 A SU3264658 A SU 3264658A SU 963113 A1 SU963113 A1 SU 963113A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- gauge
- film strain
- producing thin
- strain
- film
- Prior art date
Links
Description
(5) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ
Изобретение относитс к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовлени тонкопл ночных тензорезисторов. Известен способ изготовлени тонкопленочных тензорезисторов, включаю щий нанесение на подложку диэлектрического и резистивного слоев с после дующей их тер+« обработкой Cl 3. Недостаток указанного способа изготовлени тонкопленочного тензорезистора состоит в низкой тензочувствительности . Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ изготовлени тонкопл ночных тензорезисторов, включающий н несение на металлическую пластину сло диэлектрика и резистивного сло с последующей термообработкой их в среде кислорода t2. Недостаток известного способа изготовлени тонкопленочного тензорези тора заключаетс в низкой тензочувст вительности. Цель изобретени - повышение тен-t зочувствительности. Указанна цель достигаетс тем, что согласно способу изготовлени тонкопленочных тензорезисторов, включающему нанесение на металлическую пластину сло диэлектрика и резистивного сло с последующей термообработкой их в среде кислорода, термообработку осуществл ют при 600-750°С и давлении. 10- 1 Па в течение 2-10 мин. Способ осуществл ют следующим образом . На пластину из стали ЗбНХТ трлщиной 0,25 мм, диаметром 18 мм нанос т слой диэлектрика и резистивный слой титана толщиной 1000 мкм. Затем пластину с нанесенными на нее сло ми нагревают с помощью инфракрасного излучател до в течение 2 мин при давлении кислорода 1(. Тензорезистор имеет удельное поверхностное сопротивление кОм/о и коэффициент тензочувствительности 0, Изготовленный
3 9631134
Claims (1)
1. Патент Англии № ,
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU813264658A SU963113A1 (ru) | 1981-03-21 | 1981-03-21 | Способ изготовлени тонкопленочных тензорезисторов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU813264658A SU963113A1 (ru) | 1981-03-21 | 1981-03-21 | Способ изготовлени тонкопленочных тензорезисторов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU963113A1 true SU963113A1 (ru) | 1982-09-30 |
Family
ID=20949281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU813264658A SU963113A1 (ru) | 1981-03-21 | 1981-03-21 | Способ изготовлени тонкопленочных тензорезисторов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU963113A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2512142C1 (ru) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы |
-
1981
- 1981-03-21 SU SU813264658A patent/SU963113A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2512142C1 (ru) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2507731C3 (de) | Meßwiderstand für Widerstandsthermometer und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| KR101946653B1 (ko) | 투명 도전성 필름 | |
| GB2234820A (en) | capacitive element and method for its manufacture | |
| KR890015968A (ko) | 시각적으로 드러나지 않는 합금산화물 스퍼터링 필름 | |
| JPS58142206A (ja) | 歪センサ | |
| SU963113A1 (ru) | Способ изготовлени тонкопленочных тензорезисторов | |
| JPS595051A (ja) | 蒸気透過性逆反射シートおよびその製作方法 | |
| Garcia-Alonso et al. | Strain sensitivity and temperature influence on sputtered thin films for piezoresistive sensors | |
| JPWO2022091829A5 (ru) | ||
| US4812800A (en) | Strain gage having a thin discontinuous metal layer | |
| DE102015006057A1 (de) | Schichtwiderstand mit einem kohlenstoffhaltigen Widerstandsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE102010054970A1 (de) | Vorrichtung zum Wandeln einer Dehnung und/oder Stauchung in ein elektrisches Signal, insbesondere Dehnungsmessfolie | |
| JPS61284703A (ja) | 銀鏡 | |
| KR950020822A (ko) | 압전형 디지틀 터치 패널 | |
| Nayak et al. | Diaphragm-type sputtered platinum thin film strain gauge pressure transducer | |
| SU381622A1 (ru) | ||
| DE2908919C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dünschichttemperatursensors | |
| JP3391115B2 (ja) | クロム−酸素合金薄膜の製造法 | |
| JPS57103333A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| GB1185362A (en) | Thin Film Resistor. | |
| SU636473A1 (ru) | Способ изготовлени высокотемпературных тензодатчиков | |
| CN1205458C (zh) | 一种应变计基材及其制造方法 | |
| LECA | Physical and structural properties of palladium-chromium layers obtained by cathodic sputtering: Resistive element for a high temperature strain gage(Proprietes physiques et structurales de l alliage palladium-chrome depose par pulverisation cathodique: Element resistif pour une jauge de deformation haute temperature)(Ph. D. Thesis-Paris VI Univ.) | |
| FR2440547A1 (fr) | Jauge de contrainte perfectionnee | |
| SU1224564A1 (ru) | Способ изготовлени тензорезистивной структуры |