Claims (1)
Запоминающее устройство содержит магнитоодноосную пленку с ЦМД Ц а поверхности которой расположена матрица чеек пам ти TJJ , магнитосв занных с разр дными компрессорами 1, каждый из которых соединен с соответствуирщими разр дными генераторами ЦМД /. и элементами считывани ЦМД /1, основной уII и вспомогательный yjJJ дешифраторы, выходы которых св заны со входами адресных компрессоров IX, аннигил торы ЦМД Х, а также дополни395 тельные динамические ловушки ЦМД Xj, вход и выход каждой из которых соединены соответственно С выходом и входом одноименной чейки пам ти запоминающего устройства Цифрами 1-4, k , -Ц, , , 2 и З обозначены позиции, занимаемые НМД во врем работы запоминающего устройства. Предлагаемое запоминающее устройство функционирует следующим образом. Рассмотрим детально процессы запиi си и считывани информацир, из ji-ых чеек пам ти (, где М - число хранимых р-разр дных слов. На управ | л ющие входы основного дешифратора Л код к-го адресного компрессора ГХ. по|раетс одновременно с подачей на его j информационные входы ЦМД, из которых только один в соответствии с кодом по вл етс на выходе дешифратора и поступает на вход адресного компрессора }( в позицию 1 . Последующее перемещение в позицию 2 вызывает параллельный сдвиг ЦМД, находившихс в позици х 1 динамических л вушек k-ro адресного компрессора, в позиции 2 . В этоу момент времени от генераторов ЦМД / разр ды записываемого слова по каналам ввода данных 2 и з поступают в позиции ых разр дных компрессоров Тх ( , вызыва параллельный сдвиг ЦМД, нахо дившихс в позици х 2 тех динамических ловушек -i-x разр дных компрессоров , которые расположены ниже динами ческих ловушекk -го адресного компрессора , в позиции 3 . ЦМД записываемого слова, поступив в позиции 3 , расположенные непосредственно под четными динамическими ловушками ЦМД k-ro адресного компрессора, и испытыва магнитостатическое отталчивание ЦМД, наход щихс в этих ловушках по каналам 3 , и 1 попадают в К-ы чейки пам ти устройства. При считывании информации из К-ых чеек пам ти необходимо подать код k-oro адресного компрессора Щна уп равл ющие входы дешифратора VTT, что приводит к описанному сдвигу в адресном компрессоре JZ, и, далее, к сдвигу информационных ЦМД из k-ых чеек пам ти в позиции 2 каналов вывода информации 1,2 и 3. В свою очередь, это вызывает выталкивание ЦМД из позиции 1 динамических ловушек 1-ыл разр дных компрессоров. магнитосв занных с k-ыми чейками пам ти , в позиции 2 каналов 1, 2 , З и-4, оканчивающихс в нечетных динами-ческих ловушках адресных компрессоров IX. Последние ЦМД, в свою очередь, выталкивают ЦМД в четных динамических ловушках компрессоров 1Х из позиций 2 в позиции З, вызыва сдвиг ЦМД в динамических ловушках ,1-ых разр дных компрессоров, расположенных выше k-го адресного компрессора, и считывание .требуемой информации датчиками считывани ЦМД vT . Следовательно, дл вывода ранее хранимой информации из запоминающего устройства требуетс 0,75 такта (такт - врем одного o6opoja вектора магнитного пол управлени Н , а дл ввода - один такт (отсчет времени производитс с момента по влени управл ющего , ЦМД на одном из входов дешифратора /| I). , Предлагаемое устройство может функционировать также в режиме одновременного считывани и записи информации , когда за такт работы устройства ранее хранимое слово выводитс из К-ых чеек пам ти устройства, а новое слово записываетс на его месте . В предлагаемом устройстве может быть организована логическа обработка хранимой информации. Поразр дные логические операции Дизъюнкци и Конъюнкци реализуетс при.одновременном считывании одноименных разр дов слов. С этой целью на управл ющие входы вспомогательного дешифратора подаетс код адреса первого операнда, в результате чего в позицию з соотв т ствующего адресного компрессора ЦМД Х. с одноименного выхода вспомогательного дешифратора поступает домен. Последующее перемещение ЦМД в позицию вызывает одновременный сдвиг влево доменов , находившихс в позици х 3 динамических ловушек ЦМД рассматриваемого адресного компрессора, в позиции 4, откуда, отслежива полюса аппликаций, домены перемест тс в позиции 1 динамических ловушек ЦМД, за который займет исключением последнего, позицию 1 . В этот момент времени на управл ющие входы основного дешифратора подаетс код адреса второго операнда , в соответствии с которым в позиции 1 второго из выбранных адресных компрессоров ЦМД также по вит с домен. При перемещении упом нутых ЦМД из позиции 1 в позиции 2 в результате возникновени сдвига вправо доменов в обоих выбранных адресных компрессорах ЦМД описанным образом ЦМД из позиций 1 выбранных чеек пам ти перемещаетс в позицию 2 и, в случае, когда в одноименных вышерасположенной и нижерасположенной чейках пам ти содержатс ЦМД, домен из нижерасположенной чейки пам ти вызывает сдвиг в соответствующем раз р дном компрессоре, а домен, выведенный из вышерасположенной чейки пам ти, из позиций 2 поступает в позицию 3 дополнительной динамической ловушки и, отслежива ее полюса, попадает в чейку пам ти. В случае, когда только в вышерасположенной чейке пам ти содержитс домен, то и позиции 2 он перемещаетс в позицию 3 соответствующей динамической ловушкиоразр дного компрессора и вызывает в нем сдвиг ЦМД. Следовательно, ЦМД на выходе запоминающего устройства по вл етс тогда, когда хот бы в одной из одно именнь1х выбранных чеек пам ти содер с домен, и в вышерасположенной чей ке пам ти после выполнени операции домен будет находитьс в том слу .чае, когда в одноименных выбранных чейках пам ти содержитс ЦМД. В результате описанных действий на выходах ЗУ по витс результат выполнени логической операции Диз-ьюнкци , а 5 В вышерасположенных из выбранных чеек пам ти будет находитьс результат выполнени логической операции Конъюнкци и, производ считывание из данных чеек пам ти, результат можно получить на выходах запоминающего устройства. Тйким образом, введение в запоминающее устройство дополнительных динамических ловушек Цf1Д по числу чеек пам ти позвол ет организовать выполнение логической операции Конъюнкци , что значительно расшир ет функциональные возможности предлагаемого запоминающего устройства. Формула изобретени Запоминающее устройство по авт.св. № 860832, о т л и ч а ю щ е е с тем, что, с целью расширени функциональных возможностей запоминающего устройства путем выполнени логической операции Конъюнкци , содержит дополнительные динамические ловушки цилиндрических магнитных доменов по числу чеек пам ти, причем вход и выход каждой дополнительной динамической ловушки цилиндрических магнитных доменов соединены соответственно с выходом и входом одноименной чейки пам ти. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе° 1. Авторское свидетельство СССР по за вке Г 2789825/18-2, 29.06.79, кл. G 11 С 11/1 (прототип).The storage device contains a magnetically uniaxial film with CMD C and the surface of which is an array of memory cells TJJ magnetically coupled with discharge compressors 1, each of which is connected to the corresponding discharge generators CMD /. and the CMD / 1 read elements, the main yII and the auxiliary yjJJ decoders, the outputs of which are connected to the inputs of the address compressors IX, the CMD X annihilators, as well as additional CMD dynamic traps XJ, the input and output of each of which are connected respectively With the output and the input of the memory cell of the same name The numbers 1-4, k, -C,,, 2 and 3 indicate the positions occupied by the IDD during the operation of the memory device. The proposed storage device operates as follows. Let us consider in detail the processes of recording and reading information from ji-th memory cells (where M is the number of stored p-words. The control inputs of the main decoder L code of the k-th GC address compressor. with the information inputs of the CMD being fed to its j, of which only one in accordance with the code appears at the output of the decoder and enters the input of the address compressor} (to position 1. Subsequent movement to position 2 causes a parallel shift of the CMD located in positions 1 dynamic k-ro address k comp spring, at position 2. At this point, the time from the DMD generators / bits of the word being written is entered through data input channels 2 and 3 in the positions of the second discharge compressors Tx (causing a parallel shift of the CMDs that were in positions 2 of those dynamic traps ix of discharge compressors, which are located below the dynamic traps of the th address compressor, at position 3. The CMD of the recorded word, arriving at position 3, located directly under the even dynamic traps of the CMD of the k-ro address compressor, skoe ottalchivanie CMD finds schihs in these traps for channels 3 and 1 fall within the kth memory cell of the device. When reading information from K-th memory cells, it is necessary to submit the k-oro code of the address compressor Schnna control inputs of the VTT decoder, which leads to the described shift in the JZ address compressor, and then to the shift of information CMD from the k-th memory cells In turn, this causes the CMD to push out from position 1 of the dynamic traps of the 1-bit discharge compressors. magnetically coupled with k-th memory cells, in position 2 channels 1, 2, 3 and-4, terminating in odd dynamic traps of targeted compressors IX. The last CMDs, in turn, push the CMD in even dynamic traps of compressors 1X from position 2 to position 3, causing the CMD shift in dynamic traps of the 1st bit compressors located above the k-th address compressor, and reading the required information by sensors read CMD vT. Consequently, 0.75 ticks are required to output previously stored information from the storage device (tick is the time of one o6opoja magnetic control field vector H, and for input is one tick (time counts from the moment the control appears, the CMD on one of the decoder inputs / | I). The proposed device can also function in the mode of simultaneous reading and writing information, when the previously stored word is output from the K-th memory cells of the device, and the new word is written in its place. Logical processing of the stored information can be organized in the device. The discrete logical operations of Disjunctions and Conjunctions are implemented by simultaneously reading the like-digits of words of the same name. For this purpose, the control inputs of the auxiliary decoder are supplied with the address code of the first operand, resulting in the corresponding position domain address compressor CMD X. domain is received from the auxiliary output of the auxiliary decoder. The subsequent movement of the CMD to the position causes a simultaneous left shift of the domains located in the positions of 3 dynamic traps of the CMD of the address compressor under consideration, from position 4, from where, tracking the application poles, the domains move to position 1 of the dynamic traps of the CMD, for which it will take the exception of the last one . At this time, the address of the second operand is supplied to the control inputs of the main decoder, according to which the position of the second of the selected addressable compressors of the CMD is also in the same domain. When moving the above CMDs from position 1 to position 2 as a result of a shift to the right, domains in both selected address compressors of the CMD in the manner described CMD from positions 1 of the selected memory cells move to position 2 and, in the case of the same and lower memory cells These are contained in the CMD, the domain from the downstream memory cell causes a shift in the corresponding compressor section, and the domain derived from the upstream memory cell, from position 2, enters position 3 additional din the amic trap and, tracking its poles, falls into the memory cell. In the case when only the upstream memory cell contains a domain, then position 2 it moves to position 3 of the corresponding dynamic discharge trap of the compressor and causes a CMD shift in it. Consequently, the CMD at the output of the storage device appears when at least one of the one selected memory cells contains a domain, and in the upstream memory after the operation, the domain will be in that case. The selected memory locations contained CMD. As a result of the described actions on the memory outputs of the Vits, the result of performing the logical operation of Diz-Link and 5 In the upstream of the selected memory cells will be found the result of performing the logical operation of Conjunction and, reading from the data of the memory cells, the result can be obtained at the outputs of the memory device . In addition, the introduction into the memory of additional dynamic traps TsfD by the number of memory cells allows organizing the execution of a logical Conjunction operation, which greatly expands the functionality of the proposed storage device. Formula of the invention. Storage device according to auth. No. 860832, which, in order to expand the functionality of the storage device by performing a logical Conjunction operation, contains additional dynamic traps of cylindrical magnetic domains according to the number of memory cells, and the input and output of each additional dynamic traps of cylindrical magnetic domains are connected respectively to the output and the input of the memory cell of the same name. Sources of information taken into account in the examination ° 1. USSR author's certificate according to the application T G 2789825 / 18-2, 29.06.79, cl. G 11 C 11/1 (prototype).