(54) ЭЛЕКТРОТЕПЛОВОЙ ЭЛЕМЕНТ(54) ELECTRICAL HEAT ELEMENT
Изобретение относитс к радиотехнике и может быть использовано в качестве врем задающего элемента в устройствах частотной селекции ннфранизкочастоггаого диапазона. Известен электротепловой элемент, содержащий теплопровод щую пластину, на поверхности которой расположен электротепловой преобразователь в виде резнстнвного сло определенной конфигурации, причем резистивный слой изолирован от тепдопровод щей пластины диэлектрическим слоем и снабжен сосредоточенным теплоэлектрическнм преобразователем 1. Недостатком этого электротеплового элемен та вл етс низка точность реализации заданной передаточной функции. Известен также электротепловой элемент, содержащий теплопровод щую пластину, вы- полненную из полупроводникового материала, сформированные на ней теплоэлектрический преобразователь и распределенный электротеп ловой преобразователь с контактными площадками {2J. В известном устройстве электротепловой преобразователь выполнен в виде транзисторной структуры, так что тепловой поток, создаваемый таким преобразователем, вл етс в принципе трехмерным. Дл реализации заданной передаточной функции необходимо обеспечить .точное распределение плотности мощности , вьщел емой по всем трем координатам. Практическа реализаци требуемого распределени плотности выдел емой тепловой мощности с помощью транзисторных структур сопр жена с большими трудност ми. Цель изобретени - упрощение и улучшение параметров электротеплового элемента. Указанна цель достигаетс тем, что в электротепловом элементе, содержащем теплопровод щую пластину, выполненную из полупроводникового материала, сформированньге на ней теплоэлектрический преобразователь и распределенный электротепловой преобразователь с контактными площадками, дополнительно в теплопровод щей пластине под расположенными на ее поверхности контактными площадками вьшолнены поперечные прослойки из материалаThe invention relates to radio engineering and can be used as a time setting element in frequency selection devices in the lower frequency range. The electrothermal element containing a heat-conducting plate, on the surface of which an electrothermal converter is located in the form of a specific layer of a specific configuration, is known, the resistive layer is insulated from the heat-conducting plate by a dielectric layer and provided with a concentrated heat-electric converter 1. The disadvantage of this electrothermal element is the low accuracy of the specified transfer function. Also known is an electrothermal element containing a heat-conducting plate made of semiconductor material, a thermoelectric converter formed on it and a distributed electrothermal converter with contact pads {2J. In the known device, the electrothermal transducer is made in the form of a transistor structure, so that the heat flux generated by such a transducer is basically three-dimensional. In order to implement a given transfer function, it is necessary to ensure an accurate distribution of the power density distributed over all three coordinates. Practical implementation of the required distribution of the density of the heat output by means of transistor structures is very difficult. The purpose of the invention is to simplify and improve the parameters of an electrothermal element. This goal is achieved by the fact that in an electrothermal element containing a heat-conducting plate made of a semiconductor material, a heat-electric converter and a distributed electro-heat converter with contact pads are formed on it, additionally in the heat-conducting plate below the contact pads on the surface of the material are filled with transverse layers of material
с высокой электропроводностью, а участок теплопровод щей пластины, заключенный между этикш прослойками, имеет измен ющеес nq длине пластины электрическое сопротивл те.It has a high electrical conductivity, and the portion of the heat conducting plate, which is enclosed between these layers, has a resistive, nq plate, the resistance of the plate.
Дл получени требуемого распределени электропроводности по длине теплопровод шей Пластины могут быть использовайы широко известные в полупроводниковой технологии методы легировани материала такие, как диффузи , ионное легирование и т.п.To obtain the required distribution of electrical conductivity along the length of the heat conduction of the neck. Plates can be used in material doping methods well known in semiconductor technology, such as diffusion, ion doping, and the like.
Изобретение позвол ет зиачительио сократить врем и трудозатраты на проекпфование и изготовление электротепловых функциональных элементов и существенно повысить точ-j ность воспроизведени заданной на стадии проектировани передаточной функции.The invention allows ziachitelio to reduce the time and labor costs for the design and manufacture of electrothermal functional elements and significantly improve the accuracy of reproduction of the transfer function specified at the design stage.