SU894555A1 - Способ определени местоположени дефектов в издели х - Google Patents

Description

(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТОПОЛОЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В ИЗДЕЛИЯХ

Изобретение относитс  к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в ультразвуковой дефектоскопии дл  определени  местоположени  приповерхностных дефектов в издели х со сложным профилем поверхности.

Известен способ определени  местоположени  дефектов в издели х эхо-методом, заключающийс  в том, что в контролируемом изделии возбуждают импульсы ультразвуковой волны, принимают эхо-сигналы от дефекта, последовательно измен ют граничные услови  в различных точках по поверхности издели , регистрируют минимум этого сигнала и по нему определ ют направление на дефект.

Этот способ может быть использован дл  любого типа волн и определени  местоположени  дефектов на различной глубине из дели  с учетом отрезков времени между зондирующим и эхо-сигналами. Контроль по этому способу ведут отраженным лучом, что определ етс  наличием отражающих поверхностей 1.

Недостатком этого способа  вл етс  невозможность определени  местоположени 

приповерхностных дефектов в издели х со сложным профилем, обусловленным отсутствием отраженного от поверхности сигнала. Цель изобретени  - обеспечение возможности контрол  приповерхностных дефектов в издели х со сложным профилем поверх5 ности.

Эта цель достигаетс  за счет того, что возбуждают поверхностные ультразвуковые волны, изменение граничных условий осуществл ют демпфером поверхностных волн,

10 а местоположение дефекта определ ют по положению демпфера на поверхности издели  в момент увеличени  амплитуды эхосигнала , отраженного от дефекта.

На фиг. 1 представлена схема контрол 

IS данным способом, соответственно, в начале контрол ; на фиг. 2 - то же, при перемещении демпфера; на фиг. 3 - то же, в случае обнаружени  дефекта.

20 Схема содержит преобразователь 1 поверхностных волн, поверхностный дефект 2, расположенный в контролируемом изделии 3, демпфер 4 поверхностных волн.

Способ заключаетс  в следующем.

На контролируемое изделие устанавливанэт преобразователь 1 поверхностных волн. Возбуждают импульсы этих волн в контролируемом изделии 3 и принимают эхо-сигналы в случае наличи  поверхностного дефекта 2. Перед преобразователем 1 располагают демпфер 4 поверхностных волн заданного размера, например пор дка длины волны, и перемещают его поперек направлени  распространени  волны до тех пор, пока не произойдет уменьщение величины сигнала отраженного от дефекта. Минимум этого сигнала будет соответствовать расположению демпфера на линии преобразователь-дефект . Затем демпфер перемещают по этой линии от преобразовател  к дефекту . О местоположении дефекта суд т по положению Демпфера в момент АеЛичени  сигнала . В случае наличи  си аловот нескольких дефектов, направлени  на них и их местоположени  определ ют последовательно , одно за другил;.

Использование этого способа позвол ет определить приповерхностные дефекты в издели х со сложным профилем поверхности при высокой точности и низкой трудоемкости.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ определени  местоположени  дефектов в издели х эхо-методом, заключающийс  в том, что в контролируемом изделии возбуждают импульсы ультразвуковой волны, принимают эхо-сигналы от дефекта, последовательно измен ют граничные услови  в различных точках на поверхности издели , регистрируют минимум этого сигнала и по нему определ ют направление на дефект, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  возможности контрол  приповерхностных дефектов в издели х со сложным профилем поверхности, возбуждают поверхностные ультразву ковые волны, изменение граничных условий осуществл ют демпфером поверхностных волн, а местоположение дефекта определ ют по положению демпфера на поверхности издели  в момент увеличени  амплитуды эхо-сигнала, отраженного

   от дефекта.

   Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР по за вке № 2726768/25-28, кл. G 01 N 29/04

   16.02.79 (прототип).

   ////

   (риг.2