SU854286A3 - Регул тор дл управлени коэффициентомпЕРЕдАчи - Google Patents

Description

атор 18 посто нного напр жени , ранзисторы 19,20, диодные цепочки 21.

Регул тор работает следующим оба 3 ом.

Нелинейный элемент 2 содержит суественно определ ющие его характеистику управлени  транэисторьт 4,5 и 7, а также резисторы,10-12. Колекторы транзисторов св заны мeжлv собой и соединены со входом токового зер-кала 15. Эмиттеры транзисторов 4,5,7 св заны соответственно с одной клеммой резисторов 12,10,11, Другие клеммы резисторов 12,10,11 св заны между собой и через резистор 22 и эмиттер-коллектор транзистора 8 св заны со входом второго токового зеркала 16. Базы транзисторов 4,5 св заны через входные клеммы с источником 9. База транзистора 7 подключена через входную клемму с источником 9.

База транзистора 8 с одной стороны св зана с коллектором транзистора 13, база которого в свою очередь подключена через входную клемму с источником 9, а эмиттер св зан через резистор 14 со входной клеммой , на которую подаетс  отрицательное питающее напр жение. С другой стороны база транзистора 8 соединена с эмиттером амплитудного детектора 1 из транзисторов 19,20. Общий коллектор детектора 1 подключен с входной клеммс й, на которую подаетс  положительное напр жение. База детектора св зана с генератором 18 посто н- . ного напр жени .

Путем управлени  со стороны базы транзистора 19 достигаетс  управление разделением тока, поставл емого от транзистора 13. Это дает возможность с помощью управл ющего напр жени  на базе транзистора 19 осуществл ть управление потенциалом на эмиттере транзистора 8. Благодар  экспотендиальной характеристике транзисторов 4,5,7 достигаетс  экспоненцисшьное изменение их коллекторного тока в зависимости от потенциала на эмиттере транзистора 8.

Чтобы получить желаемую характеристику относительно результирующего коллекторного тока транзисторов 4, 5,8 в зависимости от потенциала на эмиттере транзистора 8, опорного . напр жени  и сопротивлений резисторов 10-12 градуируетс . Опорное напр жение одного источника 9 больше, чем опорное напр жение другого. Сопротивление резистора 10 больше, чем сопротивление резистора 11, сопротивление резистора 11 больше, чем сопротивление резистора 12, и сопротивление резистора 12 больше, чем сопротивление резистора 22. Сопротивление резистора 22 может быть, также исключено , если при выборе значений и градуировке сопротивлений резисторов 10-12 его величина уже включена. До тех пор, пока потенциал на общей точке резисторов 12,10,11 имеет значение между опорным напр жением одного источника У и опорным напр жением другого, характеристика зависит только от свойств транзистора 4 во взаимосв зи с резисторами 10,12. Когда же потенциал общей точки находитс  между опорным напр жением одного источника 9 и опорным напр жением другого, через транзистор 5 течет дополнительный ток, так что результирующа  характеристика определ етс  свойствами транзисторов 4,5 во взаимосв зи с резисторами 11 или 10 и 12. Если уровень на общей точке резисторов 10-12 меньше, чем источника 9, открываетс  также транзистор 7, так что результирующа  характеристик определ етс  свойствами транзисторов 4,5,7 во взаимосв зи с резисторами 10-12.

Градуировка опорных напр жений и сопротивлений резисторов 10-12 делаетс  таким образом, чтобы следующий транзистор был открыт в такой момент времени, когда на другом транзисторе существует область линейности . Подобным образом можно достичь такого хода характеристики, который обладает требуемой линейностью через несколько декад.

С помощью результирующего тока коллектора транзисторов 4,5,7 через вход токовго зеркала 15 управл ютс  диодные цепочки 21,, которые св заны попарно с TOKOBbBvi зеркалом 15. Схема токового зеркала 15, следит, чтобы токи в каждой паре диодной цепочки в точности соответствовали входному току этой схемы. Кажда  пара диодных цепочек 21 состоит из шести последовательно включенных диодов. Другие концы диодных цепочек соединены соответственно с входами токового зеркала 16, вход которого питаетс  коллекторным током транзисторов 4,5,7,8. Между точками соединени  диодов образуетс  в зависимости от тока через диоды дифференциальное сопротивление, которое служит непосредственно как управл емое электронное сопротивление 17. В других парах диодных цепочек 21 на соответствующем месте образуетс  дифференциальное сопротивление, которое служит как управл емое электронное сопротивление 17.

Так как схемы токовых зеркал 15, 16 подключены к симметричным питающим напр жени м + и, -и и представл ют собой дополнительную структуру на управл емом электронном сопротивлении 17 будет нулевой потенциал

Claims (1)

1. Формула изобретени  Регул тор дл  управлени  коэффицентом передачи, содержащий последо