SU824309A1

SU824309A1 - Способ изготовлени запоминающего устройстваНА цилиНдРичЕСКиХ МАгНиТНыХ дОМЕНАХ

Info

Publication number: SU824309A1
Application number: SU792801725A
Authority: SU
Inventors: Евгений Петрович Паринов; Геннадий Константинович Чиркин
Original assignee: Предприятие П/Я А-1631
Priority date: 1979-06-11
Filing date: 1979-06-11
Publication date: 1981-04-23

Description

Изобретение относится к вычислитель ной технике и может быть использовано при создании твердотельных накопителей информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). '

Известен способ изготовления запоминающего устройства (ЗУ) на ЦМД, ос—“ нованный на нанесении на магнитооцноосную пленку разделительного слоя диэлектрика и слоя немагнитного металла. После проведения фотолитографии металлическая пленка удаляется методом травления в соответствии с рисунком маски, в результате чего остаются только токовые проводники [1]. ’ U

Однако наличие токовых проводников приводит к образованию рельефа при нанесении последующих пленочных слоевпи электрик а и пермаллоя, что снижает надежность работы устройств на НМД.

Наиболее близким к предлагаемому до технической сущности является спо- . _у соб изготовления ЗУ на ЦМД, основанный на пос ле нова тельном нанесении на магнит о2.

одноосную пленку слоя из немагнитного металла, слоя диэлектрика и ферромагнитного слоя и формировании токопроводящих шин и управляющих аппликаций^ известном способе пооле формирова- — ния методом травления рисунка тиковых проводников напыляют пленку диэлектрикаокиси кремния, не снимая резиста с проводников. Толщина наносимой пленки диэлектрика делается равной толщине слоя токовых проводников, либо несколько меньшей - в пределах, при которых не ухудшается доменопродвижёние, но оказывается достаточным для проведения операции точного совмещения при фотолитографии по слою пермаллоя. После удаления с поверхности токовых проводников диэлектрика Имеете с резистом; последующие операции й применяемые материалы не отличаются от общепринятых в технике ЦМД устройств. В известном способе устранена рельефность слоев и вызванное ею снижение надежности функционирования^}.

з 824309

Однако это достигается значительным усложнением технологии изготовления. .

Цель изобретения - упрощение изготовления ЗУ на ЦМД.

Поставленная цель достигается путем 5 того, что в известном способе изготовления ЗУ на ЦМД формирование токопроводящих шин осуществляют вытравливанием разделительных промежутков в слое из немагнитного металла, формирующих ю замкнутый контур протекания электричесгкого тока.

На фиг. 1 и 2 изображена конструкция ЗУ на ЦМД, выполненного в соответствии с предлагаемым способом. ¹⁵

ЗУ на ЦМД содержит токопроводящие шины 1 из немагнитного металла, балластные участки V шин, активные участки I^м шин, образованные вытравливанием в слое из немагнитного металла раздели- 20 тельных промежутков 2, причем ширина последних в местах совмещения с управляющими аппликациями 3-соизмерима с их критическими размерами. Реперные знаки 4 формируются в слое немагнитного 25 металла. С остальной площади магнитоонноосной пленки 5 слой из немагнитного металла не удаляется. Токопроводящие шины 1 расположены между пленкой 5 и аппликациями 3, от которых они отце- 30 лены соответственно'слоями 6 и 7 диэлектрика.

Формирование разделительных промежутке® 2 можно осуществлять также анодным окисидованием алюминия, так как _3Jпри этом изменение уровня оказывается весьма незначительным,.

В предлагаемом способе электросопротивление токопроводящих шин уменьшается в несколько раз за счет снижения доли балластной их части, что приводит К уменьшению тепла, выделяющегося в устройстве. Кроме того, увеличенная во много раз площадь балластной части шин эффективно выполняет роль радиатора, отводящего тепло от активных шин и равномерно распределяющего его по всей площади устройства. Это приводит к снижению температуры узких участков токопроводящих шин и уменьшает вероятность их теплового разрушения, а также ослабляет локальный разогрев магнитоодноосной пленки.

Указанные преимущества повышают надежность ЗУ на ЦМД и упрощают их изготовление.

Claims

Однако это достигаетс значительным усложнением технологии изготовлени . . Цель изобретени - упрощение изготовлени ЗУ на ЦМД. Псх:тавленна цель достигаетс путем .того, что в известном способе изготовле ни ЗУ на ЦМД формирование токопрсжод ших йин осуществл ют вытравливанием разделительных промежутков в слое из немагнитного металла, формирующих замкнутый контур протекани электричес кого тока. .На фиг. 1 и 2 изображена конструкхщ ЗУ на ЦМД, выполненного в соответстви с предлагаемым способом. ЗУ на ЦМД содержит токопровод шие шины I из немагнитного металла, балластные участки l шин, активные участ ки l шин, образованные вытравливанием в слое из немагнитного металла разделительных гфомежутков 2, причем ширина последних в местах совмещени с управл ющими аппликаци ми 3-соизмерима с их критическими размерами. Реперные знаки 4 формируютс в слое немагнитног металла. С остальной площади магнитоО0НООСНОЙ пленки 5 слой из немагнитног металла не удал етс . Токопровод щие шины 1 расположены между пленкой 5 и аппликаци ми 3, от которых они отделены соответственносло ми 6 и 7 диэлектрика . Формирование разделительных проме утксж 2 можно осуществл ть также ано№ным окисидованием алюмини , так как при этом изменение уровн оказываетс весьма незначительным.. В прес1лагаемом способе электрсжопро тивление токопровод щих шин уменьшаетс в несколько раз за счет снижени доли балластной их части, что приводит {С уменьшению тепла, выдел ющегос в устройстве. Кроме того, увеличенна во много раз площадь балластной части шин эффективно выполн ет роль радиатору, отвод щего тепло от активных шин и равномерно распредел ющего его по всей площади устройства. Это приводит к снижению температуры узких участков токопровод щих шин и уменьшает веро тность их теплового разрушени , а также ослаб-Л ет локальный разогрев магнитоодноосной пленки. Указанные преимущества повышают надежность ЗУ на ЦМД и упрощают их изготовление. Формула изобретени Способ изготовлени запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, основанный на последовательном нанесении на магнитродноосную пленку сло из немагнитного металла, сло и ферромагнитного сло и формировании токопровод щих шин управл ю-, щих аппликаций, отличающийс тем, что, с целью упрощени изготовлени запоминающего устройства на цилинщзических магни тных доменах, формирование токопровод щих шин осуществл ют Вытравливанием разделительных промежутков в слое из немагнитного металла , формирующих замкнутый контур протекани электрического тока. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе , 4i ТЕЕЕ Troins. .,voe. AAG-f2,f97fe, ,p.654.
2.. J. Appe. ., V.4g(9). -078, (ПРОТОТИП). p. 1930 (прототип).

SvA M -:::V, . emim m,- . .fffu. К OStnEKmOM

К детектора

Фиг.1 3