SU773738A1 - Запоминающий элемент - Google Patents

Запоминающий элемент Download PDF

Info

Publication number
SU773738A1
SU773738A1 SU792753296A SU2753296A SU773738A1 SU 773738 A1 SU773738 A1 SU 773738A1 SU 792753296 A SU792753296 A SU 792753296A SU 2753296 A SU2753296 A SU 2753296A SU 773738 A1 SU773738 A1 SU 773738A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
bus
drain
source
trigger
transistor
Prior art date
Application number
SU792753296A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Викторович Кузнецов
Евгений Иванович Потемкин
Юрий Андреевич Уральский
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8466
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8466 filed Critical Предприятие П/Я В-8466
Priority to SU792753296A priority Critical patent/SU773738A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU773738A1 publication Critical patent/SU773738A1/ru

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к вычисли . тельной технике, в часности к запоминающим устройствам цифровых вычислительных машин..
Известен запоминающий элемент йа МДП-транзисторах, содержащий триггер, управл ющие МДП-транзистсры, разр дные и адресные шины i.
Известен также запоминающий элемент , содержащий триггер наМДП-тран- зисторах с нагрузочными МДП- ранзистором и диодом, включенными в развые плечи триггера |2.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому  вл етс  запоминающий элемент, содержащий триггер на МДП-транзисторах и управл ющий МДП-транзистор, сток (исток) которого соединен с одним из плеч триггера, исток (сток) соединен с разр дной щиной, а затвор - с адресной шиной З Недостатком известных запоминающих элементов  вл етс  значительное лотребление мощности.
Кроме того, статические запоминающие элементы на МДП-транзисторах требуют увеличенных геометрических размеров транзисторюв, что в случае интегрального исполнени  увеличив ает площадь, занимаемую таким запоминающим элементом на кристалле. Как правило , такие схемы потребл ют в момент переключени  сравнительно большую мощность и обладают малой надежностью из-за частого пробо  подзатворного диэлектрика в мощных управл ющ их транзисторах.
Целью изобретени   вл етс  уменьшение потребл емой мощности.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что в запоминающий элемент, содержащий триггер, выполненный на первом, втором, третьем и четвертом МДП-транзисторах , причем затворы третьего и четвертого МДП-транзист(Чэов, сток первого и сток второго МДП-транзисторов соединены со стоком (истоком) п того МДП-транзистора, исток (сток) которого подключен к разр дной шнне, а затвор к адресной шине, тактовую шину и шину питани , введены шестой МДП-транаисто1 и диод, катод которого соединен с тактовой шиной и затвором шестого МДП-транаистора , исток шестого МДП-транзистора подключен к шине питани , а сток - к истокам второго и четвертого МДП-транаистров , анод диода соединен с истоками первого и третьего МДП-транзисторов . На чертеже представлена электрическа  схема изобретени . Запоминаюший элемент содержит первый , второй, третий и четвертый МДП-транаисторы 1-4, образующие триггер 5, разр д ную шину 6, адресную шину 7, п тый МДП-тр нзистор 8, диод 9, тактовуюшину 1О ишестой МДП-транзистор 11. Устройство работает следуюшим образом . При записи логической 1 в исходном состо нии на шины 6 и 7 подаетс  .логическа  1, а на шину IO-О. За логический О принимаетс  нижний уровень напр жени  (В), а за логическую - верхний уровень (). В этом случае транзистор 8 закрыт, а транзистор 11 открыт и в триггере 5, состо щем из транзисторов 1-4, хранитс  информаци , полученна  от предыдущей записи , В следующий момент времени снимаетс  питание триггера 5, т.е. на шину 1О подаетс  1 и транзистор 11 закры ваетс . Далее идет перепись I с шины 6 в триггер 5, дл  чего на адресную 7 подаетс  лигический О , а чере некоторый промежуток времени включаетс  питание триггера 5 путем подачи на шину 1О логического О, после чего триггер 5 (без динамического потреблени ) готов к хранению записанной в нег информации. При подаче на адресную шину 7 1 транзистор 8 закрываетс  и происходит хранение логической 1. Дл  считывани  логической 1 на адресную шину 7 подаетс  О, транзист 8 открываетс  и логическа  1 через шину 6 поступает на транзисторы 3 и 4. При записи и считывании логического 6 чевидно, что все действи  идентичны, а исключением того, что предварительно на шине 6 присутствует логический О и в процессе запуска триггер 5 усанавливаетс  в противоположное положение . Таким образом, предлагаемый запоминающуй элемент обладает меньшей потребл емой мощностью за счет того, что триггер 5 предварительно подготавл1}ваетс  к работе до момента подачи сигналов на шину 1О тактовых импульсов.Формула изобретени  Запоминаюший элемент, содержащий триггер, выполненный на первом, втором , третьем и четвертом МДП-транзисторах , причем затворы третьего и четвертого МДП-транзисторов, сток первого и сток второго МДП- ранзисторов соединены со стоком (истоком) п того МДП-транаистора, исток (сток) которого подключен к разр дной шине, а затвор - к адресной шине, тактовую шину и шину питани , отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  потребл емой мощности, в него введены шестой МДП-трШ13ИСтор и диод, катод которого соединен с тактовой шиной и затвором шестого МДП-трананстора, исток шестх го МДП-транзистора подключен к шине питани , а сток - к истокам второго и четвертого МДП-транаисторов, анод диода coeди eн с истоками первого и третьего МДП-транзисторов. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Старое Ф. Г. и др. Полупроводниковые запоминающие устройства, Энерги , Л., 1973, с. 48-53. 2.Авторское свидетельство СССР № 431554, кл. G 11 С 11/40, опублик . 1974. 3.Сборник Микроэлектроника. Под ред. Лукина Ф. В., Советское радио , М., вып. 5, 1975, с. 135, рис. 5а (гфототип).
31

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    Запоминающий элемент, содержащий триггер, выполненный на первом, втором, третьем и четвертом МДП-транзисторах, причем затворы третьего и четвертого МДП-транзисторов, сток первого и сток второго МДП-транзисторов соединены со стоком (истоком) пятого МДП-транзистора, исток (сток) которого подключен к разрядной шине, а затвор - к адресной шине, тактовую шину и шину питания, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, в него введены шестой МДП-транзистор и диод, катод которого соединен с тактовой шиной и затвором шестого МДП-транзистора, исток шестого МДП-транзистора подключен к шине питания, а сток - к истокам второго и четвертого МДП-транзисторов, анод диода соединен с истоками первого и третьего МДП-транзисторов.
SU792753296A 1979-04-17 1979-04-17 Запоминающий элемент SU773738A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792753296A SU773738A1 (ru) 1979-04-17 1979-04-17 Запоминающий элемент

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792753296A SU773738A1 (ru) 1979-04-17 1979-04-17 Запоминающий элемент

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU773738A1 true SU773738A1 (ru) 1980-10-23

Family

ID=20822319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792753296A SU773738A1 (ru) 1979-04-17 1979-04-17 Запоминающий элемент

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU773738A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4271487A (en) Static volatile/non-volatile ram cell
US5202855A (en) DRAM with a controlled boosted voltage level shifting driver
US4733371A (en) Semiconductor memory device with high voltage switch
US3676717A (en) Nonvolatile flip-flop memory cell
KR900010794A (ko) 불휘발성 반도체 메모리
US5414669A (en) Method and apparatus for programming and erasing flash EEPROM memory arrays utilizing a charge pump circuit
KR940011426B1 (ko) 반도체 기억 장치
US6064590A (en) Non-volatile static random access memory device
KR100287545B1 (ko) 불 휘발성 반도체 메모리 장치
JPH0143400B2 (ru)
KR850004855A (ko) 반도체 메모리 장치
US4667312A (en) Charge pump method and apparatus
JPH08102197A (ja) 半導体記憶装置
US5105384A (en) Low current semiconductor memory device
US6233169B1 (en) Signal storing circuit semiconductor device, gate array and IC-card
KR880009379A (ko) 불휘발성 반도체메모리
JPH0212695A (ja) メモリセル及びその読み出し方法
KR850006120A (ko) 집적 메모리 회로
KR940022843A (ko) 고속동작 및 저전원공급전원에 적합한 쎌구조를 가지는 불휘발성 반도체 집적회로
KR960002008B1 (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
SU773738A1 (ru) Запоминающий элемент
KR910014948A (ko) 반도체 기억 장치 및 데이타 처리장치
EP0288075A2 (en) Sub-booster circuit for stepping up an output voltage of main booster circuit
US4011549A (en) Select line hold down circuit for MOS memory decoder
JP2723946B2 (ja) Eepromのワードラインを荷電する回路