SU773738A1 - Запоминающий элемент - Google Patents
Запоминающий элемент Download PDFInfo
- Publication number
- SU773738A1 SU773738A1 SU792753296A SU2753296A SU773738A1 SU 773738 A1 SU773738 A1 SU 773738A1 SU 792753296 A SU792753296 A SU 792753296A SU 2753296 A SU2753296 A SU 2753296A SU 773738 A1 SU773738 A1 SU 773738A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- bus
- drain
- source
- trigger
- transistor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к вычисли . тельной технике, в часности к запоминающим устройствам цифровых вычислительных машин..
Известен запоминающий элемент йа МДП-транзисторах, содержащий триггер, управл ющие МДП-транзистсры, разр дные и адресные шины i.
Известен также запоминающий элемент , содержащий триггер наМДП-тран- зисторах с нагрузочными МДП- ранзистором и диодом, включенными в развые плечи триггера |2.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому вл етс запоминающий элемент, содержащий триггер на МДП-транзисторах и управл ющий МДП-транзистор, сток (исток) которого соединен с одним из плеч триггера, исток (сток) соединен с разр дной щиной, а затвор - с адресной шиной З Недостатком известных запоминающих элементов вл етс значительное лотребление мощности.
Кроме того, статические запоминающие элементы на МДП-транзисторах требуют увеличенных геометрических размеров транзисторюв, что в случае интегрального исполнени увеличив ает площадь, занимаемую таким запоминающим элементом на кристалле. Как правило , такие схемы потребл ют в момент переключени сравнительно большую мощность и обладают малой надежностью из-за частого пробо подзатворного диэлектрика в мощных управл ющ их транзисторах.
Целью изобретени вл етс уменьшение потребл емой мощности.
Поставленна цель достигаетс тем, что в запоминающий элемент, содержащий триггер, выполненный на первом, втором, третьем и четвертом МДП-транзисторах , причем затворы третьего и четвертого МДП-транзист(Чэов, сток первого и сток второго МДП-транзисторов соединены со стоком (истоком) п того МДП-транзистора, исток (сток) которого подключен к разр дной шнне, а затвор к адресной шине, тактовую шину и шину питани , введены шестой МДП-транаисто1 и диод, катод которого соединен с тактовой шиной и затвором шестого МДП-транаистора , исток шестого МДП-транзистора подключен к шине питани , а сток - к истокам второго и четвертого МДП-транаистров , анод диода соединен с истоками первого и третьего МДП-транзисторов . На чертеже представлена электрическа схема изобретени . Запоминаюший элемент содержит первый , второй, третий и четвертый МДП-транаисторы 1-4, образующие триггер 5, разр д ную шину 6, адресную шину 7, п тый МДП-тр нзистор 8, диод 9, тактовуюшину 1О ишестой МДП-транзистор 11. Устройство работает следуюшим образом . При записи логической 1 в исходном состо нии на шины 6 и 7 подаетс .логическа 1, а на шину IO-О. За логический О принимаетс нижний уровень напр жени (В), а за логическую - верхний уровень (). В этом случае транзистор 8 закрыт, а транзистор 11 открыт и в триггере 5, состо щем из транзисторов 1-4, хранитс информаци , полученна от предыдущей записи , В следующий момент времени снимаетс питание триггера 5, т.е. на шину 1О подаетс 1 и транзистор 11 закры ваетс . Далее идет перепись I с шины 6 в триггер 5, дл чего на адресную 7 подаетс лигический О , а чере некоторый промежуток времени включаетс питание триггера 5 путем подачи на шину 1О логического О, после чего триггер 5 (без динамического потреблени ) готов к хранению записанной в нег информации. При подаче на адресную шину 7 1 транзистор 8 закрываетс и происходит хранение логической 1. Дл считывани логической 1 на адресную шину 7 подаетс О, транзист 8 открываетс и логическа 1 через шину 6 поступает на транзисторы 3 и 4. При записи и считывании логического 6 чевидно, что все действи идентичны, а исключением того, что предварительно на шине 6 присутствует логический О и в процессе запуска триггер 5 усанавливаетс в противоположное положение . Таким образом, предлагаемый запоминающуй элемент обладает меньшей потребл емой мощностью за счет того, что триггер 5 предварительно подготавл1}ваетс к работе до момента подачи сигналов на шину 1О тактовых импульсов.Формула изобретени Запоминаюший элемент, содержащий триггер, выполненный на первом, втором , третьем и четвертом МДП-транзисторах , причем затворы третьего и четвертого МДП-транзисторов, сток первого и сток второго МДП- ранзисторов соединены со стоком (истоком) п того МДП-транаистора, исток (сток) которого подключен к разр дной шине, а затвор - к адресной шине, тактовую шину и шину питани , отличающийс тем, что, с целью уменьшени потребл емой мощности, в него введены шестой МДП-трШ13ИСтор и диод, катод которого соединен с тактовой шиной и затвором шестого МДП-трананстора, исток шестх го МДП-транзистора подключен к шине питани , а сток - к истокам второго и четвертого МДП-транаисторов, анод диода coeди eн с истоками первого и третьего МДП-транзисторов. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Старое Ф. Г. и др. Полупроводниковые запоминающие устройства, Энерги , Л., 1973, с. 48-53. 2.Авторское свидетельство СССР № 431554, кл. G 11 С 11/40, опублик . 1974. 3.Сборник Микроэлектроника. Под ред. Лукина Ф. В., Советское радио , М., вып. 5, 1975, с. 135, рис. 5а (гфототип).
31
Claims (1)
- Формула изобретенияЗапоминающий элемент, содержащий триггер, выполненный на первом, втором, третьем и четвертом МДП-транзисторах, причем затворы третьего и четвертого МДП-транзисторов, сток первого и сток второго МДП-транзисторов соединены со стоком (истоком) пятого МДП-транзистора, исток (сток) которого подключен к разрядной шине, а затвор - к адресной шине, тактовую шину и шину питания, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, в него введены шестой МДП-транзистор и диод, катод которого соединен с тактовой шиной и затвором шестого МДП-транзистора, исток шестого МДП-транзистора подключен к шине питания, а сток - к истокам второго и четвертого МДП-транзисторов, анод диода соединен с истоками первого и третьего МДП-транзисторов.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792753296A SU773738A1 (ru) | 1979-04-17 | 1979-04-17 | Запоминающий элемент |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792753296A SU773738A1 (ru) | 1979-04-17 | 1979-04-17 | Запоминающий элемент |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU773738A1 true SU773738A1 (ru) | 1980-10-23 |
Family
ID=20822319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792753296A SU773738A1 (ru) | 1979-04-17 | 1979-04-17 | Запоминающий элемент |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU773738A1 (ru) |
-
1979
- 1979-04-17 SU SU792753296A patent/SU773738A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4271487A (en) | Static volatile/non-volatile ram cell | |
US5202855A (en) | DRAM with a controlled boosted voltage level shifting driver | |
US4733371A (en) | Semiconductor memory device with high voltage switch | |
US3676717A (en) | Nonvolatile flip-flop memory cell | |
KR900010794A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 | |
US5414669A (en) | Method and apparatus for programming and erasing flash EEPROM memory arrays utilizing a charge pump circuit | |
KR940011426B1 (ko) | 반도체 기억 장치 | |
US6064590A (en) | Non-volatile static random access memory device | |
KR100287545B1 (ko) | 불 휘발성 반도체 메모리 장치 | |
JPH0143400B2 (ru) | ||
KR850004855A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
US4667312A (en) | Charge pump method and apparatus | |
JPH08102197A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US5105384A (en) | Low current semiconductor memory device | |
US6233169B1 (en) | Signal storing circuit semiconductor device, gate array and IC-card | |
KR880009379A (ko) | 불휘발성 반도체메모리 | |
JPH0212695A (ja) | メモリセル及びその読み出し方法 | |
KR850006120A (ko) | 집적 메모리 회로 | |
KR940022843A (ko) | 고속동작 및 저전원공급전원에 적합한 쎌구조를 가지는 불휘발성 반도체 집적회로 | |
KR960002008B1 (ko) | 불휘발성 반도체 기억장치 | |
SU773738A1 (ru) | Запоминающий элемент | |
KR910014948A (ko) | 반도체 기억 장치 및 데이타 처리장치 | |
EP0288075A2 (en) | Sub-booster circuit for stepping up an output voltage of main booster circuit | |
US4011549A (en) | Select line hold down circuit for MOS memory decoder | |
JP2723946B2 (ja) | Eepromのワードラインを荷電する回路 |