SU715362A1 - Фотошаблон - Google Patents

Фотошаблон Download PDF

Info

Publication number
SU715362A1
SU715362A1 SU742092087A SU2092087A SU715362A1 SU 715362 A1 SU715362 A1 SU 715362A1 SU 742092087 A SU742092087 A SU 742092087A SU 2092087 A SU2092087 A SU 2092087A SU 715362 A1 SU715362 A1 SU 715362A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
substrate
silicon nitride
glass
masking layer
Prior art date
Application number
SU742092087A
Other languages
English (en)
Inventor
Григорий Порфирьевич Сергиенко
Анатолий Павлович Кауфман
Владимир Иванович Кимарский
Original Assignee
Предприятие П/Я А-3106
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-3106 filed Critical Предприятие П/Я А-3106
Priority to SU742092087A priority Critical patent/SU715362A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU715362A1 publication Critical patent/SU715362A1/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

(54) ФОТОШАБЛОН
I
Изобретение относитс  к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры, в часттости , к изготовлению фотошаблонов, примен емых в фотолитографических процессах при производстве интегральных схем.
Известен фотошаблон, состо щий из прозрачной стекл нной подложки, с нанесенным на нее- маскирующим металлическим слоем, в котором выполнено изображение требуемого рисунка, и защитным слоем, расположенным на маскирующем слое 1.
Недостатком известного фотошаблона  вл ютс  скрытые трудно контролируемые дефекты в поверхностном слое стекл нной подложки (выколки стекла, царапины, выступы). Эти дефекты по вл ютс  во врем  механической и химической обработки подложки и  вл ютс  причиной образовани  проколов в металлизированном слое (на месте бугорков и выступов в подложке), плохой адгезии металлизированного сло  к стеклу и включен ш невьггравленной металлической пленки в светлом поле азотошаблоиа (на месте царапин и выколок в подложке).
Целью изобретени   вл етс  повышение качества фотошаблона путем исключени  вли ни  дефектов на маскирующий слой.
Это достигаетс  тем, что защитный слой размещен между подложкой и маскирующим счоем.
Обеспечение поверхностного сло  стекл нной подложки защитным слоем нитрида кремни  предупреждает трансформацию дефектов подложки в маскирующий слой.
На чертеже показан предлагаемый фотошаблон .
Фотошаблон состоит из прозрачной стекл нной подложки 1, поверхность которой заийщена слоем 2 нитрида кремни . Изображение требуемой функциональной схемы выполнено в маскирующем слое 3, например, их хрома, нанесенном на защитный слой 2.
Защитный слой 2 наноситс  на поверхность стекл нной подложки I после подготовки последней известными методами механической и химической обработки.
В процессе химической и механической обработки стекл нной подложки 1 в ее поверх нсГстйомслое образуютс  дефекты (выколки; бугорки, царапины),  вл ющиес  практически единственной причиной выхода из стро  -фото шаблонов во врем  эксплуатации. Нанесение нитрида кремни  на подложку 1 производитс  в камере реактивного распылени , например, с помощью установки УРМЗ 279.013.S Услови  режима нанесени  нитрида кремни  давление азота в вакуумной камере мм рт.ст; анодный ток Ja-K 80 ма; напр жение распылени  мишени Upacn 1,25 KB; скорость роет; пленки нитрида кремни  и 12 А/мин, t,. температура подложки в процессе осаждени  пленки 280°С; , толщина наносимой пленки нитрида кремни  d «vlOOO А. В процессе нанесени  нитрида кремни  на стекло обеспечиваетс  высока  адгези  этих слоев, благодар , тому, что коэффшоюнты линейного расширени  стекла и нитрида кремни  Имеют Противоположные знаки. Маскирующий слой 3, в данном случае из хрома, нанос т на слой 2 известньпли метода V4

Claims (1)

  1. Х ми вакуумного распылени  и создают в нем требуемое изображение, пользу сь известными методами фотолитографии. Благодар  размещению сло  нитрида кремни  между подложкой и маскирующим слоем обеспечиваетс  стабилизаци  поверхностного сло  стекла неразрущаемым в дальнейшем технологическом процессе слоем нитрвда крем ни . Это предупрейсдает трансформацию дёфектов поверхйостй стекла в маскирующий слой, благодар  чему повышаетс  качество фотошаблона по сравнению с известным. Формула изобре тени  Фотошаблон, содержаш;ий стекл нную подложку с маскирующим слоем и защитным слоем из нитрида кремни , отличающийс  тем, чЛ, с целью повьпиени  его качества путем исключени  вли ни  дефектов на маскирующий слой, размещен между подложкой и маскирующим слоем. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство fCCP № 329501, кл. Н 05 К 3/00, 1970 (прототип).
SU742092087A 1974-12-30 1974-12-30 Фотошаблон SU715362A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU742092087A SU715362A1 (ru) 1974-12-30 1974-12-30 Фотошаблон

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU742092087A SU715362A1 (ru) 1974-12-30 1974-12-30 Фотошаблон

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU715362A1 true SU715362A1 (ru) 1980-02-15

Family

ID=20606055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU742092087A SU715362A1 (ru) 1974-12-30 1974-12-30 Фотошаблон

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU715362A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0306091A2 (de) * 1987-09-03 1989-03-08 Philips Patentverwaltung GmbH Verfahren zur Herstellung einer Maske für Strahlungslithographie

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0306091A2 (de) * 1987-09-03 1989-03-08 Philips Patentverwaltung GmbH Verfahren zur Herstellung einer Maske für Strahlungslithographie

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1482898A (en) Patterned films on substrates
JPS6345092B2 (ru)
ATE173302T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung dünner schichten von metallischen verbindungen
US4374912A (en) Photomask and photomask blank
US3695908A (en) Thin films of alpha fe2o3 and method of forming
JPS63208049A (ja) 半導体製造用マスクの製造方法およびその装置
SU715362A1 (ru) Фотошаблон
JPS52119172A (en) Forming method of fine pattern
JPS5797626A (en) Manufacture of semiconductor device
US3520687A (en) Etching of silicon dioxide by photosensitive solutions
JPS5461478A (en) Chromium plate
JPS6227386B2 (ru)
JPS5990853A (ja) フオトマスクブランク
US3650921A (en) Technique for the preparation of iron oxide films by cathodic sputtering
JPS57109952A (en) Production of photomask plate
JPS5794750A (en) Formation of micropattern
JPS6236669A (ja) 転写マスクおよびその製造方法
JPS55107781A (en) Etching method for metal film
JPS5649525A (en) Formation of thin film pattern
JPS6237386B2 (ru)
JPH02138468A (ja) パターン形成法
JPS60231331A (ja) リフトオフ・パタ−ンの形成方法
JPS56157026A (en) Formation of pattern
GB2090016A (en) A Photomask
JPS61255025A (ja) 欠陥検査用ウエハマスク材