SU715362A1 - Фотошаблон - Google Patents
Фотошаблон Download PDFInfo
- Publication number
- SU715362A1 SU715362A1 SU742092087A SU2092087A SU715362A1 SU 715362 A1 SU715362 A1 SU 715362A1 SU 742092087 A SU742092087 A SU 742092087A SU 2092087 A SU2092087 A SU 2092087A SU 715362 A1 SU715362 A1 SU 715362A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- silicon nitride
- glass
- masking layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
(54) ФОТОШАБЛОН
I
Изобретение относитс к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры, в часттости , к изготовлению фотошаблонов, примен емых в фотолитографических процессах при производстве интегральных схем.
Известен фотошаблон, состо щий из прозрачной стекл нной подложки, с нанесенным на нее- маскирующим металлическим слоем, в котором выполнено изображение требуемого рисунка, и защитным слоем, расположенным на маскирующем слое 1.
Недостатком известного фотошаблона вл ютс скрытые трудно контролируемые дефекты в поверхностном слое стекл нной подложки (выколки стекла, царапины, выступы). Эти дефекты по вл ютс во врем механической и химической обработки подложки и вл ютс причиной образовани проколов в металлизированном слое (на месте бугорков и выступов в подложке), плохой адгезии металлизированного сло к стеклу и включен ш невьггравленной металлической пленки в светлом поле азотошаблоиа (на месте царапин и выколок в подложке).
Целью изобретени вл етс повышение качества фотошаблона путем исключени вли ни дефектов на маскирующий слой.
Это достигаетс тем, что защитный слой размещен между подложкой и маскирующим счоем.
Обеспечение поверхностного сло стекл нной подложки защитным слоем нитрида кремни предупреждает трансформацию дефектов подложки в маскирующий слой.
На чертеже показан предлагаемый фотошаблон .
Фотошаблон состоит из прозрачной стекл нной подложки 1, поверхность которой заийщена слоем 2 нитрида кремни . Изображение требуемой функциональной схемы выполнено в маскирующем слое 3, например, их хрома, нанесенном на защитный слой 2.
Защитный слой 2 наноситс на поверхность стекл нной подложки I после подготовки последней известными методами механической и химической обработки.
В процессе химической и механической обработки стекл нной подложки 1 в ее поверх нсГстйомслое образуютс дефекты (выколки; бугорки, царапины), вл ющиес практически единственной причиной выхода из стро -фото шаблонов во врем эксплуатации. Нанесение нитрида кремни на подложку 1 производитс в камере реактивного распылени , например, с помощью установки УРМЗ 279.013.S Услови режима нанесени нитрида кремни давление азота в вакуумной камере мм рт.ст; анодный ток Ja-K 80 ма; напр жение распылени мишени Upacn 1,25 KB; скорость роет; пленки нитрида кремни и 12 А/мин, t,. температура подложки в процессе осаждени пленки 280°С; , толщина наносимой пленки нитрида кремни d «vlOOO А. В процессе нанесени нитрида кремни на стекло обеспечиваетс высока адгези этих слоев, благодар , тому, что коэффшоюнты линейного расширени стекла и нитрида кремни Имеют Противоположные знаки. Маскирующий слой 3, в данном случае из хрома, нанос т на слой 2 известньпли метода V4
Claims (1)
- Х ми вакуумного распылени и создают в нем требуемое изображение, пользу сь известными методами фотолитографии. Благодар размещению сло нитрида кремни между подложкой и маскирующим слоем обеспечиваетс стабилизаци поверхностного сло стекла неразрущаемым в дальнейшем технологическом процессе слоем нитрвда крем ни . Это предупрейсдает трансформацию дёфектов поверхйостй стекла в маскирующий слой, благодар чему повышаетс качество фотошаблона по сравнению с известным. Формула изобре тени Фотошаблон, содержаш;ий стекл нную подложку с маскирующим слоем и защитным слоем из нитрида кремни , отличающийс тем, чЛ, с целью повьпиени его качества путем исключени вли ни дефектов на маскирующий слой, размещен между подложкой и маскирующим слоем. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство fCCP № 329501, кл. Н 05 К 3/00, 1970 (прототип).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU742092087A SU715362A1 (ru) | 1974-12-30 | 1974-12-30 | Фотошаблон |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU742092087A SU715362A1 (ru) | 1974-12-30 | 1974-12-30 | Фотошаблон |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU715362A1 true SU715362A1 (ru) | 1980-02-15 |
Family
ID=20606055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU742092087A SU715362A1 (ru) | 1974-12-30 | 1974-12-30 | Фотошаблон |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU715362A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0306091A2 (de) * | 1987-09-03 | 1989-03-08 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren zur Herstellung einer Maske für Strahlungslithographie |
-
1974
- 1974-12-30 SU SU742092087A patent/SU715362A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0306091A2 (de) * | 1987-09-03 | 1989-03-08 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren zur Herstellung einer Maske für Strahlungslithographie |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB1482898A (en) | Patterned films on substrates | |
JPS6345092B2 (ru) | ||
ATE173302T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung dünner schichten von metallischen verbindungen | |
US4374912A (en) | Photomask and photomask blank | |
US3695908A (en) | Thin films of alpha fe2o3 and method of forming | |
JPS63208049A (ja) | 半導体製造用マスクの製造方法およびその装置 | |
SU715362A1 (ru) | Фотошаблон | |
JPS52119172A (en) | Forming method of fine pattern | |
JPS5797626A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
US3520687A (en) | Etching of silicon dioxide by photosensitive solutions | |
JPS5461478A (en) | Chromium plate | |
JPS6227386B2 (ru) | ||
JPS5990853A (ja) | フオトマスクブランク | |
US3650921A (en) | Technique for the preparation of iron oxide films by cathodic sputtering | |
JPS57109952A (en) | Production of photomask plate | |
JPS5794750A (en) | Formation of micropattern | |
JPS6236669A (ja) | 転写マスクおよびその製造方法 | |
JPS55107781A (en) | Etching method for metal film | |
JPS5649525A (en) | Formation of thin film pattern | |
JPS6237386B2 (ru) | ||
JPH02138468A (ja) | パターン形成法 | |
JPS60231331A (ja) | リフトオフ・パタ−ンの形成方法 | |
JPS56157026A (en) | Formation of pattern | |
GB2090016A (en) | A Photomask | |
JPS61255025A (ja) | 欠陥検査用ウエハマスク材 |