SU593646A3 - Способ изготовлени труб из кремни или карбида кремни и устройство дл его осуществлени - Google Patents

Способ изготовлени труб из кремни или карбида кремни и устройство дл его осуществлени

Info

Publication number
SU593646A3
SU593646A3 SU731873560D SU1873560D SU593646A3 SU 593646 A3 SU593646 A3 SU 593646A3 SU 731873560 D SU731873560 D SU 731873560D SU 1873560 D SU1873560 D SU 1873560D SU 593646 A3 SU593646 A3 SU 593646A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
silicon
carrier
silicon carbide
graphite
deposition
Prior art date
Application number
SU731873560D
Other languages
English (en)
Inventor
Дитце Вольфганг
Ройшель Конрад
Original Assignee
Сименс Аг (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Аг (Фирма) filed Critical Сименс Аг (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU593646A3 publication Critical patent/SU593646A3/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

ет токовые контакты, снабженные патруГжами дл  ввода и вывода тазов, содержащих кремний или карбид кремни . Кожух может быть снабжен средствами ввода.и вывода инертного газа, чтобы защитить графитовый носитель от обжига во врем  нагревани .
На чертелсе изображено предлагаемое устройство . Оно содержит трубчатое полое тело из графита с токовыми контактами по бокам 2 и 3, которое используетс  в качестве носител  дл  внутреннего осаждени  полупроводникового материала. Дл  этой цели графитова  трубка 1 снабжена затворами дл  впуска4 и выпуска о газа дл  реакции. Дл  защиты тлеющего графитового тела 1 во врем  осаждени  материала его боковую поверхность 6 защищает кожух - окружающа  его кварцева  трубка 7, с доступом инертного газа 8., По ходу осуществлени  способа газообразный силикохлороформ, смешанный с водородом, через впускной затвор 4 ввод т внутрь трубки, который разлагаетс  там на внутренней стенке , нагретой до 1100°С, образу  чистый слой кремни  9. После получени  достаточного сЛо  кремни  9 (по крайней мере тол.шиной в мм) все устройство, охлаждаетс  и графитова  трубка 1 отдел етс  от кремниевой трубки 9.
Дли удалени  носител  из графита примен етс  сильноокисл ющий концентрированный раствор кислоты, .например 50-60°/о-ный раствор азотной кислоты, нагретый до 50-100°С. Чем выше концентраци  раствора кислоты, тем ниже может быть температура раствора. Это относитс  также и к сОответствуюи1им растворам серной кислоты..
Дл  осаждени  тел из .карбида кремни  используют монометилтрихлорсилан.
Изготовленные таким образом кремниева  рубка, или трубка из карбида кремни  или какого-либо другого полупроводникового маериала в основном газонепроницаемые и используютс  дл  диффузионных процессов в бщей полупроводниковой технике.
Если такую трубку нужно нагреть непосредственно , то рекомендуетс  покрыть ее боковую поверхность полупроводниковым материалом с больщим содержанием примеси. Дл  этого сначала внутри трубки графитового носител  осаждаетс  слой кремни  с большим содержанием примеси, а затем на него наноситс  слой высокочистого кремни  так, что после удалени  графитового носител  бокова  поверхность полученной кремниевой трубки содержит слой с больщим содержанием примеси.

Claims (3)

1.Способ изготовлени  труб из кремни 
S или карбида кремни , используемых в полупроводниковой технике дл  диффузионных процессов , путем осаждени  кремни  или карбида кремни  из газовой фазы, содержащей кремний или карбид кремни , на поверхность на} гретого полого носител  из .графита с последующим его удалением, ог.дычшои мйс  тем. что, с целью упрощени  процесса и более равномерного; осаждени , его ведут на внутреннюю поверхность носител , нагреваемого до температуры осаждени  непосредственно от источника напр жени , а удаление носител  ведут растворением в кислоте.
2.Устройство дл  осуществлени  способа по п. 1, включающее полый трубчатый носитель из графита,: размещенный в кожухе, огличающеес  тем, что по обоим концам носитель имеет токовые контакты, снабженные патрубками дл  ввода и вывода газов, содержащих кремний или карбид кремни .
3.Устройство по п. 2, отличающеес  тем, что кожух снабжен средствами ввода и вывода инертного газа.
Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе:
1. Патент ФРГ № 1805970, кл. 12 s 17/32 23.09.1971.
SU731873560D 1972-10-31 1973-10-30 Способ изготовлени труб из кремни или карбида кремни и устройство дл его осуществлени SU593646A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19722253410 DE2253410C3 (de) 1972-10-31 1972-10-31 Verfahren zur Herstellung von Rohren für Diffusionsprozesse in der Halbleitertechnik

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU593646A3 true SU593646A3 (ru) 1978-02-15

Family

ID=5860539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU731873560D SU593646A3 (ru) 1972-10-31 1973-10-30 Способ изготовлени труб из кремни или карбида кремни и устройство дл его осуществлени

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JPS5135830B2 (ru)
BE (1) BE796998A (ru)
DE (1) DE2253410C3 (ru)
FR (1) FR2204457A1 (ru)
GB (1) GB1396683A (ru)
IT (1) IT998997B (ru)
NL (1) NL7314959A (ru)
SU (1) SU593646A3 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2534388C2 (ru) * 2013-01-09 2014-11-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ очистки карбид-кремниевой трубы

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3951587A (en) * 1974-12-06 1976-04-20 Norton Company Silicon carbide diffusion furnace components
FR2516708A1 (fr) * 1981-11-13 1983-05-20 Comp Generale Electricite Procede de fabrication de silicium polycristallin pour photopiles solaires
FR2529189B1 (fr) * 1982-06-25 1985-08-09 Comp Generale Electricite Procede de fabrication d'une bande de silicium polycristallin pour photophiles
US4804633A (en) * 1988-02-18 1989-02-14 Northern Telecom Limited Silicon-on-insulator substrates annealed in polysilicon tube

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2534388C2 (ru) * 2013-01-09 2014-11-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ очистки карбид-кремниевой трубы

Also Published As

Publication number Publication date
IT998997B (it) 1976-02-20
DE2253410B2 (de) 1978-08-31
NL7314959A (ru) 1974-05-02
GB1396683A (en) 1975-06-04
JPS4979172A (ru) 1974-07-31
BE796998A (fr) 1973-07-16
DE2253410C3 (de) 1979-05-03
JPS5135830B2 (ru) 1976-10-05
DE2253410A1 (de) 1974-05-02
FR2204457A1 (ru) 1974-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4181751A (en) Process for the preparation of low temperature silicon nitride films by photochemical vapor deposition
KR880004128A (ko) Cvd장치
KR830006819A (ko) 실리콘체의 연속 화학증기 침전생성물을 위한 복합 가스막
SU593646A3 (ru) Способ изготовлени труб из кремни или карбида кремни и устройство дл его осуществлени
US3222217A (en) Method for producing highly pure rodshaped semiconductor crystals and apparatus
JPS63283027A (ja) 半導体の洗浄方法
US3053637A (en) Production of pure phosphorus
US3170859A (en) Process for the preparation of silicon films
GB929074A (en) A process for the production of extremely pure semi-conductor material
US3095279A (en) Apparatus for producing pure silicon
US3069244A (en) Production of silicon
US3900039A (en) Method of producing shaped semiconductor bodies
US3527661A (en) Method of obtaining purest semiconductor material by elimination of carbon-impurities
JP2583306B2 (ja) 試薬の精製装置とその精製方法
JPH03215633A (ja) 高純度チタンの精製方法
US3310375A (en) Method of forming a sheet
Gruber Growth of high purity magnesium oxide single crystals by chemical vapor transport techniques
JPS6120128B2 (ru)
US3404959A (en) B20h16 and its preparation
US3039854A (en) Production of pure phosphorus
JPS6338541A (ja) インジウムの精製方法
JPS6054443A (ja) プラズマ気相成長装置
JPS63204729A (ja) 半導体基板の乾式洗浄方法
GB878763A (en) Improvements in and relating to a process and apparatus for the production of highly-pure silicon
Reyerson The adsorption of hydrogen by silica gel at elevated temperatures