SU588938A3 - Усилитель - Google Patents

Усилитель

Info

Publication number
SU588938A3
SU588938A3 SU742033651A SU2033651A SU588938A3 SU 588938 A3 SU588938 A3 SU 588938A3 SU 742033651 A SU742033651 A SU 742033651A SU 2033651 A SU2033651 A SU 2033651A SU 588938 A3 SU588938 A3 SU 588938A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
terminal
transistors
amplifier
field
effect transistors
Prior art date
Application number
SU742033651A
Other languages
English (en)
Inventor
Фредерик Гевейлер Вильям
Original Assignee
Рка Корпорейшн, (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Рка Корпорейшн, (Фирма) filed Critical Рка Корпорейшн, (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU588938A3 publication Critical patent/SU588938A3/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
    • H03F3/343Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/345Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0216Continuous control
    • H03F1/0233Continuous control by using a signal derived from the output signal, e.g. bootstrapping the voltage supply
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3001Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
    • H03F3/3022CMOS common source output SEPP amplifiers
    • H03F3/3028CMOS common source output SEPP amplifiers with symmetrical driving of the end stage
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0035Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
    • H03G1/007Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using FET type devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers without distortion of the input signal
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3005Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers
    • H03G3/301Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers the gain being continuously variable
    • H03G3/3015Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers the gain being continuously variable using diodes or transistors

Description

ры которых соединены между собой и н дключены к входной клемме 3 усилител . Между выводами 4, 5 каналов полевых транзисторов 1, 2 и клеммами 6, 7 источника питани  включены управл емые сопротивлени  8, 9 соответственно , управл ющие входы которых объединены и соединены с источником управл ющего напр жени  (клемма 10). Другие объединенные выводы каналов транзисторов 1, 2 подключены к выходной клемме 11. Управл емые сопротивлени  8, 9 (см. фиг. 2) выполнены на полевых транзисторах, имеющих такие же позиционные обозначени  8, 9. Полевые транзисторы 8, 9, на затворы которых подано управл ющее напр жение с клеммы 10, имеют тот же тип проводимости , что и полевые транзисторы 1, 2, с которыми они соединены своими каналами.
На фиг. 3 приведена типична  передаточна  функци  усилител , выполненного на последовательно соединенных полевых транзисторах 1, 2 с каналами р и п-типа проводимостей соответственно . Выходное напр жение, полученное на клемме 11 измен етс  в соответствии с напр жением , приложениь м к входной клемме 3, при этом выходной потенциа.л определ етс  отношением сопротивлений каналов транзисторов 1 и 2 и величиной потенциалов, приложенных к выводам 4, 5 этих транзисторов. К клеммам 6, 7 приложено рабочее напр жение источника питани , причем потенциал кле.ммы 6 относительно выше потенциала клеммы 7, при этом лотенциал Е, в точке 4 должен быть выше потенциала Ег в точке 5. Предположим, что входное напр жение (смещение) Е. находитс  посередине между рабочими потенциалами Е i и Ej. В этом случае получим выходное напр жение E.,соответствующее рабочей точке 12 на передаточной функции 10. Крутизна передаточной функции 10 в точке 12 максимальна, а следовательно , и максимальны коэффициент усилени  и динамический диапазон усилител . Любое смещение рабочей точки 12 по кривой приводит к уменьшению коэффициента усилени  и динамического диапазона.
Положение рабочей точки усилител  стабилизируетс  с помощью управл емых сопротивлений 8, 9, причем-они выбраны таким образам, что величина управл емого сопротивлени  8 измен етс  пр мо пропорционально, а величина управл емого сопротивлени  9 обратнопропоротонально управл ющему напр жению, приложенному к клемме 10. К клемме 6 приложен фиксированный потенциал положительного , значени , к клемме 7 - фиксированный потенциал отрицательного значени , к входной клемме 3 приложен потенциал смещени  на опорном уровне, таком как заземление. Если управл ющее , напр жение, приложенное к клемме 10, увеличиваетс , величина сопротивлени  9 уменьщаетс , а величина сопротивлени  8 увеличиваетс , в результате чего происходит смещение потенциалов, в точках 4, 5 схемы в направлении фиксированного потенциала на клемм. 7 и, наоборот, при уменьшении управл ющего напр жени , управл емые сопротивлени  8, 9 смещают рабочие напр жени  в точках 4, 5 в направлении фиксированного потенциала на клемме 6. Так как выходное напр жение усил ител  определ етс  отношением сопротив5 лений полевых транзисторов 1, 2 и рабочими потенциалами в точках 4, 5, и поскольку эти потенциалы завис т от управл ющего напр жени  на клемме 10, то выходное напр жение может быть изменено на требуемую величину изменением управл ющего напр жени  на клемме 10. При использовании в качестве управл емых сопротивлений полевых транзисторов 8, 9 (см. фиг. 2) управл ющее напр жение с клеммы 10 подаетс  на их затворы. С изменением величины управл ющего напр жени  измен ютс  сопротивлени  каналов транзисторов 8, 9, что смещает потенциалы в точках 4, 5 аналогично описанному.
В зависимости от различий в геометрии полевых транзисторов 1, 2 и различий в подвижности носителей тока их, а также от изменений
0 рабочих условий окружающей среды передаточна  функци  усилител  может быть смещена относительно идеального своего положени  (крива  13 на фиг. 3). При этом, если передаточна  функци  задана кривой 13, рабоча  точка 12 в результате будет образующей вы5 холного напр жени ; если передаточна  функци  задана кривой 14, то соответствующа  рабоча  точка будет в точке 15, образующей положительное выходное напр жение Е аналогично при передаточной функции, заданной
Q кривой 16, рабоча  точка 17 будет образующей отрицательного выходного напр жени  Е.у,.. Следовательно, напр жение, образованное на выходной клемме 11, определ етс  величиной и направлением смещени  передаточной функции относительно идеально расположенной передаточной функции. Это напр жение используетс  в качестве напр жени  отрицательной обратной св зи дл  смещени  рабочих потенциалов в точках 4,5 с целью стабилизации рабочей точки усилител .
40

Claims (2)

  1. Формула изобретени 
    Усилитель, выполненный на полевых транзисторах , содержащий два последовательно соединенных относительно источника питани  полевых транзистора с каналами противоположного типа проводимости, затворы которых соединены между собой и подключены к входной клемме, отличающийс  тем, что, с целью повышени  стабильности рабочей точки, между соответствующими клеммами источника питани  и каналами транзисторов введены управл емые сопротивлени , управл ющие входы которых объединены с источником управл ющего напр жени .
  2. 2. Усилитель по- п. 1, отличающийс  тем,
    что управл емые сопротивлени  выполнены на транзисторах того же типа проводимости, что и транзисторы, с которыми они соединены.
    10
    10
    IS
    Saxy
    tuz.S
SU742033651A 1973-06-01 1974-05-31 Усилитель SU588938A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US365834A US3914702A (en) 1973-06-01 1973-06-01 Complementary field-effect transistor amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU588938A3 true SU588938A3 (ru) 1978-01-15

Family

ID=23440557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU742033651A SU588938A3 (ru) 1973-06-01 1974-05-31 Усилитель

Country Status (20)

Country Link
US (1) US3914702A (ru)
JP (1) JPS5417545B2 (ru)
AR (1) AR200785A1 (ru)
AT (1) AT351593B (ru)
AU (1) AU474135B2 (ru)
BE (1) BE815832A (ru)
BR (1) BR7404485A (ru)
CA (1) CA999346A (ru)
CH (1) CH578804A5 (ru)
DD (1) DD112044A5 (ru)
DE (1) DE2425973C3 (ru)
DK (1) DK296374A (ru)
ES (1) ES426652A1 (ru)
FI (1) FI159774A (ru)
FR (1) FR2232139B1 (ru)
GB (1) GB1460605A (ru)
IT (1) IT1012980B (ru)
NL (1) NL7407052A (ru)
SE (1) SE7407180L (ru)
SU (1) SU588938A3 (ru)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS562962B2 (ru) * 1974-08-23 1981-01-22
US4062042A (en) * 1976-10-07 1977-12-06 Electrohome Limited D.C. controlled attenuator
US4110641A (en) * 1977-06-27 1978-08-29 Honeywell Inc. CMOS voltage comparator with internal hysteresis
JPS5516539A (en) * 1978-07-20 1980-02-05 Nec Corp Level shifter circuit
US4274014A (en) * 1978-12-01 1981-06-16 Rca Corporation Switched current source for current limiting complementary symmetry inverter
US4262221A (en) * 1979-03-09 1981-04-14 Rca Corporation Voltage comparator
US4253033A (en) * 1979-04-27 1981-02-24 National Semiconductor Corporation Wide bandwidth CMOS class A amplifier
US4297644A (en) * 1979-11-23 1981-10-27 Rca Corporation Amplifier with cross-over current control
US4333057A (en) * 1980-03-24 1982-06-01 Rca Corporation Differential-input complementary field-effect transistor amplifier
US4464587A (en) * 1980-10-14 1984-08-07 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Complementary IGFET Schmitt trigger logic circuit having a variable bias voltage logic gate section
US4446444A (en) * 1981-02-05 1984-05-01 Harris Corporation CMOS Amplifier
JPS5949020A (ja) * 1982-09-13 1984-03-21 Toshiba Corp 論理回路
FR2539932A1 (fr) * 1983-01-21 1984-07-27 Thomson Csf Dispositif de compensation des derives du gain en temperature, d'un amplificateur de signaux electriques hyperfrequences
SE441487B (sv) * 1984-02-27 1985-10-07 Bengt Gustaf Olsson Skyddsanordning
EP0171022A3 (en) * 1984-07-31 1988-02-03 Yamaha Corporation Signal delay device
US4594560A (en) * 1985-04-17 1986-06-10 Rca Corporation Precision setting of the bias point of an amplifying means
JPS62159917A (ja) * 1986-01-08 1987-07-15 Toshiba Corp 集積回路におけるインバ−タ回路
FR2611283B1 (fr) * 1987-02-19 1989-06-09 Em Microelectronic Marin Sa Dispositif comportant un circuit electronique de traitement d'un signal analogique
US4825106A (en) * 1987-04-08 1989-04-25 Ncr Corporation MOS no-leak circuit
DE3814041A1 (de) * 1988-04-26 1989-11-09 Standard Elektrik Lorenz Ag Steuerbarer wechselspannungsverstaerker
US4833350A (en) * 1988-04-29 1989-05-23 Tektronix, Inc. Bipolar-CMOS digital interface circuit
US4937476A (en) * 1988-06-16 1990-06-26 Intel Corporation Self-biased, high-gain differential amplifier with feedback
US4899071A (en) * 1988-08-02 1990-02-06 Standard Microsystems Corporation Active delay line circuit
US4894562A (en) * 1988-10-03 1990-01-16 International Business Machines Corporation Current switch logic circuit with controlled output signal levels
US4945262A (en) * 1989-01-26 1990-07-31 Harris Corporation Voltage limiter apparatus with inherent level shifting employing MOSFETs
US4980580A (en) * 1989-03-27 1990-12-25 Microelectronics And Computer Technology Corporation CMOS interconnection circuit
FR2656174B1 (fr) * 1989-12-15 1995-03-17 Bull Sa Procede et dispositif de compensation de la derive en courant dans un circuit integre mos, et circuit integre en resultant.
US5024993A (en) * 1990-05-02 1991-06-18 Microelectronics & Computer Technology Corporation Superconducting-semiconducting circuits, devices and systems
US5113150A (en) * 1991-05-31 1992-05-12 Intel Corporation Unity gain inverting amplifier providing linear transfer characteristics
KR960003219B1 (ko) * 1993-04-16 1996-03-07 삼성전자주식회사 반도체 집적회로의 중간전위 발생회로
JP3043201B2 (ja) * 1993-04-22 2000-05-22 株式会社東芝 昇圧回路
KR0124046B1 (ko) * 1993-11-18 1997-11-25 김광호 반도체메모리장치의 승압레벨 감지회로
EP0690510B1 (en) * 1994-06-28 1998-05-06 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Low voltage SOI (silicon on insulator) logic circuit
US5821769A (en) * 1995-04-21 1998-10-13 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Low voltage CMOS logic circuit with threshold voltage control
DE19604394A1 (de) * 1996-02-07 1997-08-14 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung zum Treiben einer Last
US5847576A (en) * 1996-11-07 1998-12-08 Lucent Technologies Inc. Low power, variable logic threshold voltage, logic gates
US5760649A (en) * 1996-11-20 1998-06-02 International Business Machines Corporation Buffer amplifier with output non-linearity compensation and adjustable gain
US6329867B1 (en) * 1997-04-25 2001-12-11 Texas Instruments Incorporated Clock input buffer with noise suppression
US6198306B1 (en) * 1998-07-24 2001-03-06 Vlsi Technology, Inc. CMOS waveshaping buffer
US6175221B1 (en) * 1999-08-31 2001-01-16 Micron Technology, Inc. Frequency sensing NMOS voltage regulator
TW563294B (en) * 2001-10-10 2003-11-21 Sony Corp Amplification circuit
US6930550B1 (en) 2004-04-26 2005-08-16 Pericom Semiconductor Corp. Self-biasing differential buffer with transmission-gate bias generator
GB0708324D0 (en) * 2007-04-30 2007-06-06 Univ Catholique Louvain Ultra-low-power circuit
JP2009010498A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Nec Electronics Corp 半導体回路
US8354886B2 (en) * 2008-08-11 2013-01-15 Nxp B.V. Arrangement for calibrating the quiescent operating point of a push-pull amplifier
US8754695B2 (en) * 2011-08-30 2014-06-17 Micron Technology, Inc. Methods, integrated circuits, apparatuses and buffers with adjustable drive strength
US8854138B2 (en) * 2012-12-03 2014-10-07 Chi Ming John LAM Buffer amplifier
US11463077B2 (en) * 2016-05-25 2022-10-04 Texas Instruments Incorporated Low power comparator
US11043947B1 (en) * 2020-01-16 2021-06-22 Arm Limited Energy efficient power distribution circuits for protection of sensitive information

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3392341A (en) * 1965-09-10 1968-07-09 Rca Corp Self-biased field effect transistor amplifier
US3720841A (en) * 1970-12-29 1973-03-13 Tokyo Shibaura Electric Co Logical circuit arrangement

Also Published As

Publication number Publication date
SE7407180L (ru) 1974-12-02
DE2425973B2 (de) 1978-03-30
JPS5417545B2 (ru) 1979-06-30
FI159774A (ru) 1974-12-02
CA999346A (en) 1976-11-02
AT351593B (de) 1979-08-10
CH578804A5 (ru) 1976-08-13
AU474135B2 (en) 1976-07-15
FR2232139B1 (ru) 1978-07-07
DK296374A (ru) 1975-02-03
US3914702A (en) 1975-10-21
GB1460605A (en) 1977-01-06
BE815832A (fr) 1974-09-16
NL7407052A (ru) 1974-12-03
DE2425973C3 (de) 1985-12-05
BR7404485A (pt) 1976-02-10
DD112044A5 (ru) 1975-03-12
AU6954974A (en) 1975-12-04
JPS5023157A (ru) 1975-03-12
IT1012980B (it) 1977-03-10
ATA450574A (de) 1979-01-15
BR7404485D0 (pt) 1975-01-21
USB365834I5 (ru) 1975-01-28
ES426652A1 (es) 1976-07-16
AR200785A1 (es) 1974-12-13
DE2425973A1 (de) 1975-01-02
FR2232139A1 (ru) 1974-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU588938A3 (ru) Усилитель
US3823332A (en) Mos fet reference voltage supply
SU772508A3 (ru) Усилитель
KR920022647A (ko) 차동 입력 회로
US4677380A (en) Magnetic field sensor comprising two component layer transistor of opposite polarities
US4109214A (en) Unbalanced-to-balanced signal converter circuit
KR920010237B1 (ko) 증폭회로
ES421651A1 (es) Un dispositivo detector de seguimiento de nivel.
SE7503873L (sv) Forsterkningsreglerkrets.
US3428884A (en) Linear voltage variable resistance networks
US3989962A (en) Negative-resistance semiconductor device
GB1485116A (en) Non linear network
US3462701A (en) Biasing circuit for use with field-effect transistors
US4404477A (en) Detection circuit and structure therefor
KR940002433B1 (ko) 정 전압회로
SU543136A1 (ru) Каскодный усилитель
SU905808A1 (ru) Стабилитрон
SU445037A1 (ru) Источник опорного напр жени с симметричным относительно общей шины выходом
SU633004A1 (ru) Двупол рный стабилизатор тока
SU813788A1 (ru) Блок стабилизированных источниковТОКА
SU720688A1 (ru) Дифференциальный усилитель
SU694853A2 (ru) Стабилизированный источник посто нного тока
SU420103A1 (ru) Генератор линейно изменяющегося нанряжения
KR910008939A (ko) 온도보상용 공급전압 안정화회로
SU896636A1 (ru) Логарифмический усилитель