SU588938A3 - Усилитель - Google Patents
УсилительInfo
- Publication number
- SU588938A3 SU588938A3 SU742033651A SU2033651A SU588938A3 SU 588938 A3 SU588938 A3 SU 588938A3 SU 742033651 A SU742033651 A SU 742033651A SU 2033651 A SU2033651 A SU 2033651A SU 588938 A3 SU588938 A3 SU 588938A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- terminal
- transistors
- amplifier
- field
- effect transistors
- Prior art date
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/345—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0216—Continuous control
- H03F1/0233—Continuous control by using a signal derived from the output signal, e.g. bootstrapping the voltage supply
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3001—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
- H03F3/3022—CMOS common source output SEPP amplifiers
- H03F3/3028—CMOS common source output SEPP amplifiers with symmetrical driving of the end stage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/007—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using FET type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3005—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers
- H03G3/301—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers the gain being continuously variable
- H03G3/3015—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers the gain being continuously variable using diodes or transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
ры которых соединены между собой и н дключены к входной клемме 3 усилител . Между выводами 4, 5 каналов полевых транзисторов 1, 2 и клеммами 6, 7 источника питани включены управл емые сопротивлени 8, 9 соответственно , управл ющие входы которых объединены и соединены с источником управл ющего напр жени (клемма 10). Другие объединенные выводы каналов транзисторов 1, 2 подключены к выходной клемме 11. Управл емые сопротивлени 8, 9 (см. фиг. 2) выполнены на полевых транзисторах, имеющих такие же позиционные обозначени 8, 9. Полевые транзисторы 8, 9, на затворы которых подано управл ющее напр жение с клеммы 10, имеют тот же тип проводимости , что и полевые транзисторы 1, 2, с которыми они соединены своими каналами.
На фиг. 3 приведена типична передаточна функци усилител , выполненного на последовательно соединенных полевых транзисторах 1, 2 с каналами р и п-типа проводимостей соответственно . Выходное напр жение, полученное на клемме 11 измен етс в соответствии с напр жением , приложениь м к входной клемме 3, при этом выходной потенциа.л определ етс отношением сопротивлений каналов транзисторов 1 и 2 и величиной потенциалов, приложенных к выводам 4, 5 этих транзисторов. К клеммам 6, 7 приложено рабочее напр жение источника питани , причем потенциал кле.ммы 6 относительно выше потенциала клеммы 7, при этом лотенциал Е, в точке 4 должен быть выше потенциала Ег в точке 5. Предположим, что входное напр жение (смещение) Е. находитс посередине между рабочими потенциалами Е i и Ej. В этом случае получим выходное напр жение E.,соответствующее рабочей точке 12 на передаточной функции 10. Крутизна передаточной функции 10 в точке 12 максимальна, а следовательно , и максимальны коэффициент усилени и динамический диапазон усилител . Любое смещение рабочей точки 12 по кривой приводит к уменьшению коэффициента усилени и динамического диапазона.
Положение рабочей точки усилител стабилизируетс с помощью управл емых сопротивлений 8, 9, причем-они выбраны таким образам, что величина управл емого сопротивлени 8 измен етс пр мо пропорционально, а величина управл емого сопротивлени 9 обратнопропоротонально управл ющему напр жению, приложенному к клемме 10. К клемме 6 приложен фиксированный потенциал положительного , значени , к клемме 7 - фиксированный потенциал отрицательного значени , к входной клемме 3 приложен потенциал смещени на опорном уровне, таком как заземление. Если управл ющее , напр жение, приложенное к клемме 10, увеличиваетс , величина сопротивлени 9 уменьщаетс , а величина сопротивлени 8 увеличиваетс , в результате чего происходит смещение потенциалов, в точках 4, 5 схемы в направлении фиксированного потенциала на клемм. 7 и, наоборот, при уменьшении управл ющего напр жени , управл емые сопротивлени 8, 9 смещают рабочие напр жени в точках 4, 5 в направлении фиксированного потенциала на клемме 6. Так как выходное напр жение усил ител определ етс отношением сопротив5 лений полевых транзисторов 1, 2 и рабочими потенциалами в точках 4, 5, и поскольку эти потенциалы завис т от управл ющего напр жени на клемме 10, то выходное напр жение может быть изменено на требуемую величину изменением управл ющего напр жени на клемме 10. При использовании в качестве управл емых сопротивлений полевых транзисторов 8, 9 (см. фиг. 2) управл ющее напр жение с клеммы 10 подаетс на их затворы. С изменением величины управл ющего напр жени измен ютс сопротивлени каналов транзисторов 8, 9, что смещает потенциалы в точках 4, 5 аналогично описанному.
В зависимости от различий в геометрии полевых транзисторов 1, 2 и различий в подвижности носителей тока их, а также от изменений
0 рабочих условий окружающей среды передаточна функци усилител может быть смещена относительно идеального своего положени (крива 13 на фиг. 3). При этом, если передаточна функци задана кривой 13, рабоча точка 12 в результате будет образующей вы5 холного напр жени ; если передаточна функци задана кривой 14, то соответствующа рабоча точка будет в точке 15, образующей положительное выходное напр жение Е аналогично при передаточной функции, заданной
Q кривой 16, рабоча точка 17 будет образующей отрицательного выходного напр жени Е.у,.. Следовательно, напр жение, образованное на выходной клемме 11, определ етс величиной и направлением смещени передаточной функции относительно идеально расположенной передаточной функции. Это напр жение используетс в качестве напр жени отрицательной обратной св зи дл смещени рабочих потенциалов в точках 4,5 с целью стабилизации рабочей точки усилител .
40
Claims (2)
- Формула изобретениУсилитель, выполненный на полевых транзисторах , содержащий два последовательно соединенных относительно источника питани полевых транзистора с каналами противоположного типа проводимости, затворы которых соединены между собой и подключены к входной клемме, отличающийс тем, что, с целью повышени стабильности рабочей точки, между соответствующими клеммами источника питани и каналами транзисторов введены управл емые сопротивлени , управл ющие входы которых объединены с источником управл ющего напр жени .
- 2. Усилитель по- п. 1, отличающийс тем,что управл емые сопротивлени выполнены на транзисторах того же типа проводимости, что и транзисторы, с которыми они соединены.1010ISSaxytuz.S
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US365834A US3914702A (en) | 1973-06-01 | 1973-06-01 | Complementary field-effect transistor amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU588938A3 true SU588938A3 (ru) | 1978-01-15 |
Family
ID=23440557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU742033651A SU588938A3 (ru) | 1973-06-01 | 1974-05-31 | Усилитель |
Country Status (20)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3914702A (ru) |
JP (1) | JPS5417545B2 (ru) |
AR (1) | AR200785A1 (ru) |
AT (1) | AT351593B (ru) |
AU (1) | AU474135B2 (ru) |
BE (1) | BE815832A (ru) |
BR (1) | BR7404485A (ru) |
CA (1) | CA999346A (ru) |
CH (1) | CH578804A5 (ru) |
DD (1) | DD112044A5 (ru) |
DE (1) | DE2425973C3 (ru) |
DK (1) | DK296374A (ru) |
ES (1) | ES426652A1 (ru) |
FI (1) | FI159774A (ru) |
FR (1) | FR2232139B1 (ru) |
GB (1) | GB1460605A (ru) |
IT (1) | IT1012980B (ru) |
NL (1) | NL7407052A (ru) |
SE (1) | SE7407180L (ru) |
SU (1) | SU588938A3 (ru) |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS562962B2 (ru) * | 1974-08-23 | 1981-01-22 | ||
US4062042A (en) * | 1976-10-07 | 1977-12-06 | Electrohome Limited | D.C. controlled attenuator |
US4110641A (en) * | 1977-06-27 | 1978-08-29 | Honeywell Inc. | CMOS voltage comparator with internal hysteresis |
JPS5516539A (en) * | 1978-07-20 | 1980-02-05 | Nec Corp | Level shifter circuit |
US4274014A (en) * | 1978-12-01 | 1981-06-16 | Rca Corporation | Switched current source for current limiting complementary symmetry inverter |
US4262221A (en) * | 1979-03-09 | 1981-04-14 | Rca Corporation | Voltage comparator |
US4253033A (en) * | 1979-04-27 | 1981-02-24 | National Semiconductor Corporation | Wide bandwidth CMOS class A amplifier |
US4297644A (en) * | 1979-11-23 | 1981-10-27 | Rca Corporation | Amplifier with cross-over current control |
US4333057A (en) * | 1980-03-24 | 1982-06-01 | Rca Corporation | Differential-input complementary field-effect transistor amplifier |
US4464587A (en) * | 1980-10-14 | 1984-08-07 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Complementary IGFET Schmitt trigger logic circuit having a variable bias voltage logic gate section |
US4446444A (en) * | 1981-02-05 | 1984-05-01 | Harris Corporation | CMOS Amplifier |
JPS5949020A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-21 | Toshiba Corp | 論理回路 |
FR2539932A1 (fr) * | 1983-01-21 | 1984-07-27 | Thomson Csf | Dispositif de compensation des derives du gain en temperature, d'un amplificateur de signaux electriques hyperfrequences |
SE441487B (sv) * | 1984-02-27 | 1985-10-07 | Bengt Gustaf Olsson | Skyddsanordning |
EP0390226A1 (en) * | 1984-07-31 | 1990-10-03 | Yamaha Corporation | Jitter absorption circuit |
US4594560A (en) * | 1985-04-17 | 1986-06-10 | Rca Corporation | Precision setting of the bias point of an amplifying means |
JPS62159917A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-15 | Toshiba Corp | 集積回路におけるインバ−タ回路 |
FR2611283B1 (fr) * | 1987-02-19 | 1989-06-09 | Em Microelectronic Marin Sa | Dispositif comportant un circuit electronique de traitement d'un signal analogique |
US4825106A (en) * | 1987-04-08 | 1989-04-25 | Ncr Corporation | MOS no-leak circuit |
DE3814041A1 (de) * | 1988-04-26 | 1989-11-09 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Steuerbarer wechselspannungsverstaerker |
US4833350A (en) * | 1988-04-29 | 1989-05-23 | Tektronix, Inc. | Bipolar-CMOS digital interface circuit |
US4937476A (en) * | 1988-06-16 | 1990-06-26 | Intel Corporation | Self-biased, high-gain differential amplifier with feedback |
US4899071A (en) * | 1988-08-02 | 1990-02-06 | Standard Microsystems Corporation | Active delay line circuit |
US4894562A (en) * | 1988-10-03 | 1990-01-16 | International Business Machines Corporation | Current switch logic circuit with controlled output signal levels |
US4945262A (en) * | 1989-01-26 | 1990-07-31 | Harris Corporation | Voltage limiter apparatus with inherent level shifting employing MOSFETs |
US4980580A (en) * | 1989-03-27 | 1990-12-25 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | CMOS interconnection circuit |
FR2656174B1 (fr) * | 1989-12-15 | 1995-03-17 | Bull Sa | Procede et dispositif de compensation de la derive en courant dans un circuit integre mos, et circuit integre en resultant. |
US5024993A (en) * | 1990-05-02 | 1991-06-18 | Microelectronics & Computer Technology Corporation | Superconducting-semiconducting circuits, devices and systems |
US5113150A (en) * | 1991-05-31 | 1992-05-12 | Intel Corporation | Unity gain inverting amplifier providing linear transfer characteristics |
KR960003219B1 (ko) * | 1993-04-16 | 1996-03-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 집적회로의 중간전위 발생회로 |
JP3043201B2 (ja) * | 1993-04-22 | 2000-05-22 | 株式会社東芝 | 昇圧回路 |
KR0124046B1 (ko) * | 1993-11-18 | 1997-11-25 | 김광호 | 반도체메모리장치의 승압레벨 감지회로 |
DE69502350T2 (de) * | 1994-06-28 | 1998-10-29 | Nippon Telegraph & Telephone | SOI (Silizium auf Isolator)-Logikschaltung mit niedriger Spannung |
US5821769A (en) * | 1995-04-21 | 1998-10-13 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Low voltage CMOS logic circuit with threshold voltage control |
DE19604394A1 (de) * | 1996-02-07 | 1997-08-14 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung zum Treiben einer Last |
US5847576A (en) * | 1996-11-07 | 1998-12-08 | Lucent Technologies Inc. | Low power, variable logic threshold voltage, logic gates |
US5760649A (en) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Buffer amplifier with output non-linearity compensation and adjustable gain |
US6329867B1 (en) * | 1997-04-25 | 2001-12-11 | Texas Instruments Incorporated | Clock input buffer with noise suppression |
US6198306B1 (en) * | 1998-07-24 | 2001-03-06 | Vlsi Technology, Inc. | CMOS waveshaping buffer |
US6175221B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-01-16 | Micron Technology, Inc. | Frequency sensing NMOS voltage regulator |
TW563294B (en) * | 2001-10-10 | 2003-11-21 | Sony Corp | Amplification circuit |
US6930550B1 (en) | 2004-04-26 | 2005-08-16 | Pericom Semiconductor Corp. | Self-biasing differential buffer with transmission-gate bias generator |
GB0708324D0 (en) * | 2007-04-30 | 2007-06-06 | Univ Catholique Louvain | Ultra-low-power circuit |
JP2009010498A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Nec Electronics Corp | 半導体回路 |
EP2324568B1 (en) | 2008-08-11 | 2013-10-16 | Nxp B.V. | Arrangement for calibrating the quiescent operating point of a push-pull amplifier |
US8754695B2 (en) * | 2011-08-30 | 2014-06-17 | Micron Technology, Inc. | Methods, integrated circuits, apparatuses and buffers with adjustable drive strength |
US8854138B2 (en) * | 2012-12-03 | 2014-10-07 | Chi Ming John LAM | Buffer amplifier |
US11463077B2 (en) * | 2016-05-25 | 2022-10-04 | Texas Instruments Incorporated | Low power comparator |
US11043947B1 (en) * | 2020-01-16 | 2021-06-22 | Arm Limited | Energy efficient power distribution circuits for protection of sensitive information |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3392341A (en) * | 1965-09-10 | 1968-07-09 | Rca Corp | Self-biased field effect transistor amplifier |
US3720841A (en) * | 1970-12-29 | 1973-03-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | Logical circuit arrangement |
-
1973
- 1973-06-01 US US365834A patent/US3914702A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-05-24 GB GB2329874A patent/GB1460605A/en not_active Expired
- 1974-05-24 FI FI1597/74A patent/FI159774A/fi unknown
- 1974-05-25 ES ES426652A patent/ES426652A1/es not_active Expired
- 1974-05-27 NL NL7407052A patent/NL7407052A/xx not_active Application Discontinuation
- 1974-05-28 CA CA200,988A patent/CA999346A/en not_active Expired
- 1974-05-29 AU AU69549/74A patent/AU474135B2/en not_active Expired
- 1974-05-30 AR AR254006A patent/AR200785A1/es active
- 1974-05-30 DE DE2425973A patent/DE2425973C3/de not_active Expired
- 1974-05-30 FR FR7418731A patent/FR2232139B1/fr not_active Expired
- 1974-05-30 AT AT450574A patent/AT351593B/de not_active IP Right Cessation
- 1974-05-30 IT IT23384/74A patent/IT1012980B/it active
- 1974-05-30 JP JP6172174A patent/JPS5417545B2/ja not_active Expired
- 1974-05-30 SE SE7407180A patent/SE7407180L/xx unknown
- 1974-05-31 BR BR4485/74A patent/BR7404485A/pt unknown
- 1974-05-31 SU SU742033651A patent/SU588938A3/ru active
- 1974-05-31 BE BE145003A patent/BE815832A/xx unknown
- 1974-05-31 CH CH751774A patent/CH578804A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-05-31 DK DK296374*A patent/DK296374A/da unknown
- 1974-06-04 DD DD178947A patent/DD112044A5/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1012980B (it) | 1977-03-10 |
DE2425973C3 (de) | 1985-12-05 |
FR2232139B1 (ru) | 1978-07-07 |
CA999346A (en) | 1976-11-02 |
DE2425973B2 (de) | 1978-03-30 |
AR200785A1 (es) | 1974-12-13 |
FI159774A (ru) | 1974-12-02 |
DD112044A5 (ru) | 1975-03-12 |
NL7407052A (ru) | 1974-12-03 |
BR7404485D0 (pt) | 1975-01-21 |
DK296374A (ru) | 1975-02-03 |
AU6954974A (en) | 1975-12-04 |
JPS5417545B2 (ru) | 1979-06-30 |
CH578804A5 (ru) | 1976-08-13 |
BR7404485A (pt) | 1976-02-10 |
AU474135B2 (en) | 1976-07-15 |
ES426652A1 (es) | 1976-07-16 |
SE7407180L (ru) | 1974-12-02 |
DE2425973A1 (de) | 1975-01-02 |
BE815832A (fr) | 1974-09-16 |
US3914702A (en) | 1975-10-21 |
USB365834I5 (ru) | 1975-01-28 |
JPS5023157A (ru) | 1975-03-12 |
GB1460605A (en) | 1977-01-06 |
AT351593B (de) | 1979-08-10 |
ATA450574A (de) | 1979-01-15 |
FR2232139A1 (ru) | 1974-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU588938A3 (ru) | Усилитель | |
US3823332A (en) | Mos fet reference voltage supply | |
US4207538A (en) | Temperature compensation circuit | |
SU772508A3 (ru) | Усилитель | |
KR920022647A (ko) | 차동 입력 회로 | |
US4677380A (en) | Magnetic field sensor comprising two component layer transistor of opposite polarities | |
US4109214A (en) | Unbalanced-to-balanced signal converter circuit | |
KR920010237B1 (ko) | 증폭회로 | |
ES421651A1 (es) | Un dispositivo detector de seguimiento de nivel. | |
SE7503873L (sv) | Forsterkningsreglerkrets. | |
US3428884A (en) | Linear voltage variable resistance networks | |
US3989962A (en) | Negative-resistance semiconductor device | |
GB1485116A (en) | Non linear network | |
US3462701A (en) | Biasing circuit for use with field-effect transistors | |
US4404477A (en) | Detection circuit and structure therefor | |
KR940002433B1 (ko) | 정 전압회로 | |
SU543136A1 (ru) | Каскодный усилитель | |
SU905808A1 (ru) | Стабилитрон | |
SU445037A1 (ru) | Источник опорного напр жени с симметричным относительно общей шины выходом | |
SU633004A1 (ru) | Двупол рный стабилизатор тока | |
SU813788A1 (ru) | Блок стабилизированных источниковТОКА | |
SU720688A1 (ru) | Дифференциальный усилитель | |
SU694853A2 (ru) | Стабилизированный источник посто нного тока | |
SU420103A1 (ru) | Генератор линейно изменяющегося нанряжения | |
KR910008939A (ko) | 온도보상용 공급전압 안정화회로 |