SU555074A1 - Шихта дл изготовлени сегнетоэлектрического материала - Google Patents
Шихта дл изготовлени сегнетоэлектрического материалаInfo
- Publication number
- SU555074A1 SU555074A1 SU2325249A SU2325249A SU555074A1 SU 555074 A1 SU555074 A1 SU 555074A1 SU 2325249 A SU2325249 A SU 2325249A SU 2325249 A SU2325249 A SU 2325249A SU 555074 A1 SU555074 A1 SU 555074A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- mixture
- manufacture
- ferroelectric material
- weight
- temperature range
- Prior art date
Links
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к керамическим материалам обладающим сегнетоэлектрическими свойствами и предназначенным дл применени в качестве диэлектрика в электрически управл емых мощных высокочастотных каскадах радиосв занной аппаратуры.
Известен сегнетоэлектрический материал, содержащий следующие сжслы, вес. %: РЬО 68,08; NbjO; 27,18; McjO3,45; NiOO,07; ZnO 1,23.
Недостатком известного материала вл етс узкий температурный интервал возможного применени от 20° С до 80° Со
Известна также шихта дл изготовлени сегнетоэлектрического материала, содержаща следующие компоненты, вес. %: РЬО 66,84-67,35; N520; 26,53-26,74; МдО 1,01-2,03; N10 0,41-1,64; ZnO 2,25-5,22. Однако верхний предел рабочего температурного интервала этого материала не превыщает 80° Со
Цель изобретени - повышение верхней границы температурного рабочего интервала материала.
Дл этого предлагаетс шихта дл изготовлени сегнетоэлектрического материала на основе твердых растворов РЬзМд Ь- Од - PbsNiNbjOg -
РЬз ZnNbj Од, содержаща указанные компоненты в
следующем соотнощении, вес. %:
РЬО66,50 - 67,02
Nb-20s26,52-26,75
МдО2,51 - 2,93
N101,50- 2,24
ZnO1,82- 2,23
Исходные компоненты щихты смепшвают и
измельчают в щаровых мельницах с агатовыми барабанами и щарами в среде этилового спирта в течение 8-10 час (до полного прохождени через сито N™ 0056) о После высупжвани при 120° С-150° С щихту прессуют в брикеты и подвергают первому обжигу при 900° С с вьщержкой при этой температуре в течение 2 час. Затем .брикеты измельчают и размальшают повторно. После помола из просущенной массы при удельном давлении 900-1000 кг. см прессуют заготовки конденсаторов в виде дисков и чащек Второй обжиг провод т при 1150° С с вьщержкой при этой температуре до 1 час. Обжиг провод т в защитной атмосфере , предотвращающей потери РЬО.
Примерньш состав предлагаемой шихты может
содержать следующие компоненты, вес. %:
66,85
26,75
2,71
1,87
1,82 После двух обжигов получают материал следующего стехиометрического состава, вес. %: PbsMgNbiOg 0,55, РЬз NiNbjOg 0,25, РЬз ZnNb,. Од 0,20, содержащий сверх стехиометрии, вес. %: 0.5 MgO и 0,2 ZnO. На заготовки конденсатора поотс ишифовки нанос т электроды методом сжигани серебр ной пасты при 800° Со Полученный керамический материал имеет следующие диэлектрические свойства на частоте 1 мГц в интервал температур от 10° С до 110° С. Тангенс угла диэлектрических потерь tg5 102:при10°Сгд5 9- при 110°С tg5 2.la коэффициент управлени диэлектрической проницаемости при управл ющем поле Еу 70 кв см К 2; температурный коэффициент диэлектрической проницаемости находитс в пределах: -6 10 ТК& +3.10 4) электрическа прочность материала относительно управл ющего пол Еу
CM
160кв
Enp 140.
Claims (1)
- Таким образом, из предлагаемой шихты можно керамический материал дл электрически управл емых ВЧ- каскадов с рабочим температурным интервалом от 10° С до 110° С, Формула изобретени Шихта дл изготовлени сегнетоэлектрического материала на основе твердых растворов системы PbjMgNBjO, - PbaNiNbjOg - PbзZnNb209,включаюЦда PbO, Nb2Os, MgO, NiO, ZnO, отличающа с тем, что, с целью повьплени верхней границы рабочего температурного интервала, она содержит указанные компоненты в следующем соотнощении , вес. %: РЬО66,50 - 67,02 NbjOs26,52-26,75 MgO2,51 - 2,93 N101,50- 2,24 ZnO1,82- 2,23
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2325249A SU555074A1 (ru) | 1976-02-17 | 1976-02-17 | Шихта дл изготовлени сегнетоэлектрического материала |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2325249A SU555074A1 (ru) | 1976-02-17 | 1976-02-17 | Шихта дл изготовлени сегнетоэлектрического материала |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU555074A1 true SU555074A1 (ru) | 1977-04-25 |
Family
ID=20649177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU2325249A SU555074A1 (ru) | 1976-02-17 | 1976-02-17 | Шихта дл изготовлени сегнетоэлектрического материала |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU555074A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2519970A1 (fr) * | 1982-01-18 | 1983-07-22 | Centre Nat Rech Scient | Ceramiques a haute constante dielectrique, procede pour leur obtention et leur application aux condensateurs multicouches |
-
1976
- 1976-02-17 SU SU2325249A patent/SU555074A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2519970A1 (fr) * | 1982-01-18 | 1983-07-22 | Centre Nat Rech Scient | Ceramiques a haute constante dielectrique, procede pour leur obtention et leur application aux condensateurs multicouches |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3800198C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer nicht-reduzierbaren dielektrischen keramischen Zusammensetzung | |
| SU555074A1 (ru) | Шихта дл изготовлени сегнетоэлектрического материала | |
| JPH0255884B2 (ru) | ||
| JPH07109725B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| SU504737A1 (ru) | Шихта дл изготовлени сегнетоэлектрического материала | |
| JPH0570222A (ja) | ＢａＯ−ｘＴｉＯ２ 系誘電体磁器 | |
| JPS5477000A (en) | Dielectric porcelain material | |
| JP2005041721A (ja) | 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品 | |
| RU2012085C1 (ru) | Способ изготовления сегнетокерамического материала для конденсаторов | |
| US6599854B2 (en) | Dielectric ceramic composition | |
| JPH06309926A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR970001380B1 (ko) | 고주파용 유전체 세라믹스 조성물 | |
| JP3385136B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6366795B2 (ru) | ||
| JP2950672B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2643197B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| SU1460057A1 (ru) | Пьезокерамический материал | |
| JPH06325620A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3318396B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| SU459445A1 (ru) | Керамическа масса | |
| RU2079916C1 (ru) | Шихта керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих материалов и способ получения материала из нее | |
| JP3329980B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| SU1655953A1 (ru) | Пьезоэлектрический керамический материал | |
| KR940003969B1 (ko) | 적층칩 lc필터제조용 자기조성물 | |
| SU687043A1 (ru) | Шихта дл изготовлени керамических конденсаторов |