SU451978A1 - Позитивный фоторезист - Google Patents

Позитивный фоторезист

Info

Publication number
SU451978A1
SU451978A1 SU1889749A SU1889749A SU451978A1 SU 451978 A1 SU451978 A1 SU 451978A1 SU 1889749 A SU1889749 A SU 1889749A SU 1889749 A SU1889749 A SU 1889749A SU 451978 A1 SU451978 A1 SU 451978A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
film
photoresist
phenol
positive photoresist
formaldehyde
Prior art date
Application number
SU1889749A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Иванович Парамонов
Юрий Михайлович Прохоцкий
Original Assignee
Предприятие П/Я А-7850
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-7850 filed Critical Предприятие П/Я А-7850
Priority to SU1889749A priority Critical patent/SU451978A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU451978A1 publication Critical patent/SU451978A1/ru

Links

Description

1
Изобретение касаетс  позитивного фоторезиста , используемого в полиграфической и ра/щоэлектронной промышленности.
Известны позитивные фоторезисты на основе эфиров ортонафтохинондназидов (светочувствительный продукт) в сочетании со щелочерастворимыми фенолформальдегидны- ми смолами (пленкообразующий компонент) Недостатком известных позитивных фоторезистов  вл етс  (Дефектность защитного рельефа и недостаточна  стойкость их пленок в щелочах.
: В предлагаемом фоторезисте CBeTO4yBciv вительный компонент-нафтохинондиазид : вз т в количестве 5-40% от веса пленкообразующего компонента, составленного из фенолформальдегидной и эпоксидной смол в весовом соотношении 2:1.
: Про вление органическим растворителем
экспонированного актиничным излучением рельефа осуществл ют после задубливани  экспонированной пленки.
Позитивное изображение с применением этр го фоторезиста получают следующим образом. Подложка с нанесённой пленкой фотора;зиста экспонируетс  актнничным светом через фотомаску, а затем подвергаетс  термообработке (задубливанию), в процессе которой происходит сшивка незасвеченных
участков пленки, котора  тер ет способность раствор тьс  в органы Ч1еских раство , рител х. Засвеченные участки пленки остаютс  практачески несшитыми и легко удал ютс  органическими растворител ми, что позвол ет получить позитивное изображение4 Позитивные фоторезисты данного состава характеризуютс  низким содержанием свете вствнтельного продукта, благодар  чему в растворител х типа циклогексанона и
г этилцеллозольва получают высоков зкую композицию. Дл  известных фоторезистов
неосуществимо, так как нельз  перевести в раствор большое количестио (вО% от веса пленкообразующего компонента) светочувствительного продукта, обладающего относительно невысокой растворимостью. Предлагаемый фоторезист характеризуетс 
. повышенной по сравнению с фоторезистами на основе фенолформальдегидных смол адгезией к стеклу. Разрещакнца  способность
3
предлагаемого фоторезиста составл ет не менее 200 линий/мм.
Пример 1. 14О мг эфира 1,2-нафтрхинондиазид- ( 2 )-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы к 1,4 г
смолы Э-ОО С типа .Фенокси раствор ют в 14 мл циклогексанона. Раствор фильтруют и нанос 5 методом центрифугировани  на алюминиевую пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 9О°С в течение 15 экспонируют через фотомаску (штрихова  мирра. Затем провод т термообработку пленки при 140°С в течение 2О мин, про вл ют рельеф в циклогексаноне в течение 40 сек и трав т в 5%-ном водном растворе КОН в течение 1О мин. Получают изображение на алюминиевой пластине с минимальной шириной штриха 20 мкм,
Пример 2. 140 мг эфира 1,2-нафтахинондиазид- (2)-5-сульфокислоты и бисфенола и 1,4 г смолы Э-ОО С типа Фенокси раствор ют в 14 мл циклогексанона . Нанесение, обработку фоторезиста и травление подложки провод т, как в при- мере 1, .Получают элемент изображени  с шириной штриха 20 мкм.
Пример 3. Операции выполн ют в последовательности, указанной в примере 1, но с использованием в качестве свето- чувствительного продукта эфира 1,2-нафто- хинондиазид-(2 )-5-сульфокислоты и продукта конденсации бисфенола с формальдегидом (мол рное отношение 2:2). Получают элемент изображени  с шириной штриха 2О мкм.
Пример 4. Операции вылолн к г в последовательности, указанной в примере
1, но с использованием в качестве подложки обычного стекла. После травлени  на подложке получают минимальный элемент с шириной штриха в мкм.
Пример 5. 7,5 г эфира 1,2-нафтохинондиазид- ( )-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы, 12,5 г фенолформальдегидной смолы и 6,25 г эпоюсидной смолы Э-5О раствор ют в 13О мл диоксана. Раствор фильтруют и нанос т на стекл нную пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 9О°С в течение 15 мин. и экспонируют через фотомаску (штрихова 
ирра). Затем провод т термообработку при в течение 20 мин, про вл ют рельеф в ацетоне в течение 30 сек. После равлени  на подложке получак т минимальный элемент с шириной штриха в 4,5 мк.
Предмет изобретени 
Позитивный фоторезист, состо щий из пленкообразующего компонента - смеси эпоксидной и фенолформальдегидной смол, светочувствительного компонента - производного нафтохинондиазида и растворител , отличающийс  тем, что с целью увеличени  щелочестойкости и уменьшени  дефектности зашитно1Х) рельефа, в его составе светочувствительный компонент вз т в ко;шчестве 5-4О% от веса пленкообразующего, составленного из фенолформальдегидной и эпоксидной смол в весовом соотношении 2:1.
SU1889749A 1973-02-19 1973-02-19 Позитивный фоторезист SU451978A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1889749A SU451978A1 (ru) 1973-02-19 1973-02-19 Позитивный фоторезист

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1889749A SU451978A1 (ru) 1973-02-19 1973-02-19 Позитивный фоторезист

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU451978A1 true SU451978A1 (ru) 1974-11-30

Family

ID=20544380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1889749A SU451978A1 (ru) 1973-02-19 1973-02-19 Позитивный фоторезист

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU451978A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0000702A1 (de) * 1977-08-08 1979-02-21 International Business Machines Corporation Verfahren zur Herstellung einer fliessbeständigen Resistmaske aus strahlungsempfindlichem Resistmaterial

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0000702A1 (de) * 1977-08-08 1979-02-21 International Business Machines Corporation Verfahren zur Herstellung einer fliessbeständigen Resistmaske aus strahlungsempfindlichem Resistmaterial

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3603372C2 (de) Positiv wirkendes lichtempfindliches Gemisch
US5494784A (en) Method of pattern formation utilizing radiation-sensitive resin composition containing monooxymonocarboxylic acid ester solvent
DE865860C (de) Lichtempfindliche Schichten fuer die photomechanische Reproduktion
US4963463A (en) Radiation-sensitive resin composition with admixtures of O-quinone diazide and acid esters having nitrobenzyl or cyanobenzyl group
EP0443820B1 (en) Radiation-sensitive resin composition
US5215857A (en) 1,2-quinonediazide containing radiation-sensitive resin composition utilizing methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate or methyl 3-methoxypropionate as the solvent
JP2022009137A (ja) レジスト組成物
KR900702421A (ko) 주형 용매로서 에틸 락테이트와 에틸 3-에톡시 프로피오네이트의 선택된 혼합물을 사용하는 포지티브 작용성 감광성 내식막
JP3024695B2 (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
US5238774A (en) Radiation-sensitive composition containing 1,2-quinonediazide compound, alkali-soluble resin and monooxymonocarboxylic acid ester solvent
JPH0255359A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
SU451978A1 (ru) Позитивный фоторезист
JP2569669B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2536600B2 (ja) ノボラック樹脂中の低核体の除去方法
US5275909A (en) Positive-working radiation sensitive mixtures and articles containing alkali-soluble binder, o-quinonediazide photoactive compound and BLANKOPHOR FBW acting dye
US4985333A (en) Positive-working photosensitive composition with three difference 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters to include the ester of curcumin
JPH0816782B2 (ja) 非化学増感アルカリ現像可能フォトレジストのコントラスト向上
KR960001894A (ko) 레지스트 패턴의 형성방법과 그 방법에 쓰이는 산성 수용성 재료 조성물
JPH04211254A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH012034A (ja) フォトレジスト組成物
ATE45228T1 (de) Verfahren zur herstellung eines positiv arbeitenden photoresists.
JPH03158855A (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
US5672459A (en) Radiation sensitive resin composition containing quinone diazide ester having two hindered phenol groups
JP2811663B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH0664342B2 (ja) ポジ型感光性組成物