SU451978A1 - Позитивный фоторезист - Google Patents
Позитивный фоторезистInfo
- Publication number
- SU451978A1 SU451978A1 SU1889749A SU1889749A SU451978A1 SU 451978 A1 SU451978 A1 SU 451978A1 SU 1889749 A SU1889749 A SU 1889749A SU 1889749 A SU1889749 A SU 1889749A SU 451978 A1 SU451978 A1 SU 451978A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- film
- photoresist
- phenol
- positive photoresist
- formaldehyde
- Prior art date
Links
Description
1
Изобретение касаетс позитивного фоторезиста , используемого в полиграфической и ра/щоэлектронной промышленности.
Известны позитивные фоторезисты на основе эфиров ортонафтохинондназидов (светочувствительный продукт) в сочетании со щелочерастворимыми фенолформальдегидны- ми смолами (пленкообразующий компонент) Недостатком известных позитивных фоторезистов вл етс (Дефектность защитного рельефа и недостаточна стойкость их пленок в щелочах.
: В предлагаемом фоторезисте CBeTO4yBciv вительный компонент-нафтохинондиазид : вз т в количестве 5-40% от веса пленкообразующего компонента, составленного из фенолформальдегидной и эпоксидной смол в весовом соотношении 2:1.
: Про вление органическим растворителем
экспонированного актиничным излучением рельефа осуществл ют после задубливани экспонированной пленки.
Позитивное изображение с применением этр го фоторезиста получают следующим образом. Подложка с нанесённой пленкой фотора;зиста экспонируетс актнничным светом через фотомаску, а затем подвергаетс термообработке (задубливанию), в процессе которой происходит сшивка незасвеченных
участков пленки, котора тер ет способность раствор тьс в органы Ч1еских раство , рител х. Засвеченные участки пленки остаютс практачески несшитыми и легко удал ютс органическими растворител ми, что позвол ет получить позитивное изображение4 Позитивные фоторезисты данного состава характеризуютс низким содержанием свете вствнтельного продукта, благодар чему в растворител х типа циклогексанона и
г этилцеллозольва получают высоков зкую композицию. Дл известных фоторезистов
неосуществимо, так как нельз перевести в раствор большое количестио (вО% от веса пленкообразующего компонента) светочувствительного продукта, обладающего относительно невысокой растворимостью. Предлагаемый фоторезист характеризуетс
. повышенной по сравнению с фоторезистами на основе фенолформальдегидных смол адгезией к стеклу. Разрещакнца способность
3
предлагаемого фоторезиста составл ет не менее 200 линий/мм.
Пример 1. 14О мг эфира 1,2-нафтрхинондиазид- ( 2 )-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы к 1,4 г
смолы Э-ОО С типа .Фенокси раствор ют в 14 мл циклогексанона. Раствор фильтруют и нанос 5 методом центрифугировани на алюминиевую пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 9О°С в течение 15 экспонируют через фотомаску (штрихова мирра. Затем провод т термообработку пленки при 140°С в течение 2О мин, про вл ют рельеф в циклогексаноне в течение 40 сек и трав т в 5%-ном водном растворе КОН в течение 1О мин. Получают изображение на алюминиевой пластине с минимальной шириной штриха 20 мкм,
Пример 2. 140 мг эфира 1,2-нафтахинондиазид- (2)-5-сульфокислоты и бисфенола и 1,4 г смолы Э-ОО С типа Фенокси раствор ют в 14 мл циклогексанона . Нанесение, обработку фоторезиста и травление подложки провод т, как в при- мере 1, .Получают элемент изображени с шириной штриха 20 мкм.
Пример 3. Операции выполн ют в последовательности, указанной в примере 1, но с использованием в качестве свето- чувствительного продукта эфира 1,2-нафто- хинондиазид-(2 )-5-сульфокислоты и продукта конденсации бисфенола с формальдегидом (мол рное отношение 2:2). Получают элемент изображени с шириной штриха 2О мкм.
Пример 4. Операции вылолн к г в последовательности, указанной в примере
1, но с использованием в качестве подложки обычного стекла. После травлени на подложке получают минимальный элемент с шириной штриха в мкм.
Пример 5. 7,5 г эфира 1,2-нафтохинондиазид- ( )-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы, 12,5 г фенолформальдегидной смолы и 6,25 г эпоюсидной смолы Э-5О раствор ют в 13О мл диоксана. Раствор фильтруют и нанос т на стекл нную пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 9О°С в течение 15 мин. и экспонируют через фотомаску (штрихова
ирра). Затем провод т термообработку при в течение 20 мин, про вл ют рельеф в ацетоне в течение 30 сек. После равлени на подложке получак т минимальный элемент с шириной штриха в 4,5 мк.
Предмет изобретени
Позитивный фоторезист, состо щий из пленкообразующего компонента - смеси эпоксидной и фенолформальдегидной смол, светочувствительного компонента - производного нафтохинондиазида и растворител , отличающийс тем, что с целью увеличени щелочестойкости и уменьшени дефектности зашитно1Х) рельефа, в его составе светочувствительный компонент вз т в ко;шчестве 5-4О% от веса пленкообразующего, составленного из фенолформальдегидной и эпоксидной смол в весовом соотношении 2:1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1889749A SU451978A1 (ru) | 1973-02-19 | 1973-02-19 | Позитивный фоторезист |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1889749A SU451978A1 (ru) | 1973-02-19 | 1973-02-19 | Позитивный фоторезист |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU451978A1 true SU451978A1 (ru) | 1974-11-30 |
Family
ID=20544380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1889749A SU451978A1 (ru) | 1973-02-19 | 1973-02-19 | Позитивный фоторезист |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU451978A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0000702A1 (de) * | 1977-08-08 | 1979-02-21 | International Business Machines Corporation | Verfahren zur Herstellung einer fliessbeständigen Resistmaske aus strahlungsempfindlichem Resistmaterial |
-
1973
- 1973-02-19 SU SU1889749A patent/SU451978A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0000702A1 (de) * | 1977-08-08 | 1979-02-21 | International Business Machines Corporation | Verfahren zur Herstellung einer fliessbeständigen Resistmaske aus strahlungsempfindlichem Resistmaterial |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3603372C2 (de) | Positiv wirkendes lichtempfindliches Gemisch | |
US5494784A (en) | Method of pattern formation utilizing radiation-sensitive resin composition containing monooxymonocarboxylic acid ester solvent | |
DE865860C (de) | Lichtempfindliche Schichten fuer die photomechanische Reproduktion | |
US4963463A (en) | Radiation-sensitive resin composition with admixtures of O-quinone diazide and acid esters having nitrobenzyl or cyanobenzyl group | |
EP0443820B1 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
US5215857A (en) | 1,2-quinonediazide containing radiation-sensitive resin composition utilizing methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate or methyl 3-methoxypropionate as the solvent | |
JP2022009137A (ja) | レジスト組成物 | |
KR900702421A (ko) | 주형 용매로서 에틸 락테이트와 에틸 3-에톡시 프로피오네이트의 선택된 혼합물을 사용하는 포지티브 작용성 감광성 내식막 | |
JP3024695B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
US5238774A (en) | Radiation-sensitive composition containing 1,2-quinonediazide compound, alkali-soluble resin and monooxymonocarboxylic acid ester solvent | |
JPH0255359A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
SU451978A1 (ru) | Позитивный фоторезист | |
JP2569669B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP2536600B2 (ja) | ノボラック樹脂中の低核体の除去方法 | |
US5275909A (en) | Positive-working radiation sensitive mixtures and articles containing alkali-soluble binder, o-quinonediazide photoactive compound and BLANKOPHOR FBW acting dye | |
US4985333A (en) | Positive-working photosensitive composition with three difference 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters to include the ester of curcumin | |
JPH0816782B2 (ja) | 非化学増感アルカリ現像可能フォトレジストのコントラスト向上 | |
KR960001894A (ko) | 레지스트 패턴의 형성방법과 그 방법에 쓰이는 산성 수용성 재료 조성물 | |
JPH04211254A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JPH012034A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
ATE45228T1 (de) | Verfahren zur herstellung eines positiv arbeitenden photoresists. | |
JPH03158855A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
US5672459A (en) | Radiation sensitive resin composition containing quinone diazide ester having two hindered phenol groups | |
JP2811663B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JPH0664342B2 (ja) | ポジ型感光性組成物 |