SU445463A1 - Способ очистки и выращивани монокристаллов - Google Patents
Способ очистки и выращивани монокристалловInfo
- Publication number
- SU445463A1 SU445463A1 SU1711267A SU1711267A SU445463A1 SU 445463 A1 SU445463 A1 SU 445463A1 SU 1711267 A SU1711267 A SU 1711267A SU 1711267 A SU1711267 A SU 1711267A SU 445463 A1 SU445463 A1 SU 445463A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- container
- zone
- cleaning
- single crystals
- growing single
- Prior art date
Links
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Изобретение относитс к способу получени чистых веществ и монохфисталпов. Известен способ очистки и вьгоашивашш монокристаллов зонной плавкой во вращающемс нактюн ном контейнере, закж ающийс в том, что сначала чист т вещество в контейнере, а затем, вскрыв последний, к чистому концу вещест ва подвод т затравку и выраищвают монокристалл, ажрытие контейнера приводит к загр знений очищенного вещества. Поэтому многие довитые, легко гидфолизующиес и окислшмциес на воздухе вещества нельз получить по этолу. сгю- собу в виде монокристаллов. С целью возможности осуществлени заа;анного числа проходов зоны при плавке веществ с увеличивакщшс при плавлении объевюм по предлагаемол г способу мсхо дный материал загружают в опущенный койец наклонного контейнера в количестве, ооратно пропорпио-fj налъном требуемому числу проходрэ зоны. Верхний конец контейнера оста:етс незапо,лненным. После сообщени контейнеру вращени вокруг продольной ош осущесгал т ют зонную плавку при перемещении зоны сверздг вниз, в результате чего слиток перемещаетс в припо дн тую часть контеЙ1ера н после заданного числа проходов выращиваетс в виде моноьфисталла любым известным методом. Таким образом в одном и том же контейнере можно очистить и вырастить моноБфисталлы. сохран герметичность контейнера на прот жении всей работы с веществом . Щ)имер. В стекл шшй щлинд рический юнтейнер дааметром l2UHlt длиной 400 мм внос т OJEOBO марки OFT-000,Длина загрузка 200 ли. Контейнер закрепл ют ; в остановке. имеющей наклон к
с/
горизонзсу ito, и сообщшот ев зг вращетае со скоростью 300 об/шн. Зонную плавку начинают с приподн того конца загрузки. Слиток перемешаетс в направлении, противоположном движению нагревател , т.е.в приподн тую часть контейнера, конец шторою выполнен в виде конуса. После 15 проходов зоны со скоростью 6,8 ш/ час слиток олова достигает приподн того конца контейнера и кристаллизуетс в виде моно1фисталла .
ПРЕДУЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ч
Сшооб очистки li выращивани монокристаллов пилшцрической фэрилн зонной плавюй в наклоню установленном цилиндрическом -контейнере , вращаемом вохфуг продольной оси,о тличающвйе тем, что, с целью возможности осуществлени заданного числа проходов зоны при плавке веществ с увеличивающимс при плавлении объемом, исходный месгериал загружают в опр1енный конец контейнера в количестве, обратно пропорциональном требуеьюму числу проходов зоны, и перекристаллизовывают при перемещении зоны сверху вниз.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1711267A SU445463A1 (ru) | 1971-11-02 | 1971-11-02 | Способ очистки и выращивани монокристаллов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1711267A SU445463A1 (ru) | 1971-11-02 | 1971-11-02 | Способ очистки и выращивани монокристаллов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU445463A1 true SU445463A1 (ru) | 1974-10-05 |
Family
ID=20492028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1711267A SU445463A1 (ru) | 1971-11-02 | 1971-11-02 | Способ очистки и выращивани монокристаллов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU445463A1 (ru) |
-
1971
- 1971-11-02 SU SU1711267A patent/SU445463A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU445463A1 (ru) | Способ очистки и выращивани монокристаллов | |
KR830007435A (ko) | 단결정의 제조방법 | |
JPS5738398A (en) | Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal | |
JPS5692192A (en) | Method for growing semiconductor single crystal | |
SU693575A1 (ru) | Устройство дл разделени и очистки веществ | |
JPS5738397A (en) | Apparatus and method for growing crystal | |
RU904347C (ru) | Способ выращивани монокристаллов на основе сложных окислов и устройство дл его осуществлени | |
SU361148A1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОМАССЫ^Q?coto—^::.,,;|^,nta»W'^;:^^!:;;;'^-1.ьиь«*11:^:---' '^ | |
JP2881737B2 (ja) | 光学用単結晶の製造方法 | |
SU1189808A1 (ru) | СПОСОБ ОЧИСТКИ ОДНОЗАМЕЩЕННЫХ ФОСФАТОВ И АРСЕНАТОВ КАЛИЯ, РУБИДИЯ, ЦЕЗИЯ, ТАЛЛИЯ кристаллизацией | |
FR2316192A1 (fr) | Procede de purification de l'iodure mercurique en tant que matiere premiere utilisee pour la croissance de cristaux de haute qualite | |
JPS63303895A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 | |
JPS55126596A (en) | Production of single crystal | |
JPH09124390A (ja) | 単結晶成長装置 | |
JPS55140792A (en) | Manufacture of 3-5 group compound semiconductor single crystal | |
JPS6221790A (ja) | 結晶成長装置および方法 | |
JPS62158188A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JPS5560092A (en) | Production of single crystal | |
JPS5964587A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
SU594059A1 (ru) | Способ производства кварцевого стекла | |
JP3208603B2 (ja) | 単結晶の作製方法 | |
CS200784B1 (cs) | Zařízení na výrobu monokrystalu | |
JPS5562881A (en) | Production of multicomponent semiconductor crystal | |
JPS54141390A (en) | Purifying method for semiconductor crystal | |
JPS5945995A (ja) | 化合物半導体単結晶の引上方法およびその装置 |