SU445463A1 - Способ очистки и выращивани монокристаллов - Google Patents

Способ очистки и выращивани монокристаллов

Info

Publication number
SU445463A1
SU445463A1 SU1711267A SU1711267A SU445463A1 SU 445463 A1 SU445463 A1 SU 445463A1 SU 1711267 A SU1711267 A SU 1711267A SU 1711267 A SU1711267 A SU 1711267A SU 445463 A1 SU445463 A1 SU 445463A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
container
zone
cleaning
single crystals
growing single
Prior art date
Application number
SU1711267A
Other languages
English (en)
Inventor
Алексей Николаевич Киргинцев
Ида Ивановна Горбачева
Original Assignee
Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР filed Critical Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Priority to SU1711267A priority Critical patent/SU445463A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU445463A1 publication Critical patent/SU445463A1/ru

Links

Landscapes

  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

Изобретение относитс  к способу получени  чистых веществ и монохфисталпов. Известен способ очистки и вьгоашивашш монокристаллов зонной плавкой во вращающемс  нактюн ном контейнере, закж ающийс  в том, что сначала чист т вещество в контейнере, а затем, вскрыв последний, к чистому концу вещест ва подвод т затравку и выраищвают монокристалл, ажрытие контейнера приводит к загр знений очищенного вещества. Поэтому многие  довитые, легко гидфолизующиес  и окислшмциес  на воздухе вещества нельз  получить по этолу. сгю- собу в виде монокристаллов. С целью возможности осуществлени  заа;анного числа проходов зоны при плавке веществ с увеличивакщшс  при плавлении объевюм по предлагаемол г способу мсхо дный материал загружают в опущенный койец наклонного контейнера в количестве, ооратно пропорпио-fj налъном требуемому числу проходрэ зоны. Верхний конец контейнера оста:етс  незапо,лненным. После сообщени  контейнеру вращени  вокруг продольной ош осущесгал т ют зонную плавку при перемещении зоны сверздг вниз, в результате чего слиток перемещаетс  в припо дн тую часть контеЙ1ера н после заданного числа проходов выращиваетс  в виде моноьфисталла любым известным методом. Таким образом в одном и том же контейнере можно очистить и вырастить моноБфисталлы. сохран   герметичность контейнера на прот жении всей работы с веществом . Щ)имер. В стекл шшй щлинд рический юнтейнер дааметром l2UHlt длиной 400 мм внос т OJEOBO марки OFT-000,Длина загрузка 200 ли. Контейнер закрепл ют ; в остановке. имеющей наклон к
с/
горизонзсу ito, и сообщшот ев зг вращетае со скоростью 300 об/шн. Зонную плавку начинают с приподн того конца загрузки. Слиток перемешаетс  в направлении, противоположном движению нагревател , т.е.в приподн тую часть контейнера, конец шторою выполнен в виде конуса. После 15 проходов зоны со скоростью 6,8 ш/ час слиток олова достигает приподн того конца контейнера и кристаллизуетс  в виде моно1фисталла .
ПРЕДУЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ч
Сшооб очистки li выращивани  монокристаллов пилшцрической фэрилн зонной плавюй в наклоню установленном цилиндрическом -контейнере , вращаемом вохфуг продольной оси,о тличающвйе  тем, что, с целью возможности осуществлени  заданного числа проходов зоны при плавке веществ с увеличивающимс  при плавлении объемом, исходный месгериал загружают в опр1енный конец контейнера в количестве, обратно пропорциональном требуеьюму числу проходов зоны, и перекристаллизовывают при перемещении зоны сверху вниз.
SU1711267A 1971-11-02 1971-11-02 Способ очистки и выращивани монокристаллов SU445463A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1711267A SU445463A1 (ru) 1971-11-02 1971-11-02 Способ очистки и выращивани монокристаллов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1711267A SU445463A1 (ru) 1971-11-02 1971-11-02 Способ очистки и выращивани монокристаллов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU445463A1 true SU445463A1 (ru) 1974-10-05

Family

ID=20492028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1711267A SU445463A1 (ru) 1971-11-02 1971-11-02 Способ очистки и выращивани монокристаллов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU445463A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU445463A1 (ru) Способ очистки и выращивани монокристаллов
KR830007435A (ko) 단결정의 제조방법
JPS5738398A (en) Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal
JPS5692192A (en) Method for growing semiconductor single crystal
SU693575A1 (ru) Устройство дл разделени и очистки веществ
JPS5738397A (en) Apparatus and method for growing crystal
RU904347C (ru) Способ выращивани монокристаллов на основе сложных окислов и устройство дл его осуществлени
SU361148A1 (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОМАССЫ^Q?coto—^::.,,;|^,nta»W'^;:^^!:;;;'^-1.ьиь«*11:^:---' '^
JP2881737B2 (ja) 光学用単結晶の製造方法
SU1189808A1 (ru) СПОСОБ ОЧИСТКИ ОДНОЗАМЕЩЕННЫХ ФОСФАТОВ И АРСЕНАТОВ КАЛИЯ, РУБИДИЯ, ЦЕЗИЯ, ТАЛЛИЯ кристаллизацией
FR2316192A1 (fr) Procede de purification de l'iodure mercurique en tant que matiere premiere utilisee pour la croissance de cristaux de haute qualite
JPS63303895A (ja) タンタル酸リチウム単結晶の製造方法
JPS55126596A (en) Production of single crystal
JPH09124390A (ja) 単結晶成長装置
JPS55140792A (en) Manufacture of 3-5 group compound semiconductor single crystal
JPS6221790A (ja) 結晶成長装置および方法
JPS62158188A (ja) 単結晶の製造方法
JPS5560092A (en) Production of single crystal
JPS5964587A (ja) 単結晶の製造方法
SU594059A1 (ru) Способ производства кварцевого стекла
JP3208603B2 (ja) 単結晶の作製方法
CS200784B1 (cs) Zařízení na výrobu monokrystalu
JPS5562881A (en) Production of multicomponent semiconductor crystal
JPS54141390A (en) Purifying method for semiconductor crystal
JPS5945995A (ja) 化合物半導体単結晶の引上方法およびその装置