SU436033A1

SU436033A1 - GLASS FOR CHANNEL EMITTERS

Info

Publication number: SU436033A1
Application number: SU1848750A
Authority: SU
Original assignee: Л. А. Гречаник, В. И. Бабанина , Л. С. Суздалева
Priority date: 1972-11-22
Filing date: 1972-11-22
Publication date: 1974-07-15

Description

Изобретение относитс к составу стекол, используемых в электронике при изготовлении электронных умножителей каналового типа. Известно стекло со вторично-эмиссионным восстановленным слоем, включающее SiOg, PbO, BiaOs, NsLzO. Цель изобретени - обеспечение удельного электрического сопротивлени вторично-эмиссионного сло в диапазоне ом/см. Это достигаетс тем, что стекло дополнительно содержит AlgOs при следующем соотношении указанных компонентов, мол %: SiOz27-75 РЬО+В120з10-55 Al2O3+Na2O 2-30 Соотношение А120з:Ыа2О составл ет от до 1:2. Стекло вар т в сосудах из кварцевого стекла при температуре 1250-1450°С с выдержкой при максимальной температуре 2-3 часа. Отжиг стекла провод т при температуре 350-550°С, а его термообработку при температуре 340-460°С в течение 4 час в атмосфере водорода. При этом на поверхности стекла образуетс вторично-эмиссионный слой с удельным поверхностным электрическим сопротивлением ом/см. Восстановленный слой обладает высокой стабильностью электрических параметров Пример. Дл обеспечени удельного электрического сопротивлени /2-4/-10 ом/см вар т стекло состава, мол. %: SiO260 PbO18 BigOs2 АШз10 NazO10 и Na2O совместно ввод т в стекло. Затем изготовленные из этого стекла эмиттеры подвергают термообработке в атмосфере водорода при температуре 400°С в течение 4 часов. Электрическое сопротивление стекла при прогреве на воздухе при температуре 400°С в течение 1,5 час измен етс в 2 раза. Предмет изобретени Стекло дл каналовых эмиттеров со вторично-эмиссионным восстановленным слоем, включающее SiOa, РЬО, В12Оз, Na2O, отличающеес тем, что, с целью обеспечени удельного электрического сопротивлени вторично-эмиссионного сло в диапазоне 10 ом/см, оно дополнительно содержит АЬОз, при следующем соотношении указанных компонентов , мол. %: SiOz25-75 3 РЬО+В{2Оз10-55 А12Оз+На2О2-30, 4 причем соотношение А12Оз:Ма20-составл ет от 1:1 до 1:2.The invention relates to the composition of glasses used in electronics in the manufacture of electronic channel-type multipliers. Known glass with a secondary emission restored layer, including SiOg, PbO, BiaOs, NsLzO. The purpose of the invention is to provide electrical resistivity of the secondary emission layer in the ohm / cm range. This is achieved by the fact that the glass additionally contains AlgOs in the following ratio of the indicated components, mol%: SiOz27-75 PHO + B120310-55 Al2O3 + Na2O 2-30 The ratio of Al2 O3: Na2O is from 1: 2. The glass is var t in quartz glass vessels at a temperature of 1250-1450 ° C with exposure at a maximum temperature of 2-3 hours. Glass annealing is carried out at a temperature of 350-550 ° C, and its heat treatment at a temperature of 340-460 ° C for 4 hours in an atmosphere of hydrogen. In this case, a secondary emission layer with a specific surface resistance of ohms / cm is formed on the surface of the glass. The restored layer has a high stability of electrical parameters. Example. To provide a resistivity (2-4 / -10 ohm / cm), the glass of the composition is molded, mol. %: SiO260 PbO18 BigOs2 AShz10 NazO10 and Na2O are jointly introduced into the glass. Then, emitters made of this glass are heat treated in a hydrogen atmosphere at a temperature of 400 ° C for 4 hours. The electrical resistance of the glass when heated in air at a temperature of 400 ° C for 1.5 hours changes 2 times. The subject of the invention Glass for channel emitters with a secondary emission restored layer, including SiOa, PHO, B 12 O 3, Na 2 O, characterized in that, in order to provide a resistivity of the secondary emission layer in the range of 10 ohms / cm, it additionally contains AB O 3 at the following ratio of these components, mol. %: SiOz25-75 3 PbO + B {2Oz10-55 A12Oz + Na2O2-30, 4 and the ratio A12Oz: Ma20 is from 1: 1 to 1: 2.