SU430878A1 - METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTING - Google Patents

METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTING

Info

Publication number
SU430878A1
SU430878A1 SU1344402A SU1344402A SU430878A1 SU 430878 A1 SU430878 A1 SU 430878A1 SU 1344402 A SU1344402 A SU 1344402A SU 1344402 A SU1344402 A SU 1344402A SU 430878 A1 SU430878 A1 SU 430878A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
power
zone melting
bestigelum
regulating
zone
Prior art date
Application number
SU1344402A
Other languages
Russian (ru)
Original Assignee
В. М. Бындин, Г. С. Новиков , Д. Г. Ратников
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В. М. Бындин, Г. С. Новиков , Д. Г. Ратников filed Critical В. М. Бындин, Г. С. Новиков , Д. Г. Ратников
Priority to SU1344402A priority Critical patent/SU430878A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU430878A1 publication Critical patent/SU430878A1/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Изобретение относитс  к металлургии кремни  и других материалов, подвергаюпшхс  бестигельной зонной плавке.This invention relates to the metallurgy of silicon and other materials, subject to crucibleless zone melting.

Известны способы регулировани  мон;ности бестигельной зонной плавки путем регулировани  диаметра слитка.Methods are known for controlling the monolithiness of a crucibleless zone melting by adjusting the diameter of the ingot.

Дл  получени  монокристаллов с заданными структурными и электрофизическими свойствами необходимо в процессе бестигельной зонной плавки поддерживать не только заданное поперечное сечение зоны, но и ее определенную высоту, а также положение фронта кристаллизации.To obtain single crystals with given structural and electrophysical properties, it is necessary to maintain in the process of crucibleless zone melting not only a predetermined cross section of the zone, but also its definite height, as well as the position of the crystallization front.

Цель изобретени  - получение монокристаллов с улучшенными физическими свойствами - достигаетс  тем, что по предлагаемому способу стабилизируют положение фронта кристаллизации изменением мощности нагрева .The purpose of the invention — the production of single crystals with improved physical properties — is achieved by stabilizing the position of the crystallization front by varying the heating power of the proposed method.

При использовании функциональной зависимости между диаметром выращиваемого монокристалла и оптимальной высотой зоны можно автоматически измен ть мощность нагревател , оптимальную дл  выращиваемого в данный момент диаметра слитка. При этом все другие параметры плавки (изменившеес  напр жение сети, скорость прохода, рассто ние от конца слитка и т. п.) на высоту зоныWhen using the functional relationship between the diameter of the single crystal being grown and the optimal zone height, the power of the heater can be automatically changed, which is optimal for the ingot diameter currently being grown. At the same time, all other melting parameters (varied net voltage, passage speed, distance from the end of the ingot, etc.) to the height of the zone

22

вли ть не будут, зона будет оставатьс  оптимальной .there will be no influence, the zone will remain optimal.

На чертенке представлена схема регулировани , с помощью которой реализуетс  предлагаемый способ.The imp is a control scheme with which the proposed method is implemented.

Схема состоит из датчика 1, например фотоэлектрического или телевизионного, блока 2 задатчика, блока 3 сравнени , исполнительного устройства 4 и генератора 5.The circuit consists of a sensor 1, for example, a photoelectric or television, a control unit 2, a comparison unit 3, an actuator 4 and a generator 5.

Граница между зоной 6, созданной при помощи нагревател  (индуктора) 7, и твердой частью 8 (выход фронта кристаллизации на поверхность) наблюдаетс  при помощи датчика . В блоке сравнени  сигнал с датчикаThe boundary between zone 6 created using a heater (inductor) 7 and a solid part 8 (crystallization front surface) is monitored with a sensor. In the comparison block, the signal from the sensor

сравниваетс  с эталонным сигналом и подаетс  на исполнительное устройство 4, которое обеспечивает соотвегствующую регулировку генератора 5, измен ющую мощность нагревател .is compared with the reference signal and fed to the actuator 4, which provides the appropriate adjustment of the generator 5, which changes the power of the heater.

Предмет изобретени Subject invention

Способ регзлировани  мощности бестигельной зонной плавки путем регулировани  диаметра слитка, отличающийс  тем, что, с целью получени  монокристаллов с улучшенными физическими свойствами, стабилизируют положение- фронта кристаллизации изменением мощности нагрева.The method of reglating the power of the crucibleless zone melting by adjusting the diameter of the ingot, characterized in that, in order to obtain single crystals with improved physical properties, they stabilize the position of the crystallization front by varying the heating power.

SU1344402A 1969-07-14 1969-07-14 METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTING SU430878A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1344402A SU430878A1 (en) 1969-07-14 1969-07-14 METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTING

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1344402A SU430878A1 (en) 1969-07-14 1969-07-14 METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTING

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU430878A1 true SU430878A1 (en) 1974-06-05

Family

ID=20446426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1344402A SU430878A1 (en) 1969-07-14 1969-07-14 METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTING

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU430878A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960023272A (en) Method for producing silicon single crystal with fewer crystal defects
SU430878A1 (en) METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTING
NO20045319L (en) Apparatus for producing crystal rods with defined cross-section and polycrystalline structure by means of crucible continuous crystallization
SU466939A1 (en) The method of automatic control of the oscillation of the mold of the plant continuous casting of metals
SU548312A1 (en) Method of growing activated monocrystals
SU741901A1 (en) Method of regulating crystallization process
DD263310A1 (en) METHOD FOR SEMICONDUCTOR CRYSTAL CELLS OF ELECTRICALLY CONDUCTIVE MELTS
JPS5560092A (en) Production of single crystal
SU859490A1 (en) Method to control the process of growing single crystals from the melt
GB1458743A (en) Methods of producing steel ingots
FR2322635A1 (en) PROCESS FOR THE PRODUCTION OF HIGH PERFECTION CRYSTALS FROM A MASS OF MELTED SUBSTANCE FREE OF CONVECTION
SU416906A1 (en)
SU113806A1 (en) Method for automatic control of the process of growing single crystals from the melt
SU511294A1 (en) The method of automatic control of the temperature regime of the glass-melting bath furnace
SU137107A1 (en) Method for automatic control of the process of growing single crystals from the melt
SU648332A1 (en) Method of automatically controlling the operating duty of open-ended of continuous metal-casting plant
GB916385A (en) Improvements in or relating to methods of producing rods of semi-conductive material
SU519934A1 (en) Electroslag remelting method
SU421713A1 (en) METHOD OF AUTOMATIC CONTROL OF THE PROCESS OF GETTING STONE-ANGLE HIGH-MELTING SHOWER
SU370191A1 (en) ALL-UNION MD -? ' i- ^ ”f ^ * * '<-, T V g *? I "" '**. "' F 11A1SY! Ki-? 1L ,;". . ^ - iih.
GB1102389A (en) Process and apparatus for melting and solidifying refractory materials
SU249351A1 (en) Method of obtaining monocrystals
SU445462A1 (en) Crystal grower
GB1110146A (en) Apparatus for producing semiconductor crystals
SU791546A1 (en) Method of automatic control of film thickness in multicylinder asbestos-concrete machine