SU430878A1 - METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTING - Google Patents
METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTINGInfo
- Publication number
- SU430878A1 SU430878A1 SU1344402A SU1344402A SU430878A1 SU 430878 A1 SU430878 A1 SU 430878A1 SU 1344402 A SU1344402 A SU 1344402A SU 1344402 A SU1344402 A SU 1344402A SU 430878 A1 SU430878 A1 SU 430878A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- power
- zone melting
- bestigelum
- regulating
- zone
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Изобретение относитс к металлургии кремни и других материалов, подвергаюпшхс бестигельной зонной плавке.This invention relates to the metallurgy of silicon and other materials, subject to crucibleless zone melting.
Известны способы регулировани мон;ности бестигельной зонной плавки путем регулировани диаметра слитка.Methods are known for controlling the monolithiness of a crucibleless zone melting by adjusting the diameter of the ingot.
Дл получени монокристаллов с заданными структурными и электрофизическими свойствами необходимо в процессе бестигельной зонной плавки поддерживать не только заданное поперечное сечение зоны, но и ее определенную высоту, а также положение фронта кристаллизации.To obtain single crystals with given structural and electrophysical properties, it is necessary to maintain in the process of crucibleless zone melting not only a predetermined cross section of the zone, but also its definite height, as well as the position of the crystallization front.
Цель изобретени - получение монокристаллов с улучшенными физическими свойствами - достигаетс тем, что по предлагаемому способу стабилизируют положение фронта кристаллизации изменением мощности нагрева .The purpose of the invention — the production of single crystals with improved physical properties — is achieved by stabilizing the position of the crystallization front by varying the heating power of the proposed method.
При использовании функциональной зависимости между диаметром выращиваемого монокристалла и оптимальной высотой зоны можно автоматически измен ть мощность нагревател , оптимальную дл выращиваемого в данный момент диаметра слитка. При этом все другие параметры плавки (изменившеес напр жение сети, скорость прохода, рассто ние от конца слитка и т. п.) на высоту зоныWhen using the functional relationship between the diameter of the single crystal being grown and the optimal zone height, the power of the heater can be automatically changed, which is optimal for the ingot diameter currently being grown. At the same time, all other melting parameters (varied net voltage, passage speed, distance from the end of the ingot, etc.) to the height of the zone
22
вли ть не будут, зона будет оставатьс оптимальной .there will be no influence, the zone will remain optimal.
На чертенке представлена схема регулировани , с помощью которой реализуетс предлагаемый способ.The imp is a control scheme with which the proposed method is implemented.
Схема состоит из датчика 1, например фотоэлектрического или телевизионного, блока 2 задатчика, блока 3 сравнени , исполнительного устройства 4 и генератора 5.The circuit consists of a sensor 1, for example, a photoelectric or television, a control unit 2, a comparison unit 3, an actuator 4 and a generator 5.
Граница между зоной 6, созданной при помощи нагревател (индуктора) 7, и твердой частью 8 (выход фронта кристаллизации на поверхность) наблюдаетс при помощи датчика . В блоке сравнени сигнал с датчикаThe boundary between zone 6 created using a heater (inductor) 7 and a solid part 8 (crystallization front surface) is monitored with a sensor. In the comparison block, the signal from the sensor
сравниваетс с эталонным сигналом и подаетс на исполнительное устройство 4, которое обеспечивает соотвегствующую регулировку генератора 5, измен ющую мощность нагревател .is compared with the reference signal and fed to the actuator 4, which provides the appropriate adjustment of the generator 5, which changes the power of the heater.
Предмет изобретени Subject invention
Способ регзлировани мощности бестигельной зонной плавки путем регулировани диаметра слитка, отличающийс тем, что, с целью получени монокристаллов с улучшенными физическими свойствами, стабилизируют положение- фронта кристаллизации изменением мощности нагрева.The method of reglating the power of the crucibleless zone melting by adjusting the diameter of the ingot, characterized in that, in order to obtain single crystals with improved physical properties, they stabilize the position of the crystallization front by varying the heating power.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1344402A SU430878A1 (en) | 1969-07-14 | 1969-07-14 | METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTING |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1344402A SU430878A1 (en) | 1969-07-14 | 1969-07-14 | METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTING |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU430878A1 true SU430878A1 (en) | 1974-06-05 |
Family
ID=20446426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1344402A SU430878A1 (en) | 1969-07-14 | 1969-07-14 | METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTING |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU430878A1 (en) |
-
1969
- 1969-07-14 SU SU1344402A patent/SU430878A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960023272A (en) | Method for producing silicon single crystal with fewer crystal defects | |
SU430878A1 (en) | METHOD OF REGULATING THE POWER OF THE BESTIGELUM ZONE MELTING | |
NO20045319L (en) | Apparatus for producing crystal rods with defined cross-section and polycrystalline structure by means of crucible continuous crystallization | |
SU466939A1 (en) | The method of automatic control of the oscillation of the mold of the plant continuous casting of metals | |
SU548312A1 (en) | Method of growing activated monocrystals | |
SU741901A1 (en) | Method of regulating crystallization process | |
DD263310A1 (en) | METHOD FOR SEMICONDUCTOR CRYSTAL CELLS OF ELECTRICALLY CONDUCTIVE MELTS | |
JPS5560092A (en) | Production of single crystal | |
SU859490A1 (en) | Method to control the process of growing single crystals from the melt | |
GB1458743A (en) | Methods of producing steel ingots | |
FR2322635A1 (en) | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF HIGH PERFECTION CRYSTALS FROM A MASS OF MELTED SUBSTANCE FREE OF CONVECTION | |
SU416906A1 (en) | ||
SU113806A1 (en) | Method for automatic control of the process of growing single crystals from the melt | |
SU511294A1 (en) | The method of automatic control of the temperature regime of the glass-melting bath furnace | |
SU137107A1 (en) | Method for automatic control of the process of growing single crystals from the melt | |
SU648332A1 (en) | Method of automatically controlling the operating duty of open-ended of continuous metal-casting plant | |
GB916385A (en) | Improvements in or relating to methods of producing rods of semi-conductive material | |
SU519934A1 (en) | Electroslag remelting method | |
SU421713A1 (en) | METHOD OF AUTOMATIC CONTROL OF THE PROCESS OF GETTING STONE-ANGLE HIGH-MELTING SHOWER | |
SU370191A1 (en) | ALL-UNION MD -? ' i- ^ ”f ^ * * '<-, T V g *? I "" '**. "' F 11A1SY! Ki-? 1L ,;". . ^ - iih. | |
GB1102389A (en) | Process and apparatus for melting and solidifying refractory materials | |
SU249351A1 (en) | Method of obtaining monocrystals | |
SU445462A1 (en) | Crystal grower | |
GB1110146A (en) | Apparatus for producing semiconductor crystals | |
SU791546A1 (en) | Method of automatic control of film thickness in multicylinder asbestos-concrete machine |