SU548312A1

SU548312A1 - Method of growing activated monocrystals

Info

Publication number: SU548312A1
Application number: SU2097971A
Authority: SU
Inventors: Борис Григорьевич Заславский; Петр Емельянович Стадник; Юрий Федорович Рыбкин; Юрий Алексеевич Соломаха; Валентина Алексеевна Гавриш; Эдуард Васильевич Даниленко; Сергей Иванович Васецкий; Геннадий Иванович Ефимченко
Original assignee: Предприятие П/Я Р-6496
Priority date: 1975-01-17
Filing date: 1975-01-17
Publication date: 1977-02-28

Description

но 1,35. Столб расплава непрерывно увеличивают в течение всего процесса разраш,ивани непрерывной подпиткой расплава исходным сырьем, отношение площадей расплава и фронта кристаллизации поддерживают посто нным . При выт гивании кристалла со скоростью 4 мм/час уровень расплава понижаетс на 0,005 мм (чувствительность датчика) за 8 сек. Следовательно, точность измерени скорости роста кристалла и соответственно чувствительность управлени ею по изменению уровн расплава увеличиваетс по сравнению с прототипом в 90 раз.but 1.35. The melt column is continuously increased throughout the entire process, expanded by continuously feeding the melt with the raw material, the ratio of the melt areas and the crystallization front is kept constant. When the crystal is pulled out at a speed of 4 mm / hour, the melt level decreases by 0.005 mm (sensor sensitivity) in 8 seconds. Therefore, the accuracy of measuring the crystal growth rate and, accordingly, the sensitivity of controlling it by changing the level of the melt is increased by 90 times compared with the prototype.

Небольшой начальный объем расплава (9 мл), из которого выраш;ивают кристаллы, позвол ет добитьс равномерного распределени примесей по всему объему кристалла. Кроме того, выт гивание кристалла из небольшого объема расплава имеет преимущество в том, что позвол ет исключить большую инерционность при корректировке температуры расплава.A small initial volume of the melt (9 ml), from which crystals grow, makes it possible to achieve a uniform distribution of impurities throughout the volume of the crystal. In addition, pulling a crystal from a small volume of the melt has the advantage of eliminating large inertia when adjusting the temperature of the melt.

Чувствительность управлени разращиванием кристалла по диаметру (скорость роста ) в предлагаемом способе значительно увеличиваетс и остаетс стабильной на прот л ении всего выращивани . Это уменьи1ает веро тность зарождени блоков. Растущий кристалл на прот жении всего процесса выращивани практически закрывает зеркало расплава и рост по диаметру идет в зоне максимального градиента температуры (вблизи стенок тигл ). По вление «льдинок в процессе выращивани исключено, что также приводит к уменьшению блочности кристалла.The sensitivity of crystal growth control by diameter (growth rate) in the proposed method increases significantly and remains stable throughout the entire growth. This reduces the likelihood of block formation. A growing crystal during the whole growing process practically closes the melt mirror and its diameter increases in the zone of maximum temperature gradient (near the walls of the crucibles). The appearance of ice in the process of growing is excluded, which also leads to a decrease in the blockiness of the crystal.

Claims

Invention Formula

A method of growing single crystals to a predetermined diameter by pulling on a seed with melting the source material in a crucible and feeding it with the source material, characterized in that, in order to increase the uniformity of the distribution of materials by volume of the single crystal and the accuracy of controlling the process of growing, the source material is melted in a conical crucible and maintain the ratio of the surface areas of the melt and the crystallization front, equal to 1.1 to 1.4.