SU403226A1 - Способ получения монокристаллов с малой величиной остаточных напряжений - Google Patents

Description

1

Изобретение отиоситс  к способам получени  монокристаллов с малой величиной остаточных напр жений и может быть использовано при производстве монокристаллов , про вл ющих достаточную пластичность при температуре Гпор; 0,5 Т плавлени , например, щелочно-галоидных.

Известен способ получени  кристаллов с малой величиной остаточных напр жений путем выращивани , отжига, механической обработки и дополнительного отжига в изотермических услови х ири температуре близкой к Т плавлени .

Недостатки известного способа состо т в том, что дополнительный отжиг провод т в услови х высоких температур, близких к температуре плавлени , что усложн ет и удлин ет нроцесс.

С целью устранени  указанных недостатков дополнительную термообработку кристаллов с низкотемпературным пределом пластичности и изделий из них провод т при температуре от Гпор до Гпл- 100°С.

Предложенный способ в полтора раза сокращает врем  проведени  процесса, повыщает его надежность и упрощает услови  проведени  отжига.

Пример. Монокристальную булю из натри  хлористого диаметром 140 мм высотой 86 мм помещают в печь отжига. Температуру повыщают со скоростью 10°/час до 450°С. При этой температуре кристалл выдерживают 24 часа. Затем температуру снпжают до комнатной со скоростью 10°/час. ровень остаточных апр жений в буле 5,4 кг/см.

Предмет изобретени 

Способ получени  1МО1юкр11сталлов с малой величиной остаточных напр л ений дл  выращивани  кристаллов с низкотемпературным порогом пластичности (Тпор) путем выращивани , отжига, механической обработки и последующей дополнительной термообработки в изотермических услови х , отличающийс  тем, что, с целью уменьщени  длительности процесса, упрощени  его условий и повыщени  надежности , дополнптельи}чо термообработку провод т при температуре от Гдор до Гпл- 100°С.