SU132410A1 - Печь дл выращивани монокристаллов - Google Patents
Печь дл выращивани монокристалловInfo
- Publication number
- SU132410A1 SU132410A1 SU653286A SU653286A SU132410A1 SU 132410 A1 SU132410 A1 SU 132410A1 SU 653286 A SU653286 A SU 653286A SU 653286 A SU653286 A SU 653286A SU 132410 A1 SU132410 A1 SU 132410A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- single crystals
- oven
- growing single
- cork
- quartz
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Предлагаема печь дл выраишвани монокристаллов полупроводниковых интерметаллических соединений по методу Чохральского в сравнении с подобными печами Ричардса, Мооди и др. вл етс конструктивно более простой.
Герметизаци объема с летучим компонентом и регулирование давлени его паров осуществл ютс лри помощи полой кварцевой пробки, выполненной в виде усеченного конуса на штоке дл выращивани монокристаллов ,а также при помощи охлал даемой спиральной пружины .
На чертеже показана схема печи.
Кварцева пробка / притерта к муфте 2 кварцевого кожуха 5. Через пробку 1 пропущен свободно перемещающийс в ней кварцевый щток 4. Зазор между ним и цилиндрической частью пробки составл ет 5 мк. Проникновение сквозь зазор 2-3 мг/час летучего компонента компенсируетс из его запаса, наход щегос в «холодном конце 5 печи.
Разогрев тиг..гм5 осуществл ют при помощи ИНДУКЦИОННОЙ обмотки 7. В трубку 8, введенную через .холодный конец 5, вставлены термопары , замер ющие температуру расплава. Дл урав«овещивани внутреннего давлени паров летучей компоненты на пробку / применена охлаждаема пружина 9, сила давлени которой на 15-20% превыщает силу да-влени паров.
Дл наблюдени за поверхностью расплава, наход щегос в тигле 5, предусмотрено окно W, выдвинутое за пределы рабочего пространства во избежание загр знени .
Пагрев кожуха 3, трубки окна 10 и «холодного конца 5 осуществл ют при помощи обмоток электросопротивлени .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU653286A SU132410A1 (ru) | 1960-02-04 | 1960-02-04 | Печь дл выращивани монокристаллов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU653286A SU132410A1 (ru) | 1960-02-04 | 1960-02-04 | Печь дл выращивани монокристаллов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU132410A1 true SU132410A1 (ru) | 1960-11-30 |
Family
ID=48403445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU653286A SU132410A1 (ru) | 1960-02-04 | 1960-02-04 | Печь дл выращивани монокристаллов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU132410A1 (ru) |
-
1960
- 1960-02-04 SU SU653286A patent/SU132410A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB916390A (en) | Method of drawing a semi-conductor rod from a melt | |
| SU132410A1 (ru) | Печь дл выращивани монокристаллов | |
| GB939102A (en) | Improvements in and relating to the production of crystals, and apparatus for use therein | |
| US3242015A (en) | Apparatus and method for producing single crystal structures | |
| GB1059960A (en) | The production of semi-conductor rods | |
| GB1140656A (en) | Improvements in or relating to the manufacture of rod-shaped silicon monocrystals | |
| GB1031560A (en) | Improvements in or relating to the production of monocrystalline semiconductor material | |
| GB977003A (en) | Improvements in or relating to semi-conductor arrangements | |
| GB832248A (en) | Improvements in or relating to methods of treating single crystal silicon bodies | |
| GB930432A (en) | Improvements in or relating to methods of making bodies of semi-conductor material | |
| GB903412A (en) | Improvements in devices for use in crystal-pulling apparatus | |
| SU405820A1 (ru) | ||
| GB1049356A (en) | Method of preparing gallium arsenide | |
| GB962166A (en) | Improvements in or relating to methods of treating solid materials | |
| SU132614A1 (ru) | Устройство дл ускоренного выращивани кристаллов из расплава | |
| SU403226A1 (ru) | Способ получения монокристаллов с малой величиной остаточных напряжений | |
| GB823164A (en) | Improvements in or relating to optical pyrometers | |
| SU146533A1 (ru) | Универсальный термодатчик дл контрол температуры расплавов | |
| GB984700A (en) | Method of producing dendrite crystals | |
| SU116849A1 (ru) | Способ получени чистого кремни и устройство дл его осуществлени | |
| SU493658A1 (ru) | Термопара | |
| GB843266A (en) | Improvements relating to pí¬n junction semi-conductor devices and to methods and apparatus for their manufacture | |
| GB1057543A (en) | Method of growing lithium ferrite | |
| Gray | New methods for displacement measurements and temperature uniformity applied to the determination of linear expansivity | |
| GB824341A (en) | Improvements in and relating to the manufacture of crystals |