SU147576A1 - Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра - Google Patents
Способ получени монокристаллических дисков большого диаметраInfo
- Publication number
- SU147576A1 SU147576A1 SU736971A SU736971A SU147576A1 SU 147576 A1 SU147576 A1 SU 147576A1 SU 736971 A SU736971 A SU 736971A SU 736971 A SU736971 A SU 736971A SU 147576 A1 SU147576 A1 SU 147576A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystal
- large diameter
- melt
- obtaining single
- seed
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Известны способы получени мококристаллических дисков большого диаметра. Однако технологи при этом требует громоздкой аппаратуры , больших мощностей нагрева и дополнительных механических операций. В .процессе резки имеютс значительные потери материала.
Предлагаемый способ отличаетс тем, что получение каждого из монокристаллических дисков производитс непосредственно выращиванием его из расплава с помощью цилиндрической затравки заданной толщины, закрепленной в горизонтально расположенном держателе, непрерывно поворачивающемс вокруг своей оси в процессе роста монокристалла за счет непрерывного опускани тигл с расплавом со скоростью роста.
Способ повьипает экономичность, упроща технологию процесса, а также улучшает качество дисков за счет снижени величин остаточных напр жений.
При осуществлении способа устанавливают на подвижной подставке тигель с кристаллизуемым веществом в двухсекционную электрическую печь (одна секци служит дл плавлени вещества и поддержани заданной температуры в зоне кристаллизации, друга -дл поддержани температуры в зоне выращиваемого кристалла). Затравку в виде диска или цилиндра заданной толщины закрепл ют в кристаллодержателе . После того, как вещество в тигле расплавитс , а затравка примет соответствующую температуру, включают механизм вращени кристаллодержател с затравкой.
С помощью подъемного механизма тигель подвод т к затравке до соприкосновени ее с расплавом. Во избежание образовани двойников затравку оплавл ют перед началом кристаллизации. Дл этого темпе ратуру расплава поддерживают выше температуры плавлени кристаллизуемого вещества на- 100° (дл щелочногалоидных) и на 15° дл
147576-2органических кристаллов (типа толана, нафталина и др-)- После оплавлени затравки температуру в зоне кристаллизации снижают (дл шелочногалоидных кристаллов температуру устанавливают на выше температуры плавлени , а дл органических - на 5-8°). По мере роста кристалла с помощью подъемного механизма автоматически поддерживают касание растущего кристалла с поверхностью расплава. ПО достижении необходимого диаметра кристалла тигель с оставшимс расплавом опускают, а готовый кристалл перенос т в печь дл отжига.
Предмет изобретени
Способ получени монокристаллических дисков большого, диаметра , отличающийс тем, что, с целью повышени экономичности и упрощени технологии процесса, а также улучшени качества дисков за счет снижени величин остаточных напр жений, получение каждого из монокристаллических дисков производитс непосредственным выращиванием его из расплава с помощью цилиндрической затравки заданной толщины, закрепленной в горизонтально расположенном держателе, непрерывно поворачивающемс вокруг своей оси в процессе роста монокристалла за счет непрерывного опускани тнгл с расплавом со скоростью роста.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU736971A SU147576A1 (ru) | 1961-07-03 | 1961-07-03 | Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU736971A SU147576A1 (ru) | 1961-07-03 | 1961-07-03 | Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU147576A1 true SU147576A1 (ru) | 1961-11-30 |
Family
ID=48302923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU736971A SU147576A1 (ru) | 1961-07-03 | 1961-07-03 | Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU147576A1 (ru) |
-
1961
- 1961-07-03 SU SU736971A patent/SU147576A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4203951A (en) | Apparatus for growing single crystals from melt with additional feeding of comminuted charge | |
GB706849A (en) | Methods and apparatus for producing germanium crystals | |
US4650540A (en) | Methods and apparatus for producing coherent or monolithic elements | |
SU147576A1 (ru) | Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра | |
US4784715A (en) | Methods and apparatus for producing coherent or monolithic elements | |
US2984626A (en) | Production of metal halide ingots | |
Fullmer et al. | Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5 | |
US3360405A (en) | Apparatus and method of producing semiconductor rods by pulling the same from a melt | |
US3242015A (en) | Apparatus and method for producing single crystal structures | |
JPS6046073B2 (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
JPH0367994B2 (ru) | ||
US3607109A (en) | Method and means of producing a large diameter single-crystal rod from a polycrystal bar | |
JPS5939794A (ja) | 単結晶製造方法およびその装置 | |
US2766105A (en) | Method of growing nepheline crystals | |
RU2261295C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов германия | |
JPH0310593B2 (ru) | ||
SU249351A1 (ru) | Способ получени монокристаллов | |
JPS5912632B2 (ja) | タンケツシヨウノヒキアゲソウチ | |
JP2959097B2 (ja) | 単結晶の育成方法 | |
JPH0143405Y2 (ru) | ||
SU296396A1 (ru) | Способ получени монокристаллов калий-иттриевого молибдата | |
RU2560402C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов из расплава | |
JPH02124792A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
JPS6385082A (ja) | 単結晶の成長方法および成長装置 | |
JPH06293599A (ja) | ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法およびその製造装置 |