SU147576A1 - Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра - Google Patents

Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра

Info

Publication number
SU147576A1
SU147576A1 SU736971A SU736971A SU147576A1 SU 147576 A1 SU147576 A1 SU 147576A1 SU 736971 A SU736971 A SU 736971A SU 736971 A SU736971 A SU 736971A SU 147576 A1 SU147576 A1 SU 147576A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
crystal
large diameter
melt
obtaining single
seed
Prior art date
Application number
SU736971A
Other languages
English (en)
Inventor
Х.С. Багдасаров
Л.М. Беляев
ев Л.М. Бел
Г.Ф. Добржанский
Original Assignee
Х.С. Багдасаров
ев Л.М. Бел
Г.Ф. Добржанский
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Х.С. Багдасаров, ев Л.М. Бел, Г.Ф. Добржанский filed Critical Х.С. Багдасаров
Priority to SU736971A priority Critical patent/SU147576A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU147576A1 publication Critical patent/SU147576A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Известны способы получени  мококристаллических дисков большого диаметра. Однако технологи  при этом требует громоздкой аппаратуры , больших мощностей нагрева и дополнительных механических операций. В .процессе резки имеютс  значительные потери материала.
Предлагаемый способ отличаетс  тем, что получение каждого из монокристаллических дисков производитс  непосредственно выращиванием его из расплава с помощью цилиндрической затравки заданной толщины, закрепленной в горизонтально расположенном держателе, непрерывно поворачивающемс  вокруг своей оси в процессе роста монокристалла за счет непрерывного опускани  тигл  с расплавом со скоростью роста.
Способ повьипает экономичность, упроща  технологию процесса, а также улучшает качество дисков за счет снижени  величин остаточных напр жений.
При осуществлении способа устанавливают на подвижной подставке тигель с кристаллизуемым веществом в двухсекционную электрическую печь (одна секци  служит дл  плавлени  вещества и поддержани  заданной температуры в зоне кристаллизации, друга -дл  поддержани  температуры в зоне выращиваемого кристалла). Затравку в виде диска или цилиндра заданной толщины закрепл ют в кристаллодержателе . После того, как вещество в тигле расплавитс , а затравка примет соответствующую температуру, включают механизм вращени  кристаллодержател  с затравкой.
С помощью подъемного механизма тигель подвод т к затравке до соприкосновени  ее с расплавом. Во избежание образовани  двойников затравку оплавл ют перед началом кристаллизации. Дл  этого темпе ратуру расплава поддерживают выше температуры плавлени  кристаллизуемого вещества на- 100° (дл  щелочногалоидных) и на 15° дл 
147576-2органических кристаллов (типа толана, нафталина и др-)- После оплавлени  затравки температуру в зоне кристаллизации снижают (дл  шелочногалоидных кристаллов температуру устанавливают на выше температуры плавлени , а дл  органических - на 5-8°). По мере роста кристалла с помощью подъемного механизма автоматически поддерживают касание растущего кристалла с поверхностью расплава. ПО достижении необходимого диаметра кристалла тигель с оставшимс  расплавом опускают, а готовый кристалл перенос т в печь дл  отжига.
Предмет изобретени 
Способ получени  монокристаллических дисков большого, диаметра , отличающийс  тем, что, с целью повышени  экономичности и упрощени  технологии процесса, а также улучшени  качества дисков за счет снижени  величин остаточных напр жений, получение каждого из монокристаллических дисков производитс  непосредственным выращиванием его из расплава с помощью цилиндрической затравки заданной толщины, закрепленной в горизонтально расположенном держателе, непрерывно поворачивающемс  вокруг своей оси в процессе роста монокристалла за счет непрерывного опускани  тнгл  с расплавом со скоростью роста.
SU736971A 1961-07-03 1961-07-03 Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра SU147576A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU736971A SU147576A1 (ru) 1961-07-03 1961-07-03 Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU736971A SU147576A1 (ru) 1961-07-03 1961-07-03 Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU147576A1 true SU147576A1 (ru) 1961-11-30

Family

ID=48302923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU736971A SU147576A1 (ru) 1961-07-03 1961-07-03 Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU147576A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4203951A (en) Apparatus for growing single crystals from melt with additional feeding of comminuted charge
GB706849A (en) Methods and apparatus for producing germanium crystals
US4650540A (en) Methods and apparatus for producing coherent or monolithic elements
SU147576A1 (ru) Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра
US4784715A (en) Methods and apparatus for producing coherent or monolithic elements
US2984626A (en) Production of metal halide ingots
Fullmer et al. Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5
US3360405A (en) Apparatus and method of producing semiconductor rods by pulling the same from a melt
US3242015A (en) Apparatus and method for producing single crystal structures
JPS6046073B2 (ja) 半導体単結晶の製造方法
JPH0367994B2 (ru)
US3607109A (en) Method and means of producing a large diameter single-crystal rod from a polycrystal bar
JPS5939794A (ja) 単結晶製造方法およびその装置
US2766105A (en) Method of growing nepheline crystals
RU2261295C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов германия
JPH0310593B2 (ru)
SU249351A1 (ru) Способ получени монокристаллов
JPS5912632B2 (ja) タンケツシヨウノヒキアゲソウチ
JP2959097B2 (ja) 単結晶の育成方法
JPH0143405Y2 (ru)
SU296396A1 (ru) Способ получени монокристаллов калий-иттриевого молибдата
RU2560402C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов из расплава
JPH02124792A (ja) 単結晶の育成方法
JPS6385082A (ja) 単結晶の成長方法および成長装置
JPH06293599A (ja) ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法およびその製造装置