SU120330A1 - Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди - Google Patents

Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди

Info

Publication number
SU120330A1
SU120330A1 SU606586A SU606586A SU120330A1 SU 120330 A1 SU120330 A1 SU 120330A1 SU 606586 A SU606586 A SU 606586A SU 606586 A SU606586 A SU 606586A SU 120330 A1 SU120330 A1 SU 120330A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
indium
annealing
solid solutions
selenide
arsenide
Prior art date
Application number
SU606586A
Other languages
English (en)
Inventor
Н.А. Горюнова
В.И. Дерябина
бина В.И. Дер
С.И. Радауцан
Original Assignee
Н.А. Горюнова
В.И. Дерябина
бина В.И. Дер
С.И. Радауцан
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Н.А. Горюнова, В.И. Дерябина, бина В.И. Дер, С.И. Радауцан filed Critical Н.А. Горюнова
Priority to SU606586A priority Critical patent/SU120330A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU120330A1 publication Critical patent/SU120330A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Получение р да сложных полупроводниковых материалов сопр жено с процессом гомогенизации в твердом состо нии, поскольку при охлаждении сплава возможна кристаллизаци  твердой фазы, отличающейс  от состава расплава. Подобные сложные соединени  обладают р дом ценных свойств, благодар  которым они в ближайшем будущем могут найти щирокую область применени .
Известные в насто щее врем  методы гомогенизации - отжиг в вакууме и зонна  плавка - имеют некоторые недостатки. Отжиг в вакууме длитс  продолжительное врем  (1500-2000 час.), причем хорощие результаты получаютс , когда вещество растерто в порощок. Зонна  плавка приводит к некоторому изменению состава вещества вдоль получаемого слитка.
Разработан новый способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди  - селенид инди  InAs - 1п23ез методом диффузионного отжига, при котором, с целью сокран1ени  продолжительности отжига , его осуществл ют в атмосфере инертных газов или водорода под давлением, например, 200-800 кг/см и при темпера.туре 450-700°.
Новый метод был применен на твердых полупроводниковых растворах , которые позвол ют варьировать свойства вещества в щироком интервале между свойствами исходных компонентов, в зависимости от концентрации сплавов.
Пример. В качестве объекта исследовани  была избрана система IriAs - 1п23ез, твердые растворы в которой были недавно открыты в области концентрации от InAs до 21nAs .
Синтез сплавов указанной системы провод т одним из известных способов в кварцевых стаканчиках, помещенных в кварцевые ампулы. Ампулы эвакуируют до 10 мм рт. ст., затем заполн ют аргоном и запаивают . Синтез ведут в электропечах сопротивлени  при 1000-1050° с
№ 120330
выдержкой один-два часа при этой температуре. После сиптеза получают слитки с  вно выраженной дендритной кристаллизацией. Дл  получени  однородных сплавов добиваютс  рассасывани  дендритов. Дл  этих целей отжиг в вакууме оказалс  недостаточно эффективным, так как требовал очень длительной термической обработки.
Дл  гомогенизации образцов была использована установка по отжигу под давлением Ленинградского института по переработке нефти. Схема и работа установки описана в работе Н. Н. Колгатина, Л. А. Гликмана и В. П. Теодоровича (Заводска  лаб., № 9, 1098, 1957 г.).
Образцы помещают в маленькие кварцевые стаканчики, зав занные сверху металлической сеткой, либо в запа нные кварцевые ампулы с просверленными отверсти ми дл  доступа газа. Ампулы и стаканчики помещают в стальную трубу, которую подсоедин ют к нагнетательной установке газа под давлением. Стальную трубу вставл ют в электрическую печь сопротивлени  с максимальной температурой 600-700°. Максимальное давление рабочего газа составл ет 800-820 кг/см.
Был проведен отжиг всех образцов изучаемой системы InAs - 1п23ез при различных температурах и давлени х в атмосфере водорода. Длительность отжига под давлением измен ли от 68 до 270 час. Отожженные образцы исследовали рентгеноструктурным и микроструктурным методами, а также измер ли на приборе ПТМ-3 их микротвердость .
Фотографии микрошлифов с цепочками отпечатков алмазных пирамид , показывающих изменение микротвердости вдоль сощлифованной поверхности сплава ЗГпАз 1п25ез до и после отжига под давлением 300 кг/см в течение 68 час. при 450° показывают следующее: до отжига хорощо заметны дендриты в виде серых участков, обладающих малым значением микротвердости и после отжига дендриты отсутствуют, что говорит об их рассасывании в результате отжига под давлением.
Значение микротвердости вдоль цепочки выравн лось и повысилась ее абсолютна  величина. На месте бывщих дендритов заметны трещины , что вместе с повышением микротвердости может свидетельствовать об увеличении плотности вещества в результате гомогенизации Проведенный при аналогичных услови х (длительность и температура) отжиг в вакууме не привел к полному исчезновению дендритов.
Предмет изобретени 
Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди  - селенид инди  (InAs - 1п28ез) методом диффузионного отжига, отличающийс  тем, что, с целью сокращени  продолжительности отжига, его осуществл ют в атмосфере инертных газов или водорода под давлением , например, в 200-800 KBJCM и при температуре 450-700°.
SU606586A 1958-08-25 1958-08-25 Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди SU120330A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU606586A SU120330A1 (ru) 1958-08-25 1958-08-25 Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU606586A SU120330A1 (ru) 1958-08-25 1958-08-25 Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU120330A1 true SU120330A1 (ru) 1958-11-30

Family

ID=48392218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU606586A SU120330A1 (ru) 1958-08-25 1958-08-25 Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU120330A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Boyd et al. Effect of pressure on the melting of diopside, CaMgSi2O6, and albite, NaAlSi3O8, in the range up to 50 kilobars
Ardell et al. The steady-state creep of polycrystalline alpha zirconium at elevated temperatures
Benz et al. Some Phase Equilibria in the Uranium-Nitrogen System1
Fischer Techniques for Melt‐Growth of Luminescent Semiconductor Crystals under Pressure
Mazieres Micro and Semimicro Differential Thermal Analysis (μ. DTA).
Benz et al. Some phase equilibria in the thorium-nitrogen system
SU120330A1 (ru) Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди
Giess et al. Tungsten Bronze Field and Melt Growth of Crystals in the Na2O‐BaO‐Nb2O5 System
Parker et al. Determination of the liquidus-solidus curves for the system PbTe-GeTe
Scattbrgood et al. The relation of short-range order to the deformation behaviour of copper-rich copper-aluminium alloys
Vere et al. Growth of CdxHg1-xTe by a pressurised cast-recrystallise-anneal technique
Mason et al. Phase relations and crystallographic data for the Pr-Zn system
GB1316406A (en) Method of producing homogeneous ingots of metallic alloy
Arsenault et al. Incubation creep effect in alpha iron
Breidt et al. Some effects of environment on fracture stress of germanium
Jones et al. The structure of high-purity copper ingots nucleated at large undercoolings
Kneip et al. Floating zone purification of zirconium
Sagues et al. Internal friction in lead doped with noble metals
JPH0235720B2 (ru)
Waber et al. The logarithmic growth law for the oxidation of titanium
Olds Mechanisms of creep in a precipitation hardened alloy
Tsai et al. A Theoretical Estimate of Solution‐Precipitation Creep in MgO‐Fluxed Si3N4
Gordon et al. The alloy systems uranium-aluminum and uranium-iron
SU458605A1 (ru) Способ получени полупроводниковых эмиттерных сплавов
Kuvaeva et al. Clarification of data on phase states in the Zn-Te-O system