SU120330A1 - Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди - Google Patents
Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид индиInfo
- Publication number
- SU120330A1 SU120330A1 SU606586A SU606586A SU120330A1 SU 120330 A1 SU120330 A1 SU 120330A1 SU 606586 A SU606586 A SU 606586A SU 606586 A SU606586 A SU 606586A SU 120330 A1 SU120330 A1 SU 120330A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- indium
- annealing
- solid solutions
- selenide
- arsenide
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Получение р да сложных полупроводниковых материалов сопр жено с процессом гомогенизации в твердом состо нии, поскольку при охлаждении сплава возможна кристаллизаци твердой фазы, отличающейс от состава расплава. Подобные сложные соединени обладают р дом ценных свойств, благодар которым они в ближайшем будущем могут найти щирокую область применени .
Известные в насто щее врем методы гомогенизации - отжиг в вакууме и зонна плавка - имеют некоторые недостатки. Отжиг в вакууме длитс продолжительное врем (1500-2000 час.), причем хорощие результаты получаютс , когда вещество растерто в порощок. Зонна плавка приводит к некоторому изменению состава вещества вдоль получаемого слитка.
Разработан новый способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди InAs - 1п23ез методом диффузионного отжига, при котором, с целью сокран1ени продолжительности отжига , его осуществл ют в атмосфере инертных газов или водорода под давлением, например, 200-800 кг/см и при темпера.туре 450-700°.
Новый метод был применен на твердых полупроводниковых растворах , которые позвол ют варьировать свойства вещества в щироком интервале между свойствами исходных компонентов, в зависимости от концентрации сплавов.
Пример. В качестве объекта исследовани была избрана система IriAs - 1п23ез, твердые растворы в которой были недавно открыты в области концентрации от InAs до 21nAs .
Синтез сплавов указанной системы провод т одним из известных способов в кварцевых стаканчиках, помещенных в кварцевые ампулы. Ампулы эвакуируют до 10 мм рт. ст., затем заполн ют аргоном и запаивают . Синтез ведут в электропечах сопротивлени при 1000-1050° с
№ 120330
выдержкой один-два часа при этой температуре. После сиптеза получают слитки с вно выраженной дендритной кристаллизацией. Дл получени однородных сплавов добиваютс рассасывани дендритов. Дл этих целей отжиг в вакууме оказалс недостаточно эффективным, так как требовал очень длительной термической обработки.
Дл гомогенизации образцов была использована установка по отжигу под давлением Ленинградского института по переработке нефти. Схема и работа установки описана в работе Н. Н. Колгатина, Л. А. Гликмана и В. П. Теодоровича (Заводска лаб., № 9, 1098, 1957 г.).
Образцы помещают в маленькие кварцевые стаканчики, зав занные сверху металлической сеткой, либо в запа нные кварцевые ампулы с просверленными отверсти ми дл доступа газа. Ампулы и стаканчики помещают в стальную трубу, которую подсоедин ют к нагнетательной установке газа под давлением. Стальную трубу вставл ют в электрическую печь сопротивлени с максимальной температурой 600-700°. Максимальное давление рабочего газа составл ет 800-820 кг/см.
Был проведен отжиг всех образцов изучаемой системы InAs - 1п23ез при различных температурах и давлени х в атмосфере водорода. Длительность отжига под давлением измен ли от 68 до 270 час. Отожженные образцы исследовали рентгеноструктурным и микроструктурным методами, а также измер ли на приборе ПТМ-3 их микротвердость .
Фотографии микрошлифов с цепочками отпечатков алмазных пирамид , показывающих изменение микротвердости вдоль сощлифованной поверхности сплава ЗГпАз 1п25ез до и после отжига под давлением 300 кг/см в течение 68 час. при 450° показывают следующее: до отжига хорощо заметны дендриты в виде серых участков, обладающих малым значением микротвердости и после отжига дендриты отсутствуют, что говорит об их рассасывании в результате отжига под давлением.
Значение микротвердости вдоль цепочки выравн лось и повысилась ее абсолютна величина. На месте бывщих дендритов заметны трещины , что вместе с повышением микротвердости может свидетельствовать об увеличении плотности вещества в результате гомогенизации Проведенный при аналогичных услови х (длительность и температура) отжиг в вакууме не привел к полному исчезновению дендритов.
Предмет изобретени
Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди (InAs - 1п28ез) методом диффузионного отжига, отличающийс тем, что, с целью сокращени продолжительности отжига, его осуществл ют в атмосфере инертных газов или водорода под давлением , например, в 200-800 KBJCM и при температуре 450-700°.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU606586A SU120330A1 (ru) | 1958-08-25 | 1958-08-25 | Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU606586A SU120330A1 (ru) | 1958-08-25 | 1958-08-25 | Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU120330A1 true SU120330A1 (ru) | 1958-11-30 |
Family
ID=48392218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU606586A SU120330A1 (ru) | 1958-08-25 | 1958-08-25 | Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU120330A1 (ru) |
-
1958
- 1958-08-25 SU SU606586A patent/SU120330A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Boyd et al. | Effect of pressure on the melting of diopside, CaMgSi2O6, and albite, NaAlSi3O8, in the range up to 50 kilobars | |
| Ardell et al. | The steady-state creep of polycrystalline alpha zirconium at elevated temperatures | |
| Benz et al. | Some Phase Equilibria in the Uranium-Nitrogen System1 | |
| Fischer | Techniques for Melt‐Growth of Luminescent Semiconductor Crystals under Pressure | |
| Mazieres | Micro and Semimicro Differential Thermal Analysis (μ. DTA). | |
| Benz et al. | Some phase equilibria in the thorium-nitrogen system | |
| SU120330A1 (ru) | Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид инди - селенид инди | |
| Giess et al. | Tungsten Bronze Field and Melt Growth of Crystals in the Na2O‐BaO‐Nb2O5 System | |
| Parker et al. | Determination of the liquidus-solidus curves for the system PbTe-GeTe | |
| Scattbrgood et al. | The relation of short-range order to the deformation behaviour of copper-rich copper-aluminium alloys | |
| Vere et al. | Growth of CdxHg1-xTe by a pressurised cast-recrystallise-anneal technique | |
| Mason et al. | Phase relations and crystallographic data for the Pr-Zn system | |
| GB1316406A (en) | Method of producing homogeneous ingots of metallic alloy | |
| Arsenault et al. | Incubation creep effect in alpha iron | |
| Breidt et al. | Some effects of environment on fracture stress of germanium | |
| Jones et al. | The structure of high-purity copper ingots nucleated at large undercoolings | |
| Kneip et al. | Floating zone purification of zirconium | |
| Sagues et al. | Internal friction in lead doped with noble metals | |
| JPH0235720B2 (ru) | ||
| Waber et al. | The logarithmic growth law for the oxidation of titanium | |
| Olds | Mechanisms of creep in a precipitation hardened alloy | |
| Tsai et al. | A Theoretical Estimate of Solution‐Precipitation Creep in MgO‐Fluxed Si3N4 | |
| Gordon et al. | The alloy systems uranium-aluminum and uranium-iron | |
| SU458605A1 (ru) | Способ получени полупроводниковых эмиттерных сплавов | |
| Kuvaeva et al. | Clarification of data on phase states in the Zn-Te-O system |