SU1698919A1 - Полевой полупроводниковый прибор - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к полупроводниковой электронике и может быть использовано в усилител х и генераторах несинусоидальной формы. Цель изобретени  повышение параметрической надежности полевого транзистора с управл кщкм р-п-первходом. Расположение дополнительного р-п-перехода на определенном рассто нии от истока позвол ет за счет генерации гор чих электронов при обратном напр жении на этом переходе увеличить ток стока без увеличени  напр жени  на электродах сгока и затвора. 1 ил.

Description

Изобретение относитс  к области полупроводниковой электроники и может быть использовано в усилител х и генераторах сигналов несинусоидальной (Ьормы.

Целью изобретени   вл етс  повышение параметрической надежности.

На чертеже приведена структура полевого прибора, разрез.

На подложке 1 р-типа проводимости толщиной 450-500 мкм расположен р эпитаксиальный слой 2 толщиной 7- 12 мкм, в котором расположена диффузионна  область 3 канала n-типа проводимости толщичой 1,0-1,2 мкм с поверхностным сопротивлением 200 - 2500 Ом на квадрат. В канале расположена область 4 и 5 истока, область стока и первый управл ющий р-п-пере- ход затвора 6. Вне области канала

расположен второй управгчющий р-п-пе- р еход 7.

Второй управл кл1 ;т р-п череход 7 расположен на расетод пш от области истока 4, превышающем ширину области пространственного зар да управл ющего p-n-перехода, во избежание ее короткого замыкани  с областью истока и невозможности получени  режима лавинного пробо .

Полупроводниковый полевой прибор работает следующем образом.

Области i и 5 к 6 подключаютс  к электронной схеме Сне пока а- на) в соответствии с функциональным назначением прибора, а к т,ополнитель- жму р-п-перйхоцу 7 подключают источник пробивного напр женир, с помощью которого управп ют мавинного пробо . Изменением тока „  ьичного

о со оо

CD

пробо  p-n-пейвхода 7 достигаетс  управление током канала полевого прибора без изменени  задающих режим напр жений на истоке, стоке и затворе . Наличие тока пробо  влечет за собой генерацию гор чих электронов, которые, распростран  сь по области 3, станов тс  компонентой тока стока прибора.

Гор чие электроны, испытыва  при своем движении сопротивление, меньшее чем холодные электроны, обусловливают эффект увеличени  тока стока. Таким образом, может быть скомпенсировано ухудшение дополнительных свойств полевого прибора при дестабилизирующих воздействи х и повышена параметрическа  надежность.

Полевой полупроводниковый прибор может быть изготовлен по данной планарно-эпитаксиальной технологии.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Полевой полупроводниковый прибор, содержащий размещенные в области канала области истока, стока и управл ющие p-n-перёходы, отличающийс  тем, что, с целью повышени  параметрической надежности, один из управл ющих p-n-переходов размещен

   вне области канала на рассто нии

   от области истока, превышающем ширину области пространственного зар да, управл ющего р-п-перехода,

   J 4 В 5

   .-T. . A-r.

   Р п- r/Tj

   1

   гп

   п

   Р+

   . A

   Р п-

   гп