SU1651372A1 - Транзисторно-транзисторный инвертор - Google Patents
Транзисторно-транзисторный инвертор Download PDFInfo
- Publication number
- SU1651372A1 SU1651372A1 SU894696297A SU4696297A SU1651372A1 SU 1651372 A1 SU1651372 A1 SU 1651372A1 SU 894696297 A SU894696297 A SU 894696297A SU 4696297 A SU4696297 A SU 4696297A SU 1651372 A1 SU1651372 A1 SU 1651372A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- inverter
- base
- collector
- Prior art date
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в интегральных логических микросхе- мах; в цифровых ЭВМ. Цель изобретени - повышение нагрузочной способности и надежности, снижение потребл емой мощности - достигаетс путем устранени протекани сквозного тока. Устройство содержит п-р-п-транзисторы I,5, 10, 14, р-п-р-транзисторы 8 и I1,двухкаскадный эмиттерный повторитель 2, шину 4 питани , выходную шину 6, общую шину 7, входную шину 15, Введение п-р-п-транзистора 14 обеспечивает при формировании на выходе инвертора напр жени логической единицы и увеличении количества подключаемых к выходу нагрузок надежное запирание р-п-р-транзистора 11, что исключает , по вление сквозного тока в выходном каскаде инвертора. 1 ил.
Description
А« Ьtj
V ШU
Изобретение относитс к импульсной технике и предназначено дл использовани в интегральных логических микросхемах , в цифровых ЭВМ.
Целью изобретени вл етс повышение нагрузочной способности и надежности , снижение потребл емой мощности путем устранени протекани сквозного тока,
На чертеже изображена электрическа схема транзисторно-транзисторного инвертора.
Транзисторно-транзисторный инвертор содержит первый n-p-n-транзистор
I,коллектор которого соединен с входом двухкаскадного эмиттерного повторител 2 и через первый резистор 3 - с шиной 4 питани , эмиттер подключен
к базе второго п-р-п-транзистора 5, коллектор которого соединен с выходом двухкаскадного эмиттерного повторител и вл етс выходом 6 инвертора, эмиттер подключен к общей шине 7. База первого р-п-р-транзистора 8 соеди- нена с выходом 6 .инвертора, коллектор заземлен, эмиттер соединен с катодом диода 9, анод которого соединен с базой третьего п-р-п-транзистора 10 и коллектором второго p-n-p-транзистора
I1,эмиттер которого через второй ре- зистор 12 соединен с шиной 4 питани , эмиттер третьего п-р-п транзис- тора 10 соединен с базой второго п-р-п-транзистора 5, а коллектор через третий резистор 13 - с шиной 4 питани . База второго р-п-р-транзистора 1t соединена с коллектором четвертого п-р-п-транзистора 14, база которого вл етс входом 15 инверто- ра, эмиттер соединен с базой первого п-р-п-транзистора 1.
Транзисторно-транзисторный инвертор работает следующим образом.
При подаче на вход 15 инвертора напр жени высокого уровн первый 1, второй 5 и четвертый 14 п-р п-тран- зисторы открыты и наход тс в режиме насыщени , На выходе 6 инвертора формируетс напр жение логического ну- л . Так как четвертый п-р-п-транзис- тор 14 открыт и находитс в режиме насыщени , то открыт и второй р-п-р- транзистор 11. При определенных,
меньших некоторого уровн , значени х U первьй р-п-р-транзистор 8 шунтирует третий п-р-п-транзистор 10, который оказываетс закрытым. Ток потреблени определ етс формулой
I« .
потр, лличRI
- ии
+ Um. 2UtoЈ - Uu R2
Q
5
0 5 п
0
5
где U Ј3 - напр жение база - эмиттер и.д - напр жение источника питани ;
Uk - напр жение между коллектором и эмиттером наход щегос в насыщении п-р-п-транзистора j
ик-р - напр жение между коллекто- ром и эмиттером наход щегос в насыщении p-n-p-тран- зистор a J
U - напр жение на открытом диоде ,
R,l - величина первого резистора , Е - величина второго резистора; R-i - величина третьего резистора ,
При увеличении U , что происходит при увеличении числа подключенных нагрузок, третий п-р-п-транэистор 10 открываетс , в базу второго п-р-п- транзистора 5 протекает дополнительный ток и Ugb,x стремитс прин ть прежнее значение. Максимальный ток потреблени инвертора при максималь- ном числе подключенных нагрузок оп- редел етс выражением
т& т+ SatlSttlSS
потр.макс Апотр.(
Таким образом, ток потреблени зависит от числа подключаемых к выходу нагрузок: чем меньше нагрузок, тем меньше ток потреблени .
При подаче на вход инвертора 15 напр жени логического нул первьй 1, второй 5 и четвертый 14 п-р-п-тран- зисторы закрыты, эмиттерный повторитель 2 открыт и на выходе 6 инвертора формируетс напр жение логической единицы. На базе второго р-п-р-транзистора 11 присутствует высокий потенциал , так как четвертый п-р-п- транзистор 14 закрыт, обеспечивающий его закрывание. Поскольку второй р-п-р-транзистор 1t закрыт, отсутствует ток, втекающий в базу третьего п-р-п-транзистора 10, и третий п-р-п- транзистор также закрыт, т.е. цепь, состо ща из второго р-п-р-транзисто- 16
pa 11 и третьего n-p-n-транзистора 10 оказьюаетс выключенной и не оказывает вли ни на работу инвертора. При увеличении выходного тока, т.е. при увеличении количества подключаемых к выходу 6 нагрузок, выходное напр жение снижаетс . Однако снижение выходного напр жени не приводит к открыванию второго р-п-р-транзистора 11, а также второго 5 и третьего 10 n-p-n-транзисторов, поскольку управление базы второго р-п-р-транзистора 11 осуществл етс не с коллектора первого п-р-п-транзистора 1, а с коллектора четвертого п-р-п-транзистора 14. Поскольку невозможно включение второго п-р-п-транзистора 11 в то врем , когда на выходе 6 инвертора сформировано напр жение логической единицы, то это исключает протекание сквозного тока по цепи шина 4 питани - эмит- терный повторитель 2 - второй п-р-п- транзистор 5 - обща шина 7. Следовательно , уровень логической единицы не будет падать и нагруженна способность инвертора повышаетс . Исключение сквозного тока понижает мощность потреблени и повышает надежность схемы (так как не происходит выгорание транзисторов, дорожек металлизации , траверс разварки схемы из-за длительного протекани большого сквозного тока).
3726
Claims (1)
- Формула изобретениТранзисторно-транзисторный инвертор , содержащий первый п-р-п-транзистор , коллектор которого соединен с входом двухкаскадного эмиттерного повторител и через первый резистор - с шиной питани , эмиттер подключен к базе второго n-p-n-транзистора, коллектор которого соединен с выходом двухкаскадного эмиттерного повторител и вл етс выходом инвертора, а эмиттер - с общей шиной, первый p-n-p-транзистор, база которого сое5 динена с выходом инвертора, коллектор - с общей шиной, а эмиттер соединен с катодом диода, анод которого соединен с базой третьего п-р-п-транзистора и коллектором второго р-п-ртранзистора , эмиттер которого через второй резистор соединен с шиной питани , эмиттер третьего п-р-п-тран-1 зистора соединен с базой второго n-p-n-транзистора, а коллектор через5 третий резистор - с шиной питани , отличающийс тем, что, с целью повышени нагрузочной способности и надежности, снижени потребл емой мощности путем устранени про0 текани сквозного тока, дополнительно введен четвертый п-р-п-транзистор, база которого вл етс входом инвертора , эмиттер соединен с базой первого n-p-n-транзистора, а коллектор - с базой второго р-п-р-транзистора.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894696297A SU1651372A1 (ru) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Транзисторно-транзисторный инвертор |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894696297A SU1651372A1 (ru) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Транзисторно-транзисторный инвертор |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1651372A1 true SU1651372A1 (ru) | 1991-05-23 |
Family
ID=21449934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894696297A SU1651372A1 (ru) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Транзисторно-транзисторный инвертор |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1651372A1 (ru) |
-
1989
- 1989-03-30 SU SU894696297A patent/SU1651372A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР tf 1110336, кл. Н 03 К 19/088, 1983. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4779014A (en) | BiCMOS logic circuit with additional drive to the pull-down bipolar output transistor | |
KR910009086B1 (ko) | 출력회로 | |
US5089724A (en) | High-speed low-power ECL/NTL circuits with AC-coupled complementary push-pull output stage | |
US4438353A (en) | I2 L Circuit with a variable injector current source | |
US4112314A (en) | Logical current switch | |
CA1242002A (en) | Ttl output stage | |
JP2795027B2 (ja) | Igbtのゲート駆動回路 | |
SU1651372A1 (ru) | Транзисторно-транзисторный инвертор | |
US4458162A (en) | TTL Logic gate | |
US4839540A (en) | Tri-state output circuit | |
US4562364A (en) | TTL Circuit in which transient current is prevented from flowing therethrough | |
KR930009152B1 (ko) | Ecl논리회로 | |
US4584490A (en) | Input circuit for providing discharge path to enhance operation of switching transistor circuits | |
JPH077407A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US5066874A (en) | Signal output circuit having bipolar transistor in output stage and arranged in cmos semiconductor integrated circuit | |
JPH0683058B2 (ja) | 出力回路 | |
EP0155305B1 (en) | Emitter collector coupled logic | |
JPS6382121A (ja) | 出力回路 | |
EP0546486A2 (en) | Memory device for use in power control circuits | |
SU1370777A1 (ru) | Буферный каскад И @ Л-типа | |
EP0253555A2 (en) | Logic circuit employing bipolar-transistors and stable upon starting-up of power supply therefor | |
KR930006692Y1 (ko) | 쇼트키 다이오드를 이용한 스위칭 시간 단축회로 | |
SU970693A1 (ru) | Выходной каскад | |
SU1614104A1 (ru) | Формирователь импульсов | |
SU1104581A1 (ru) | Усилитель считывани |