SU1614104A1 - Формирователь импульсов - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано дл  управлени  микросхемами с зар довой св зью. Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи , что достигаетс  в результате предложенного схемного построени  формировател  импульсов. Формирователь содержит транзисторы 1 - 6, блок 7 режимных токов, токозадающий элемент 8, резистор 9, диод 10, блок 11 согласовани  уровней, шины 12 и 13, входную клемму 14, выходную клемму 16, резистор 15. 1 ил.

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано дл  уп- равлени  микросхемами с зар довой св зью (МЗС) и предназначено дл  выполнени  в виде полупроводниковой интегральной схемы.

Цель изобретени  - повышение быстродействи .

На чертеже представлена злектриче- ска  схема формировател ,

Формирователь импульсов содержит транзисторы 1-6, блок 7 режимных токов, токоотвод щйй элемент 8, резистор 9, Диод 10, блок 11 согласовани  уровней, шины 12 и 13 источника питани , входную клемму 14, резистор 15 и выходную клемму 16. Коллектор транзистора 1 соединен с шиной 12 питани , база - с первым выходом блока 7 режимных токов и коллектором транзистора 2, змитгер - с выходной клеммой 16 и коллекторами транзисторов 3,4, эмиттер транзистора 3 соединен с базой транзистора 4, база - с вторым выходом блока режимных токов и коллектором транзистора 5, база которого соединена с вь1ходом блока 11 согласовани  уровней и через токоотво- д щий элемент 8 с шиной 13 питани , база транзистора 2 соединена с коллектором транзистора 6, эмиттер - с эмиттером транзистора 4, база четвертого транзистора 4 резистор 9 соединена с эмиттером транзистора 2, третий выход блока 7 режимных токов соединен с входом блока 11 согласовани  уровней и анодом диода 10, катод которого соединен с входной клеммой 14, четвертый выход блока 11 режимных токов соединен с базой транзистора 2, база и змиттер транзистора 6 соединены соответственно с базами транзисторов 5 и 4, змиттер транзистора 5 через резистор 15 соединен с шиной 13 питани  и эмиттером транзистора 2.

Формирователь импульсов работает следующим образом.

В исходном состо нии при нулевом логическом сигнале на клемме 14 ток третьего выхода блока 7 режимных токов протекает через диод 10. При этом выходной ток блока 11 согласовани  уровней равен нулю и то- коотвод щий элемент 8 запирает транзисторы 5 и 6. Токи на втором и четвертом выходах блока 7 режимных токов перевод т транзисторы 2 и 3 в насыщенное состо ние, транзистор 1 заперт. Выходной потенциал формировател  .импульсов определ етс  напр жением на шине 13 источника питани . При емкостной нагрузке статический выходной ток формировател  импупьсов отсутствует , поэтому падение напр жени  на резисторе 9 определ етс  его сопротивлением и током, протекающим от второго выхода блока 7 режимных токов через эмит- терный переход транзистора 3.

Переключение логического состо ни 

на клемме 14 приводит к запиранию диода 10, в результате токи третьего и четвертого выходов блока 7 режимных токов передаютс  на выход блока 11 согласовани  уровней, о потенциалы на базах транзисторов 5 и 6

0 повышаетс . При этом сначала отпираетс  транзистор 5, а после того, как падение напр жени  на резисторе 9 уменьшаетс  (что свидетельствует о запирании транзисторов 3 и 4), отпираетс  и транзистор 6, который

5 выключает транзистор 2. Далее ток первого выхода блока 7 режимных токов обеспечивает формирование положительного перепада напр жени  на базе транзистора 1 и на выходе формировател  импульсов. Ука0 занна  последовательность переключени  транзисторов исключает возникновение сквозного тока через выходные транзисторы 1 и 4 при подаче 1 на клемму 14 формировател  импульсов, в том числе при

5 высоких частотах следовани  входных импульсов и при большой емкости нагрузки.

Переключение входного сигнала с уровн  1 в нулевой уровень приводит к выклю- чению выходного тока блока 11

0 согласовани  уровней. При этом токоотво- д щий элемент 8 запирает транзисторы 5 и 6. Токи четвертого и второго выходов блрка 7 режимных токов открывают транзисторы 2-4. Начинаетс  формирование отрицатель5 ного перепада напр жени  на выходе формировател  импульсов. Дл  исключени  сквозного тока в этом случае требуетс  более быстрое изменение потенциала на коллекторе второго транзистора по сравнению

0 с потенциалом на выходе формировател  при любой емкости нагрузки. Это достигае т- с  выбором отношени  режимных токов по второму и четвертому выходам блока 7 режимных токов меньшего, что отношение ем5 костей коллекторных переходов, соответственно третьего 3 и второго 2 транзисторов.

Claims (1)

1. Формула изобретени  Формирователь импульсов, содержа0 щий блок режимных токов, токоотвод щий элемент, входную и выходную клеммы, блок согласовани  уровней, первый резистор, диод и шесть транзисторов одинаковой структуры, причем коллектор первого тран5 зистора соединен с первой шиной питани , база - с первым выходом блока режимных токов и коллектором второго транзистора, змиттер первого транзистора соединен с выходной клеммой и коллекторами третьего и четвертого транзисторов, эмиттер третье5 1614104, 6

   го транзистора соединен с базой четвертогоединен с входом блока согласовани  и ано- транзистора, база третьего транзистора - сдом диода, катод которого соединен с вход- вторым выходом блока режимных токов иной клеммой, отличающийс  тем, что, коллектором п того транзистора, база кото-с целью повышени  быстродействи , в него рого соединена с выходом блока согласова-5 введен второй резистор, четвертый выход ни  уровней и через токоотвод щийблока режимных токов соединен с базой элемент с второй шиной питани , база вто-второго транзистора, база и эмиттер шес- рого транзистора соединена с коллекторомтого транзистора соединены соответствен- шестого транзистора, а змиттер - с змитте-но с базами п того и четвертого ром четвертого транзистора, база четверто-10 транзисторов, эмиттер п того транзистора го транзистора через первый резисторчерез второй резистор соединен с второй соединена с змиттером второго транзисто-шиной питани  и эмиттером второго тран- ра, третий выход блока режимных токов со-зистора.

   Тб