SU1626307A1 - Формирователь импульсов - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к импульсным оустройствам и может быть использовано в устройствах вычислительной техники, в частности в схемах пам ти как формирователь вытекающих токов в адресных проводах ПЗУ трансформаторного типа, как мощный импульсный источник питани  микросхем полупроводниковых ПЗУ, как мощный магистральный усилитель, который может работать на значительную емкостную нагрузку в линии св зи, обладает малым и стабильным временем задержек распространени  сигнала при включении и выключении в широ ком диапазоне температур и нагрузок тр бует применени  одного источни   пи ч и согласуетс  по входу и выходу г зл- f т . миТТЛ серий. Цель изобретени  - уминь ние времени задержек распространени  сигнала при включении и выключении фгр мировател  и повышение его стабит чгс и путем формировани  минимально димого тока насыщении выходною TI 5и стора Формирователь импул сов г транзисторы 1-6, резисторы 7-13, входную 14 и выходную 15 шины, источник 10 пита ни . При поступлении во входную шину 1/1 положительного импульса транзисторы 1 и 6 переход т в инверсный режим работы, обеспечива  быстрое запитывание б з транзисторов 4 и 2 током от источник 10 питани  через резисторы Юн 11 и п -роуодк коллектор-база транзисторов 6 и 1 П|,и этом открываютс  транзисторы 2-4 и на гы- ходе 15 формируетс  соответствующий пи нал. 1 ил. /5 и г W. сь so ICO о VI

Description

Изобретение относитс  к импульсным устройствам и может быть использовано в устройствах вычислительной техники.

Цель изобретени  - уменьшение времени задержек распространени  сигнала при включении и выключении формировател  и повышение их стабильности за счет формировани  минимально необходимого тока насыщени  выходного транзистора.

На чертеже представлена принципиальна  схема формировател  импульсов.

Формирователь состоит из первого 1, второго 2, третьего 3, четвертого 4, п того 5 и шестого 6 транзисторов, первого 7, второго 8, третьего 9, четвертого 10, п того 11, шестого 12 и седьмого 13 резисторов, входной 14 и выходной 15 шин, источника 16 питани ,

Эмиттер первого транзистора 1 соединен с входной шиной 14, коллектор соединен с базой второго транзистора 2. Коллектор транзистора 2 через первый резистор 7 соединен с базой третьего транзистора 3. Коллектор транзистора 3 соединен с выходной шиной 15. Эмиттер четвертого транзистора 4 соединен с общей шиной, а коллектор - через второй резистор 8 с базой третьего транзистора 3. Эмиттер п того транзистора 5 соединен с общей шиной, база - через третий резистор 9 с выходной шиной 15 формировател , а коллектор - с базой оторого транзистора 2. Эмиттер шестого транзистора 6 соединен с входной ши- ной 14 формировател , а коллектор соединен с базой четвертого транзистора 4, база шестого транзистора 6 - через четвертый резистор 10, база первого транзистора

1- через п тый резистор 11, а база третьего транзистора 3 - через шестой резистор 12 соединены с шиной 16 источника питани . База п того транзистора 5 через седьмой резистор 13 и эмиттер второго транзистора

2соединены с общей шиной, эмиттер третьего транзистора 3 соединен с шиной источника 16 питани . Резисторы 12 и 13 обеспечивают необходимый режим раооты формировател .

Формирователь работает следующим образом.

При подаче на входную шину 14 формировател  положительного импульса транзисторы 1 и 6 переход т в инверсный режим работы, обеспечива  быстрое запитывание баз транзисторов 4 и 2 током от источника 16 питани  через соответственно, резисторы 10 и 11 и переходы коллектор - база транзисторов 6 и 1. Открываетс  транзистор 4, так как транзистор 5 еще закрыт и не шунтирует своим переходом коллектор эмиттер переход база-эмиттер транзистора 2, последний также открываетс .

При отношении значений согрливле- ний резисторов 10 и 11 как 2:1, а резисторов

8и7как10:1, большим током, протекающим от шины Плюс источника питани  через резистор 12 и создающим на нем смещение дл  открывани  транзистора 3,  вл етс  ток коллектора транзистора 2. Транзистор 3 от0 крываетс  и быстро входит в глубокое насыщение из-за большого тока базы, равного в основном току коллектора транзистора } Ток коллектора открытого транзистора 3 формирует на выходной шине 15 на ке 17 положительный импульс с крутым передним фронтом.

По вление положительного имгугьса на выходе формировател  вызывает протекание тока по делителю из резисторов 9 ч

0 13, что вызывает необходимое дл  гранз - стора 5 смещение на его переходе база эмиттер, соединенного с резистором 13. Отношение значений сопротивлении резисторов 9 и 13 выбираетс  таким образом, чтобы

5 открывание транзистора 5 происходило гри полностью открытом транзисторе 3. Открывание транзистора 5 чызывает зпкрытие транзис 1 jpa 2, и основным гСчЗм трпизи стора 3 становитс  ток кгллеюора стора 4. что приводит к выходу транзистору 3 из глубокого насыщени , создавшегос  ча момент включени , в неглубокое нас1- що- ние с установившемс  режиме, так как гик коллектора открытого транзистора 4 при5 близительно в 10 раз меньше тока коплсктг. pi. транзистора 2, когда он бш открьп из-го отношени  значений сопрот .ленчи. P .M.I сторое 8 и 7 как 10:1.

Быстрое формирование выходного то

0 ложительного импульса и малое значегч.е времени задержки распространени  огна- л при включении обеспечиваетс  быс-гил открыванием выходном транзистора . .- счет обеспечени  большого чначетм . л 

5 его базы на момент включени .

Стабильность значениг, времен-1 рас пространени  сигнала пр включении oLe .- печиваетс  стабильностью ,:о.игог включени  транзисторов 1, 2, 3 6 и -1, о,г

0 рые завис т только от технолс. i ли v.x iiirn тоелени .

В установившемс  режиме роОоты ,-нг чение выходного напр ж - и  и его стабильность обеспечиваютс  нахождением

5 транзисторов 4 и 3 в состо ние i- ci/U en чл и зависит топько от значени  напр , ис точника питани . При эюм степень насыщени  транзистора 4 несколько глубхе сте- пэни насыщени  т.тзнзпгтою i 7 -г. о определ ет открытое v-остотние т: -и JIT, лpa 4 вне зависимости от изменени  температуры окружающей среды и значени  напр жени  источника питани . Неглубока  степень насыщени  транзистора 3 определена исход  из минимального значени  тока его базы через резистор 8, в зависимости от примененного транзистора 3. При этом при уменьшении температуры окружающей среды или сопротивлени  нагрузки транзистор 3 стремитс  выйти из насыщени , что при- водит к уменьшению выходного напр жени , и, соответственно, к уменьшению напр жени  на переходе база - эмиттер транзистора 5. Транзистор 5 закрываетс , что приводит к расшунтированию перехода база - эмиттер транзистора 2, последний открываетс  и своим коллекторным током через резистор 7 подпитывает ток базы транзистора 3, что возвращает транзистор 3 в насыщение и приводит к увеличению выходного напр жени , обратному открыванию транзистора 5 и закртию транзистора 2. Действующа  таким образом отрицательна  обратна  св зь обеспечивает стабильность выходного напр жени  в установившемс  режиме работы при уменьшении температуры окружающей среды и нагрузки.

При сн тгии входного импульса транзи- сгосы 6 и 1 выход т из инверсного ре.жчмч работы, ток баз через их переходы бс)за - эмиттер от источника 16 питани  и с-чпсто- ры 10 и 11 через внутреннее сопротивление источника 16 ответвл етс  на обицу жну устройства, обесточива  тем самым баз транзисторов 2 и 4, что приводит к их потному закрыванию, обесточиванию цепи базы транзистора 3 и его закрытию и обесточиванию цепи нагрузки.

Врем  выключени  формировател  з основном зависит от степени транзистора 3. Так как она определена при минимально необходимом токе его базы и при уменьшении температуры окружающее среды или уменьшении сопротивлени  на-

Claims (1)

1. грузки, поддерживаетс  на заданном уровне действием цепи отрицательной обратной св зи на транзисторе 5 и резисторе 7, то врем  выключени  транзистора 3 будет достаточно малым и стабильным, а следовательно , мало и стабильно будет врем  задержки распространени  сигнала при выключении формировател  в целом. Формула изобретени  Формирователь импульсов, содержащий первый транзистор, эмиттер которого соединен с входной шиной, коллектор соединен с базой второго транзистора, коллектор которого через первый резистор соединен с базой третьего транзистора, коллектор которого соединен с входной шиной, источник питани , второй и третий резисторы , отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  времени задержек распространени  сигнала при включении и выключении , повышени  их стабильности за счет формировани  минимально необходимого тока насыщени  выходного транзистора, введены четвертый, п тый и шестой транзисторы , четвертый, п тый, шестой и седьмой резисторы, причем эмиттер четвертого транзистора соединен с общей шиной, а коллектор - ч-фез второй резистор с базой третьего транзисто; а, эмиттер п того тран ЗИСТОРЗ соединен с общей шиной, база - через третий разистор с гыходной шиной форми овате., .. коллектор - с Оэзой второго транзистора, эмиттер шестого транзистора соединен с входной шиной формировател , а коллектор соединен с базой четвертого транзистора, база шестого транзистора - через . гый резистор, база первого транзистора - через п тый резистор , а база третьего транзистора - мере, шестой резистор соединены с шиной источника питани , блза п того транзистора через седьмой резистор и эг.итге,) второго транзистора соединены с общей шиной, эмиттер третьего тоанзистора соединен с шиной источника питани .