KR930004716Y1

KR930004716Y1 - 바이폴라 티티엘의 출력속도 개선회로

Info

Publication number: KR930004716Y1
Application number: KR2019880016974U
Authority: KR
Inventors: 권기조
Original assignee: 금성일렉트론 주식회사; 문정환
Priority date: 1988-10-18
Filing date: 1988-10-18
Publication date: 1993-07-22
Also published as: KR900009225U

Abstract

내용 없음.

Description

바이폴라 티티엘의 출력속도 개선회로

제1도는 종래의 티티엘 회로도.

제2도는 본 고안의 티티엘 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1, 2 : 출력회로 3, 4 : 주변회로

X₁-X₁₃: 쇼트키 트랜지스터 Q₁-Q₆: 트랜지스터

R₁-R₁₇: 저항 D₁, D₂: 쇼트키다이오드

본 고안은 바이폴라 티티엘(TTL) 회로에 관한 것으로, 특히 내부 출력부의 논리진폭변화를 작게하여 동작속도를 빠르게한 바이폴라 티티엘의 출력속도 개선회로에 관한 것이다.

종래의 티티엘회로는 제1도에 도시된 바와같이, 입력신호(VIN)가 쇼트키다이오드(D₁), 바이어스저항(R₁)과 접속된 쇼트키트랜지스터(X₁)를 통해 앤드화되어 바이어스저항(R₂)(R₃)과 접속된 쇼트키트랜지스터(X₂)를 통과하고, 달링톤 및 토템플연결된 쇼트키트랜지스터(X₃)(X₄), 트랜지스터(Q₁)로 구성된 출력회로(1)를 통해 각각의 쇼트키트랜지스터(X₅-X₁₄), 트랜지스터(Q₅)(Q₆)로 구성된 주변회로(3)(4)를 제어하게 구성된 것으로, 도면의 설명중 미설명 부호 R₂-R₁₇은 바이어스 저항이다.

이와같이 구성된 종래의 티티엘 회로는 입력신호(VIN)가 출력회로(1)를 통해 반전되어 주변회로(3)(4)르 제어하게 된다. 즉, 입력신호(VIN)가 고전위로 되면, 쇼트키트랜지스터(X₁)가 액티브(active) 상태로 되어 쇼트키트랜지스터(X₂)의 베이스 전위가 상승되므로 그 쇼트키트랜지스터(X₂)가 턴온되고, 이에따라 달링톤 접속된 쇼트키트랜지스터(X₃) 및 트랜지스터(Q₁)가 턴오프되고, 쇼트키트랜지스터(X₄)가 턴온되므로 그 출력회로(1)의 출력단자인 접속점(A)에 하기의 식과 같은 저전위가 출력된다.

V_BE(X₄)-V_BC(X₄)=0.3V

V_BE(X₄) : 쇼트키 트랜지스터(X₄)의 베이스-에미터간전압

V_BC(X₄) : 쇼트키 트랜지스터(X₄)의 베이스-콜렉터간전압

한편, 입력신호(VIN)가 저전위로 되면, 쇼트키트랜지스터(X₁)가 포화(saturation) 상태로 되므로 쇼트키트랜지스터(X₂)의 베이스전위가 떨어져 그 쇼트키트랜지스터(X₂)가 턴오프되고, 이에따라 달링톤 접속된 쇼트키트랜지스터(X₃) 및 트랜지스터(Q₁)가 턴온되고, 쇼트키트랜지스터(X₄)가 턴오프되어 그 출력회로(1)의 출력단자인 접속점(A)에 하기의 식과 같은 고전위가 출력된다.

V_CC-2V_BE=3.4V

Vcc : 전원

2V_BE: 쇼트키트랜지스터(X₃) 및 트랜지스터(Q₁)의 베이스-에미터간전압

결국, 출력회로(1)의 논리진폭변화는 3.4V-0.3V=3.1V로 된다.

이와같이 종래의 회로에 있어서는 출력회로(1)의 저전위, 고전위사이의 논리진폭 변화가 크게되므로 주변회로(3)(4)의 온, 오프시 지연시간이 커지게되어 동작속도가 느려지는 문제점이 있었다.

본 고안은 이와같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여, 출력회로의 논리진폭변화를 감소시킴으로써 동작속도를 빠르게 한 바이폴라 티티엘의 출력속도 개선회로를 안출한 것으로, 이를 첨부한 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.

제2도는 본 고안의 티티엘 회로도로서, 이에 도시한 바와같이, 쇼트키트랜지스터(X₁)를 통과한 입력신호(VIN)가 쇼트키트랜지스터(X₂)를 통해 주변회로(3)(4)를 제어하는 티티엘회로에 있어서, 상기 쇼트키트랜지스터(X₂)에 트랜지스터(Q₄)의 달링톤접속하고, 상기 쇼트키트랜지스터(X₂)에 트랜지스터(Q₄)의 콜렉터 접속점에 쇼트키다이오드(D₂) 및 트랜지스터(Q₂)(Q₃)를 직렬로 접속하여, 상기 주변회로(3)(4)를 제어하게 출력회로(2)를 구성한 것으로, 도면의 설명중 미설명부호 B는 상기 출력회로(2)의 출력단자인 접속점을 나타낸 것이다.

이와같이 구성된 본 고안의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.

입력신호(VIN)가 고전위로 되면, 쇼트키트랜지스터(X₁)가 액티브(active) 상태로 되어 쇼트키트랜지스터(X₂)의 베이스전위가 증가되므로 그 쇼트키트랜지스터(X₂)가 턴온되어 그 에미터에 고전위가 출력되고, 이 고전위신호에 의해 트랜지스터(Q₄)가 턴온되므로 전원(Vcc)이 저(R₂) 및 쇼트키트랜지스터(X₂)를 통해 저(R₃)으로 흐름과 아울러 사익 저항(R₂)을 통한 전원(Vcc)이 트랜지스터(Q₄)를 통해 접지로 흐르게 되고, 이에따라 출력회로(2)의 출력단자인 접속점(B)에 하기의 식과 같은 저전위가 출력된다.

V_CE(X₂)+V_BE(Q₄)=1.1V

V_CE(X₂) : 쇼트키트랜지스터(X₂)의 콜렉터-에미터간전압

V_BE(Q₄) : 트랜지스터(Q₄)의 베이스-에미터간전압

또한 입력신(VIN)가 저전위로 되면, 쇼트키트랜지스터(X₁)가 포화상태로 되어 쇼트키트랜지스터(X₂)의 베이스전위가 떨어지므로 그 쇼트키트랜지스터(X₂)가 턴오프되어 그의 에미터에 저전위신호가 출력되고, 이 저전위신호에 의해 트랜지스터(Q₄)가 턴오프된다. 따라서, 이때 전원(Vcc)이 저항(R₂)을 통한 후 쇼트키다이오드(D₂) 및 트랜지스터(Q₂)(Q₃)를 통해 접지로 흐르게 됨에 따라 그 출력회로(2)의 그 출력단자(B)인 접속점(B)에 하기의 식과 같은 고전위가 출력된다.

V_SD(D₂)+V_BE(Q₂)+V_BE(Q₃)=1.8V

V_SD(D₂) : 쇼트키다이오드(D₂)의 양단전압

V_BE(Q₂), V_BE(Q₃) : 트랜지스터(Q₂)(Q₃)의 베이스-에미터간전압

결국, 출력회로(2)의 출력단자인 접속점(B)의 논리진폭변화는 1.8V-1.1V=0.7V로 감소되고, 이에따라 그 출력회로(2)에 위해 주변회로(3)(4) 온/오프시 충방전시간이 작아지므로 동작속도가 빨라지게 되는 것이다.

즉, 3.1V로 되는 논리진폭변화가 0.7V가 감소되므로 그 만큼 주변회로(3)(4)의 동작속도가 빨라지게 된다.

이상에서 상세히 설명한 바와같이 본 고안은 출력되는 논리진폭변화가 감소되므로 동작속도가 빨라질수 있는 효과가 있고, 달링톤 접속된 쇼트키트랜지스터(X₂) 및 트랜지스터(Q₄)를 통해 전류이득이 각각의 트랜지스터의 전류이득 곱으로 되므로 출력분기수를 많이 할 수 있는 효과가 있다.

Claims

입력신(VIN)가 에미터에 인가되고 전원(Vcc)이 저항(R₁)을 통해 베이스에 인가되는 쇼트키트랜지스터(X₁)의 콜렉터가 쇼트키트랜지스터(X₂)의 베이스에 접속되고, 그 쇼트키트랜지스터(X₂)의 콜렉터에 전원(Vcc)이 저항(R₂)을 통해 인가됨과 아울러 그의 에미터에 저항(R₃)이 접속되고, 상기 쇼트키트랜지스터(X₂)의 온/오프 상태에 따라 주변회로(3,4)를 제어하게한 티티엘 회로에 있어서, 상기 쇼트키트랜지스터(X₂)의 에미터 및 저항(R₃)의 접속점을 트랜지스터(Q₄)의 베이스에 접속하고, 상기 쇼트키트랜지스터(X₂)의 콜렉터 및 저항(R₂)의 접속점을 상기 주변회로(3, 4) 및 상기 트랜지스터(Q₄)의 콜렉터에 접속함과 아울러 그 접속점에 쇼트키트랜지스터 다이오드(D₂) 및 트랜지스터(Q₂, Q₃)를 직렬접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 바이폴라 티티엘의 출력속도 개선회로.