SU1550581A1 - Устройство дл формировани разр дных токов записи - Google Patents

Устройство дл формировани разр дных токов записи Download PDF

Info

Publication number
SU1550581A1
SU1550581A1 SU884404989A SU4404989A SU1550581A1 SU 1550581 A1 SU1550581 A1 SU 1550581A1 SU 884404989 A SU884404989 A SU 884404989A SU 4404989 A SU4404989 A SU 4404989A SU 1550581 A1 SU1550581 A1 SU 1550581A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
input
stage
output
bus
Prior art date
Application number
SU884404989A
Other languages
English (en)
Inventor
Василий Илиодорович Попов
Виктор Федорович Тишенков
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2969
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2969 filed Critical Предприятие П/Я В-2969
Priority to SU884404989A priority Critical patent/SU1550581A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1550581A1 publication Critical patent/SU1550581A1/ru

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике и автоматике. Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи  устройства. Устройство содержит два идентичных формировател  импульсов тока, каждый из которых содержит одинаковые входной каскад, промежуточный каскад, два выходных каскада. Использу  один источник питани , формирователи обеспечивают на нагрузке двухпол рный импульс тока, определ емый одним резистором. 1 ил.

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в качестве устройств дл  формировани  двухпол р- ных разр дных токов записи оперативного запоминающего устройства.
Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи  устройства.
На чертеже представлена электрическа  схема устройства дл  формировани  разр дных токов записи.
Устройство содержит два идентичных формировател  1 и 2 импульсов тока. Каждый формирователь 1 и 2 содержит одинаковые входной каскад 3, промежуточный каскад 4, первый 5 и второй 6 выходные каскады. Входной каскад 3 содержит первый транзистор
7,второй многоэмиттерный транзистор
8,транзистор 9 в диодном включении, первый 10 и второй 11 резисторы, входную шину 12 управлени  устройства , шину 13 питани  и общую шину 14
устройства. Промежуточный каскад 4 содержит составной транзистор, выполненный на четвертом 15 и п том 16 транзисторах, многоэмиттерный шестой транзистор 17, ключевой седьмой транзистор 18, третий 19, четвертый 20, п тый 21, шестой 22, седьмой 23 и восьмой 24 резисторы.
Первый 5 и второй 6 выходные каскады содержат восьмой 25 и дев тый 26 транзисторы. Устройство также имеет первую выходную шину 27 управлени , вторую выходную шину 28, резистор 29 и выходную шину 30 уп- равлени .
i
Устройство работает следующим образом .
В исходном состо нии при отсутствии входных сигналов на шине 12 формирователей 1 и 2 открыт переход база-коллектор транзистора 8, величина базового тока транзистора 7 достаточ§
ел ел
ел
эо
на дл  того, чтобы он был открыт и насыщен, обеспечива  работу транзисторов 15 и 16 в режиме отсечки, поскольку величина напр кени  на базе транзистора 15, задаваемого напр жением на коллекторе транзистора 7, недостаточна дл  его отпирани . За счет работы транзисторов 15 и 16 в режиме отсечки токи, кроме обратных токов и токов утечки, через их эмиттеры не протекают и транзисторы 25 и 26 закрыты, так как отсутствуют их базовые токи0 В то же врем  открыты переходы база-коллектор транзистора 17 промежуточного каскада 4 и база- эмиттер транзистора 18, поддержива  низкий потенциал на базе транзистора 26. Таким образом, в исходном состо нии выходные транзисторы закрыты и мощность не рассеивают.
Входной сигнал отрицательной по- л рности поступает на шину 12 форми- рователей 1 и 2 в зависимости от того , какой пол рности необходимо сформировать ток. При подаче входного сигнала на шину 12 формировател  1 формирователь 2 остаетс  в исходном Состо нии и выходной сигнал на нагрузке формируетс  формирователем 1. При этом открываютс  переходы база- эмиттер транзисторов 8 и 17, а транзисторы 7 и 18 закрываютс , в базу транзистора 15 поступает ток, составной транзистор 15 и 16 открываетс  и через резисторы 21 к 22 в базу транзистора 26, а через резистор 23 в базу транзистора 25 протекают базовые токи.
Величины сопротивлений резисторов 22-24 выбраны таким образом, что за счет падени  напр жени  на них обеспечиваетс  смешение, необходимое дл  открывани  транзисторов 25 и 26. В результате через нагрузку протекает ток по цепи 13 питани ,, резистор 299 переход коллектор-эмиттер транзистора 26, шина 27, нагрузка8 шина 28, переход коллектор-эмиттер транзистора 25, шина 30. Величиной сопротивлени  резистора 29 выбираетс  ток записи и соответственно рассеиваема  мощность.
При прохождении тока записи через транзисторы 25 и 26 происходит накопление зар да в базах данных транзисторов . По окончании действи  входного сигнала открываютс  транзисторы 7 и 18, а транзисторы 15,16,25 и
26 закрываютс . Через открытый транзистор 18 происходит рассасывание накопленного зар да в базе транзис- тора 26. Рассасывание зар да в базе транзистора 25 происходит через резистор 24 с малой величиной сопротивлени  .
При подаче входного сигнала на
входную шину 12 формировател  2 формирователь 1 остаетс  в исходном состо нии , каскады формировател  2 работают аналогично соответствующим каскадам формировател  1, а выходной
5 сигнал формировател  2 определ етс  протеканием тока по цепи шина 13 питани , резистор 29, переход коллектор-эмиттер транзистора 26, шина 28, нагрузка, шина 27, переход коллектор0 эмиттер транзистора 25 формировател  2, шина 30. Использу  один источник питани , формирователи 1 и 2 обеспечивают на нагрузке двухпол рный импульс тока, определ емый одним ре5 зистором 29.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Устройство дл  формировани  раз- 0 р дных токов записи, содержащее два формировател  импульсов тока, каждый из которых содержит входной промежуточный и два выходных каскада на транзисторах и резисторах, причем
    5
    эмиттер п того транзистора промежуточного каскада подключен через седьмой резистор к базе транзистора первого выходного каскада, котора  через восьмой резистор соединена с обQ щей шиной устройства, первый и второй резисторы входного каскада подключены к шине питани  устройства, коллекторы транзисторов вторых выходных каскадов через дев тый резис5 тор подключены к шине питани  устройства , эмиттеры восьмых транзисторов выходных каскадов первого и второго формирователей объединены, эмиттер дев того транзистора второго выход0 ного каскада первого формировател  и коллектор восьмого транзистора первого выходного каскада второго формировател  объединены и  вл ютс  первой выходной шиной управлени  устройства, эмиттер дев того транзистора второго каскада второго формировател  и коллектор восьмого транзистора первого каскада первого формировател  импульсов тока объединены
    и  вл ютс  второй выходной шиной управлени  устройства, отличающеес  тем, что, с целью повыше- шени  быстродействи  устройства, во входной каскад каждого из формирователей импульсов тока введены второй транзистор и диод, причем
    база первого транзистора входного каскада через переход коллектор- эмиттер второго транзистора  вл етс  входной шиной управлени  устройства, его эмиттер через диод подключен к общей шине устройства, база второго транзистора входного каскада соеди- нена с вторым выводом первого резистора входного каскада, а коллектор первого транзистора входного каскада соединен с вторым выводом второго резистора входного каскада и через третий резистор промежуточного каскада с базой составного транзистора, выполненного на четвертом и п том транзисторах, коллекторы которых соединены с шиной питани  устройства, а эмиттеры через п тый и шестой резисторы подключены к базе транзистора второго выходного каскада и к коллектору седьмого транзистора промежуточного каскада, эмиттер которого соединен с общей шиной устройства , а база через переход коллектор - эмиттер шестого транзистора промежуточного каскада и через четвертый резистор подключена к входной шине устройства, эмиттеры транзисторов первых выходных каскадов первого и второго формирователей импульсов тока объединены и  вл ютс  третьей шиной управлени  устройства.
    П
    /J
    У 4
SU884404989A 1988-02-01 1988-02-01 Устройство дл формировани разр дных токов записи SU1550581A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884404989A SU1550581A1 (ru) 1988-02-01 1988-02-01 Устройство дл формировани разр дных токов записи

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884404989A SU1550581A1 (ru) 1988-02-01 1988-02-01 Устройство дл формировани разр дных токов записи

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1550581A1 true SU1550581A1 (ru) 1990-03-15

Family

ID=21366554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884404989A SU1550581A1 (ru) 1988-02-01 1988-02-01 Устройство дл формировани разр дных токов записи

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1550581A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Специальные элементы запоминающих устройств ЭВМ на полупроводниковых приборах/Под ред. Е.И.Гальперина и А,Ю.Гордонова. М.: Советское радио, 1971, с. 337. Авторское свидетельство СССР № 546016, кл. G 11 С 7/00, 1975. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4438353A (en) I2 L Circuit with a variable injector current source
US4289978A (en) Complementary transistor inverting emitter follower circuit
US4912344A (en) TTL output stage having auxiliary drive to pull-down transistor
SU1550581A1 (ru) Устройство дл формировани разр дных токов записи
EP0046498B1 (en) Bootstrapped driver circuit
US5068550A (en) ECL-TTL signal level converter
KR0165986B1 (ko) BiCMOS 논리 회로
US4562364A (en) TTL Circuit in which transient current is prevented from flowing therethrough
KR940007978B1 (ko) 출력회로
US4749885A (en) Nonsaturating bipolar logic gate having a low number of components and low power dissipation
JPH0155778B2 (ru)
JPS6161525A (ja) 非反転高速ローレベルゲート‐シヨツトキトランジスタ‐トランジスタロジツク変換器回路
JPH0515325B2 (ru)
JP2586601B2 (ja) カレントミラー回路
RU1810994C (ru) Транзисторный ключ
SU1277382A1 (ru) ТТЛ-элемент
JP3297256B2 (ja) 高速スイッチング回路
US5118973A (en) Emitter coupled logic circuit having independent input transistors
SU546016A1 (ru) Устройство дл формировани разр дных токов записи
JPS60502182A (ja) 電流切換装置
JP2734231B2 (ja) レベル変換回路
SU1358077A1 (ru) Формирователь одиночных импульсов
KR910000691Y1 (ko) 바이씨모스를 이용한 대전력 구동회로
JP2689628B2 (ja) ドライバー回路
SU1275758A1 (ru) Логический элемент