SU150951A1 - Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности и способ его изготовлени - Google Patents

Description

Дл  решени  р да задач необходима повышенна  чувствительность селеновых фотоэлементов в инфракрасной области спектра.

Известны способы смещени  максимума спектральной характеристики чувствительности в область длинных волн введением в слой селена теллура и некоторых других элементов. Однако чувствительность таких селеновых фотоэлементов в области 800 мк недостаточна дл  практики. Наиболее эффективен известный способ расширени  спектральной чувствительности добавками теллура. Однако чем выше концентраци  теллура, тем хуже параметры фотоэлементов.

Согласно описываемому способу в качестве добавки к селену используетс  индий. Индий может быть примешан к селену в малой концентрации (до 1%), или же может быть нанесен в виде промежуточного сло  испарением или катодным напылением из газовой атмосферы. При применении промежуточного сло  из инди  целесообразно этот слой подвергнуть температурной обработке в вакууме, в воздухе или в газовой атмосфере при определенных режимах давлени .

Спектральна  крива  чувствительности описываемого селенового фотоэлемента с запираюшим слоем имеет в диапазоне, примерно, от 770 до 800 мк второй  вный макси.мум, равный при пересчете на максимум равной энергии, примерно, 30% высоты обыкновенного максимума селенового фотоэлемента в видимой области спектра. Чувствительность фотоэлемента в области максимума в видимой области саектра при этом равна приблизительно чувствительности обыкновенного селенового фотоэлемента. Помеща  металлический слой, например, из серебра , между основным металлом селеном и промежутс-шым слсем из

№ 150951- 2 инди , можно получить изменение максимума по высоте и по положению в определенных пределах.

Металлическа  барьерна  пленка вли ет па процесс диффузии инди  в селен. От толщины и вида барьерной пленки,а также от толщины .сло  инди  зависит соотношение обоих максимумов кривой распределени  фототока при равном количестве падающей энергии.

Температурные услови  при нанесении сло  инди  не вли ют существенно на положение и величину максимума в инфракрасной части спектра. В большинстве случаев такое ианесепие осуществл етс  при комнатной температуре.

Таким образом, изобретение позвол ет расширить спектральную кривую чувствительности без изменени  электрических характеристик фотоэлементов.

Предмет изобретени 

1.Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности, достигаемой добавками к селену или использованием промежуточных слоев, отличающийс  тем, что в качестве добавки к селену или в кгшестве промежуточного сло , получаемого испарением или катодным напылением из газовой атмосферы и размещенного между основным селеновым слоем и покровным электродом , применен индий.

2.Способ изготовлени  селенового фотоэлемента с запирающим слоем по и. 1, отличающийс  тем, что, промежуточный слой из инди  подвергают температурной обработке в вакууме, в воздухе или газовой атмосфере при определенных режимах давлеии , а до нанесени  промежуточного сло  из инди  на основной селеновый слой нанос т металлическую прослойку, например, из серебра.